沉积源及具有此沉积源的沉积装置制造方法及图纸

根据本公开内容的沉积源被设置在用于蒸发沉积材料的工艺腔室内部，以将沉积材料沉积在基板上。沉积源包括：扩散容器，所述扩散容器具有预定长度且在其中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散经蒸发的沉积材料；至少一个开口，所述至少一个开口形成在所述扩散容器中；喷嘴部分，所述喷嘴部分耦接至扩散容器的开口并且包括沿着扩散容器的纵向方向设置的多个喷嘴，以便注入在扩散容器中扩散的沉积材料；以及加热部分，所述加热部分安装在所述扩散容器的外部且包括加热器和热屏蔽部分，所述加热器经配置成通过加热所述扩散容器来加热容纳在所述扩散容器中的所述沉积材料，所述热屏蔽部分环绕所述加热器安装以防止加热器产生的热量向外发散。假定在扩散容器中与喷嘴部分耦接的部分相对的表面为底表面，多个喷嘴经布置成线性以便与扩散容器的底表面的纵向中心线间隔开。因此，可提高沉积源在沉积腔室内的布置方面的利用率，且可改进薄膜沉积的均匀性。

Sedimentary Sources and Depositional Devices with such Sources

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积源及具有此沉积源的沉积装置
本公开内容涉及用于蒸发用于在基板表面上形成薄膜的沉积材料的沉积源和包括所述沉积源的沉积装置。
技术介绍
沉积装置指的是通过例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或气相沉积在基板(诸如用于制造半导体器件的晶片、用于制造LCD的基板或用于制造OLED的基板)的表面上形成薄膜的装置。此外，在用于制造OLED的基板的情况下，经常使用通过在沉积材料的沉积中蒸发有机物质、无机物质和金属等而在基板的表面上形成薄膜的工艺。通过蒸发沉积材料来形成薄膜的沉积装置包括其中装载沉积目标基板的沉积腔室和用于加热沉积材料以便将沉积材料蒸发至基板的沉积源。沉积装置执行其中蒸发沉积材料以在基板表面上形成薄膜的基板处理。此外，沉积装置中使用的沉积源是部件，所述部件安装在沉积腔室内部且通过加热沉积材料来蒸发沉积材料以将沉积材料蒸发至基板。取决于蒸发方法和各种结构，可采用诸如韩国专利公开号10-2009-0015324以及10-2004-0110718等中公开的那些。特别地，随着生产率以及大型面板的需求，已扩大用于制造OLED的基板，还已扩大沉积装置。因此，需要一种优化的结构，所述优化的结构能使扩大的沉积装置执行用于沉积均匀薄膜的沉积工艺。然而，存在难以使用现有结构来进行用于沉积均匀膜的沉积工艺的问题。此外，当两种或更多种沉积材料经混合或合成并沉积在基板表面上时，基板被扩大且因此用于蒸发对应的沉积材料的源之间的间隔增加。因此，由于不能顺利地进行两种或更多种沉积材料的混合或合成，因而存在难以形成具有所需的物理性质的气相沉积膜的问题。此外，在常规的沉积装置中，存在如下问题：当在使用沉积装置后需要维护时，通过分离沉积源来执行维护所需的处理是困难的。
技术实现思路
技术问题为了解决上述问题而提出了本公开内容，且本公开内容的方面是提供一种沉积装置，所述沉积装置包括沉积源和设置有多个喷嘴且经配置成提供用于经蒸发的沉积材料的扩散空间的扩散容器，使得可在从喷嘴注入经蒸发的沉积材料之前均匀地扩散经蒸发的沉积材料。本公开内容的另一方面是提供一种沉积源，所述沉积源是线性源，其中在配置沉积源时将用于注入沉积材料的喷嘴线性布置且将喷嘴设置成从线性源的底表面的中心线偏离至一侧，使得就沉积腔室中的沉积源的布置而言可改善沉积源的利用。本公开内容的另一方面是提供一种沉积装置，所述沉积装置包括经配置成蒸发沉积材料以将沉积材料沉积在基板上的一对线性沉积源和位于所述一对线性沉积源的中心线之间的多个喷嘴，从而最小化所述一对沉积源之间的间隔。