用于图案化应用的选择性沉积的方案制造技术

本文描述相对于第二基板表面将膜选择性地沉积至第一基板表面上的方法。所述方法可包括以下步骤：在不保护电介质的情况下，将第二金属沉积于第一金属上；用交联的自组装单层保护所述金属；以及在所述金属受保护的同时，将第二电介质沉积电介质于第一电介质上。

Selective Deposition Scheme for Patterned Applications

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于图案化应用的选择性沉积的方案
本公开内容的实施例总的来说涉及选择性地沉积膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施例涉及使用自组装单层和可选的处理反应剂选择性地沉积膜的方法。
技术介绍
选择性沉积工艺正获得极大的动力，主要是因为需要用于半导体的图案化应用。传统上，已使用各种光刻和蚀刻工艺来完成微电子工业中的图案化。然而，由于光刻正以指数方式变得复杂和昂贵，所以使用选择性沉积来沉积特征正变得更有吸引力得多。选择性沉积的另一种潜在应用是缝隙填充。在缝隙填充中，填充膜从沟槽的底部朝向顶部选择性地生长。选择性沉积可被用于其他的应用，诸如选择性侧壁沉积(其中膜被生长在鳍片的侧边上)。这将实现沉积侧壁间隔件而不需要复杂的图案化步骤。因此，在本领域中需要先于不同表面将膜选择性地沉积至一个表面上的方法。
技术实现思路
本公开内容的一个或多个实施例涉及选择性沉积方法，所述方法包括以下步骤：提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面。将第二金属膜选择性地沉积于第一金属表面上，以形成第二金属表面。通过形成交联的自组装单层(cross-linkedself-assembledmonolayer)来钝化第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面；将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；通过形成交联的自组装单层来钝化所述第二金属表面以形成钝化层，所述交联的自组装单层包括在约5个至约20个的范围内的碳原子；将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上以形成第二电介质表面；以及从所述第二金属表面移除所述钝化层，其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述电介质表面不被钝化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.31 US 62/452,609;2018.01.26 US 15/880,6711.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面；将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；通过形成交联的自组装单层来钝化所述第二金属表面以形成钝化层，所述交联的自组装单层包括在约5个至约20个的范围内的碳原子；将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上以形成第二电介质表面；以及从所述第二金属表面移除所述钝化层，其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述电介质表面不被钝化。2.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：(a)提供基板，所述基板具有金属表面和电介质表面；(b)利用交联的自组装单层钝化所述金属表面以形成钝化层，其中钝化所述金属表面包括以下步骤：使所述金属表面暴露于化合物，所述化合物具有头部基团、碳链和尾部基团，所述化合物形成自组装单层，所述碳链具有在约5个至约20个的范围内的碳原子，且所述尾部基团包括疏水部分；(c)将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上，以形成第二电介质表面；(d)移除所述钝化层；(e)将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；以及(f)重复步骤(b)至步骤(e)，以生长所述第二电介质膜和所述第二金属膜，以形成预定厚度的第二电介质膜和预定厚度的第二金属膜，其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述电介质表面不被钝化。3.如权利要求1或2所述的方法，其中形成所述交联的自组装单层包括以下步骤：使所述基板暴露于SAM前驱物和交联工艺。4.如权利要求3所述的方法，其中所述SAM前驱物包括组合物，所述组合物具有头部基团和尾部基团。5.如权利要求4所述的方法，其中所述头部基团包括以下项中的一个或多个：甲硅烷基、磷酸基或硫醇基。6.如权利要求5所述的方法，其中所述SAM前驱物包括以下项中的一个或多个：其中A是所述头部基团。7.如权利要求4所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·巴斯，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US