远程模块化高频源制造技术

本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，所述施加器定位在所述介电窗附近。

【技术实现步骤摘要】
远程模块化高频源
实施方式涉及高频发射源领域，并且在特定实施方式中，涉及用于远程等离子体处理工具中的模块化高频发射源。
技术介绍
使用高频辐射系统(包括在等离子体处理中使用)广泛地用于制造许多不同的技术，诸如在半导体工业、显示器技术、微机电系统(MEMS)等中的技术。目前，最常使用具有单个天线的射频(RF)产生等离子体。然而，在用较高频率(包括微波频率)产生等离子体的情况下，形成具有较高等离子体密度的等离子体和/或具有高浓度的激发的中性物质的等离子体。不幸地，由单个天线产生的高频辐射系统(例如，用于形成等离子体的高频辐射系统)具有它们自身的缺点。典型高频辐射系统(例如，用于形成微波等离子体的高频辐射系统)使用单一大型高频或微波辐射源(例如，磁控管)和用于从磁控管向处理腔室引导高频辐射的传输路径。例如，在半导体工业中的典型高功率微波应用中，传输路径是高频波导。使用波导是因为在被设计为携带特定频率的高频源的波导外部，高频功率随距离的增加而快速地衰减。也需要额外部件(诸如调谐器、耦接器、模式变换器和类似物)来将高频辐射传输到处理腔室。这些部件限制大型系统(即，至少与波导和相关联的部件的总和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理工具，包括：处理腔室；吸盘，所述吸盘用于支撑所述处理腔室中的基板；介电窗，所述介电窗形成所述处理腔室的一部分；和模块化高频发射源，所述模块化高频发射源包括：多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括：振荡器模块；放大模块，其中所述放大模块耦接到所述振荡器模块；和施加器，其中所述施加器耦接到所述放大模块，并且其中所述施加器定位在所述介电窗附近。

【技术特征摘要】
2018.04.20 US 15/958,4781.一种处理工具，包括：处理腔室；吸盘，所述吸盘用于支撑所述处理腔室中的基板；介电窗，所述介电窗形成所述处理腔室的一部分；和模块化高频发射源，所述模块化高频发射源包括：多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括：振荡器模块；放大模块，其中所述放大模块耦接到所述振荡器模块；和施加器，其中所述施加器耦接到所述放大模块，并且其中所述施加器定位在所述介电窗附近。2.如权利要求1所述的处理工具，其中所述施加器搁置在所述介电窗的表面上。3.如权利要求1所述的处理工具，其中所述施加器设置在形成于所述介电窗中的空腔中。4.如权利要求1所述的处理工具，其中所述施加器穿过所述介电窗。5.如权利要求1所述的处理工具，其中所述介电窗是非平面的。6.如权利要求5所述的处理工具，其中所述介电窗是圆顶形的。7.如权利要求1所述的处理工具，其中所述介电窗形成前室的一部分，所述前室流体地耦接到所述处理腔室。8.如权利要求1所述的处理工具，所述处理工具进一步包括：第一物理分离器，所述第一物理分离器将所述处理腔室的等离子体部分与所述处理腔室的主要处理部分分离。9.如权利要求8所述的处理工具，所述处理工具进一步包括第二物理分离器。10.如权利要求9所述的处理工具，其中所述第一物理分离器或所述第二物理分离器、或所述第一物理分离器和所述第二物理分离器连接到电源。11.如权利要求10所述的处理工具，其中所述电源包括RF电源、脉冲RF电源、DC电源或脉冲DC电源中的一个或多个。12.如权利要求8所述的处理工具，其中第一气体管线将第一气体或气体混合物供给到所述处理腔室的所述等离子体部分中，并且其中第二气体管线将第二气体或气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：汗赫·阮，蔡泰正，菲利普·艾伦·克劳斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US