本公开内容的又一方面是提供一种沉积装置，其中用于加热沉积源的沉积材料的加热部分配置有至少两个加热组件，所述至少两个加热组件能在其中多个喷嘴经耦接使得可以促进维护沉积源的方向上彼此耦接或分离，以按需要通过分离加热组件来降低安装沉积装置所需的维护成本。技术解决方案根据本公开内容，提供了一种设置在工艺腔室100内部的沉积源200，所述沉积源200用于蒸发沉积材料以将沉积材料沉积在基板S上。沉积源包括：扩散容器210，所述扩散容器210具有预定长度并且在其中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散经蒸发的沉积材料；至少一个开口。，所述至少一个开口形成在扩散容器210中；喷嘴部分220，所述喷嘴部分220耦接至扩散容器210的开口并且包括沿着扩散容器210的纵向方向设置的多个喷嘴，以便注入在扩散容器210中扩散的沉积材料；以及加热部分，所述加热部分安装在扩散容器210的外部并且包括加热器230和热屏蔽部分240，所述加热器230经配置成通过加热扩散容器210来加热容纳在扩散容器210中的沉积材料，所述热屏蔽部分240环绕加热器230而安装以防止加热器230所产生的热量向外发散。假定在扩散容器210中与喷嘴部分220耦接的部分相对的表面为底表面，多个喷嘴的中心与扩散容器210的底表面的纵向中心线1间隔开，并且多个喷嘴设置成面对基板S。沉积源200可进一步包括沉积材料供应部分300，所述沉积材料供应部分300经配置成容纳沉积材料并且耦合至扩散容器210的一侧，以便将沉积材料供应到扩散容器210。加热部分可配置有至少两个加热组件，所述至少两个加热组件能在多个喷嘴耦接的方向上彼此耦接或分离。热屏蔽部分240可包括设置在加热器230外部以将从加热器230发散的热量朝向扩散容器210反射的反射器242和设置在反射器242外部的冷却部分244。扩散容器210可具有与所述扩散容器210的纵向方向相垂直的矩形横截面形状和梯形横截面形状中的任何一个。扩散容器210可具有与所述扩散容器210的纵向方向相垂直的梯形横截面形状，扩散容器210具有相对于所述扩散容器210的底面倾斜的一个侧面以及垂直于所述底面的剩余侧面。热屏蔽部分240可具有与扩散容器210的梯形横截面形状相对应的形状。加热部分可包括安装在底表面和垂直于所述底表面的剩余侧面上的第一加热组件250以及安装在其余两个表面上的第二加热组件260，且第一加热组件250可以能够沿着多个喷嘴耦接至扩散容器210的方向而耦接至第二加热组件260或与第二加热组件260分离。根据本公开内容，提供了一种沉积装置，所述沉积装置包括：工艺腔室100，所述工艺腔室100经配置成提供沉积材料沉积在基板S上的空间；以及根据权利要求1至8中任一项所述的一对沉积源200，所述一对沉积源200经配置成蒸发沉积材料，使得沉积材料沉积到基板S上。多个喷嘴位于所述一对沉积源200的中心线1之间，且所述一对沉积源200可蒸发不同的沉积材料。由一对沉积源200中的一个沉积源蒸发的沉积材料可为银，且由剩余的沉积源蒸发的沉积材料可为镁。本专利技术的有利作用根据本公开内容，沉积装置包括沉积源和扩散容器，所述扩散容器设置有多个喷嘴且经配置成为经蒸发的沉积材料提供扩散空间。因此，通过在从喷嘴注入经蒸发的沉积材料之前均匀地扩散经蒸发的沉积材料可改进膜的均匀性。根据本公开内容，沉积源为线性源，其中在配置沉积源时，用于注入沉积材料的喷嘴被线性排列，且喷嘴经设置成从线性源的底表面的中心线偏离至一侧。因此，就沉积腔室中的沉积源的布置而言，可改进沉积源的利用。根据本公开内容，沉积装置包括：一对线性沉积源，所述一对线性沉积源经配置成蒸发沉积材料，使得沉积材料沉积在基板上；和多个喷嘴，所述多个喷嘴位于所述对线性沉积源的中心线之间。