本公开内容的实施方式大体上提供实现更高效和/或更均匀的冷却特性的磁控管构造以及用于形成磁控管的方法。所述磁控管包括一或多个导流结构，所述一或多个导流结构被设置在平行冷却鳍片之间。所述导流结构跨所述冷却鳍片的各表面引导气流，并且防止气流以...

本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的...

一种用于基板支撑组件的垫圈可以具有：顶表面，所述顶表面具有表面区域；和多个区，所述多个区一起限定所述顶表面的所述表面区域。所述多个区可以包括至少：a)第一区，所述第一区包括第一垫圈层堆叠，所述第一区具有在第一方向上的第一平均热导率，和b...

提供了半导体基板处理设备和方法。本文所述的实施例包括一种处理工具，所述处理工具包括被配置为用于处理压力的快速和稳定的变化。在一个实施例中，所述处理工具可以包括腔室主体。在一个实施例中，所述腔室主体是真空腔室。所述处理工具可以进一步包括吸...

在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实...

公开了一种用于半导体处理腔室的基板加热器，所述加热器包括：陶瓷主体；和电阻加热元件，所述电阻加热元件嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈的形式设置，所述加热器线圈具有内中心区段和外中心区段，所述内中心区段具有多个第一尖峰并且...

提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面...

提供了用于用非晶硅(a‑Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si‑OH)或氢封端的硅(Si‑H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si‑ON)或氮化物封端的硅(S...

一种增材制造设备包括：平台；分配器，用以在平台的顶表面上分配复数个进料层；和能量输送系统。能量输送系统包括：光源，用以发射光束；和反射构件，具有复数个反射小面。反射构件定位在光束的路径中，以接收光束并将光束朝向平台的顶表面重定向，以将能...

一种增材制造设备包括：平台；分配器，用以在平台的顶表面上分配复数个进料层；和能量输送组件。能量输送组件包括：光源，用以发射一个或多个光束；第一反射构件，具有复数个反射小面；和至少一个第二反射构件。第一反射构件是可旋转的，使得相继的小面沿...

提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相...

在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括...

一种在腔室中的工件上执行类金刚石碳沉积的方法，包括：将工件支撑在腔室中，其中所述工件面向从腔室的顶板悬吊的上电极；将烃气引入腔室中；以及以第一频率将第一RF功率施加至上电极，其在腔室中产生等离子体且在所述工件上产生类金刚石碳的沉积。施加...

本公开内容的各个方面总体上涉及用于支撑边缘环的载体和机械叶片。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体，载体包括板，第一多个插口，第二多个插口，第一弓形支撑结构，第二弓形支撑结构。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片，包括基部，两...

一种电子装置制造系统可包括装载机构。装载机构包括复数个气体管线加热器，用于向装载机构提供加热的气体以加热装载机构中被处理的基板。加热被处理的基板可减少装载机构中的腐蚀和装载机构中随后的基板污染。装载机构还可在装载机构壳体中包括复数个嵌入...

提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积...

本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个...

实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放...

本文所描述的实施方式包括一种模块化高频发射源，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块以及相位控制器。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块，以及施加器。在一个实施方式中，每个振荡器模块包括电压控制电路和电压控制振荡...

具有集成气体分配的模块化高频源。本文所描述的实施方式包括用于处理腔室的施加器框架。在一个实施方式中，施加器框架包含所述施加器框架的第一主表面以及与所述第一主表面相对的所述施加器框架的第二主表面。在一个实施方式中，施加器框架进一步包含通孔...