因此，可最小化一对沉积源之间的间隔。此外，根据本公开内容，用于加热沉积源的沉积材料的加热部分经配置有至少两个加热组件，所述至少两个加热组件能在多个喷嘴耦接的方向上来彼此耦接或分离，使得可促进沉积源的维护。因此，可按需要通过分离加热组件来降低安装沉积装置所需的维护成本。附图简单说明根据结合附图的下文的具体描述，本公开内容的上述和其他方面、特征和优点将变得明显，其中：图1为根据本公开内容的实施例的沉积装置的垂直横截面图；图2为根据本公开内容的另一实施例的沉积装置的垂直横截面图；图3为图1的沉积装置的沉积源的垂直横截面图；图4为沿图1的沉积装置的沉积源的I-I方向截取的横截面图；以及图5为示出图4的沉积源的配置的一部分的横截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图式描述本公开内容的实施例。图1为根据本公开内容的实施例的沉积装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积源，所述沉积源设置在工艺腔室内，所述工艺腔室用于蒸发沉积材料以便将所述沉积材料沉积在基板上，所述沉积源包括：扩散容器，所述扩散容器具有预定的长度并且在所述扩散容器中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散所述经蒸发的沉积材料，至少一个开口形成在所述扩散容器中；以及喷嘴部分，所述喷嘴部分耦接至所述扩散容器的所述开口并且包括沿着所述扩散容器的纵向方向设置的多个喷嘴，以便注入在所述扩散容器中扩散的所述沉积材料，其中假设所述扩散容器中的与所述喷嘴部分耦接的一部分相对的表面为底表面，所述多个喷嘴的中心与所述扩散容器的所述底表面的纵向中心线间隔开，并且所述多个喷嘴被设置成面向所述基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.23 KR 10-2017-00104821.一种沉积源，所述沉积源设置在工艺腔室内，所述工艺腔室用于蒸发沉积材料以便将所述沉积材料沉积在基板上，所述沉积源包括：扩散容器，所述扩散容器具有预定的长度并且在所述扩散容器中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散所述经蒸发的沉积材料，至少一个开口形成在所述扩散容器中；以及喷嘴部分，所述喷嘴部分耦接至所述扩散容器的所述开口并且包括沿着所述扩散容器的纵向方向设置的多个喷嘴，以便注入在所述扩散容器中扩散的所述沉积材料，其中假设所述扩散容器中的与所述喷嘴部分耦接的一部分相对的表面为底表面，所述多个喷嘴的中心与所述扩散容器的所述底表面的纵向中心线间隔开，并且所述多个喷嘴被设置成面向所述基板。2.如权利要求1所述的沉积源，进一步包括：沉积材料供应部分，所述沉积材料供应部分被配置成容纳所述沉积材料并且耦接至所述扩散容器的一侧，以便将所述沉积材料供应至所述扩散容器。3.如权利要求1所述的沉积源，进一步包括：加热部分，所述加热部分安装在所述扩散容器的外部，其中所述加热部分包括：加热器，所述加热器被配置成通过加热所述扩散容器从而加热被容纳在所述扩散容器中的所述沉积材料；以及热屏蔽部分，所述热屏蔽部分安装为环绕所述加热器以防止从所述加热器产生的热量向外发散。4.如权利要求3所述的沉积源，其中所述加热部分配置有至少两个加热组件，所述至少两个加热组件能在所述多个喷嘴耦接的方向上彼此耦接或分离。5.如权利要求3所述的沉积源，其中所述热屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹生贤，安成一，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US