本公开内容提供了一种用于在具有溅射靶材的真空沉积工艺中在基板上沉积材料的方法。所述方法包括在操作期间将溅射靶材的靶材温度提供为在期望靶材温度范围内，以调整所述溅射靶材的两个相邻靶材段的间隙的间隙宽度。

本实用新型公开了一种结合层结构。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中，可以将多孔...

公开了半导体处理系统。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定...

一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括：在基板上沉积交替的氧化物层和氮化物层；至少部分地将所述氮化物层做成凹处；和在所述氮化物层上形成SiGe纳米点。一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括：在基板上沉...

本公开内容一般地涉及将纯铝结晶层电沉积至铝合金制品的表面上的数种方法。所述方法可包括，将该制品与电极定位在电沉积溶液中。该电沉积溶液包括下述物质中的一或多种：铝卤化物、有机氯化物盐、铝还原剂、诸如腈化合物之类的溶剂、及碱金属卤化物。用惰...

本公开内容的实施例涉及用于将存在于半导体制造工艺的流出物中的F‑气体减量的系统及技术。在一个实施例中，提供了一种用于等离子体减量系统的水及氧输送系统。水及氧输送系统包含壳体，所述壳体包括底板及多个侧壁，所述底板及多个侧壁界定封围区域。水...

描述一种电荷控制设备，用于控制真空腔室中的基板上的电荷。所述设备包括光源、镜及镜支撑件。光源发射具有发散度的辐射束。镜被配置为反射辐射束，其中弯曲的镜的镜表面的曲率被配置为减小辐射束的发散度。镜支撑件被配置为可旋转地支撑弯曲的镜，其中镜...

一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所...

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀...

本文所述的实施方式包括谐振工艺监视器以及形成这种谐振工艺监视器的方法。在一个实施方式中，谐振工艺监视器包括框架，所述框架具有第一开口和第二开口。在一个实施方式中，谐振主体密封框架的第一开口。在一个实施方式中，在谐振主体的第一表面上的第一...

公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产...

提供了用于校正基板上的图案放置的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于校正基板上的图案放置的方法，包括：检测基板的三个参考点；检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关...

本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹...

本文提供基板传送系统的实施方式，所述基板传送系统能够加热和/或冷却移入和移出多个基板处理腔室的基板批量。本文还提供基板传送的方法，以及提供许多其他方面。

描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。

本发明的实施例一般涉及简化的、高电压钨卤素灯具，用于使用作为快速热处理(RTP)腔室或其它灯具加热热处理腔室中的热辐射源。实施例包括灯具设计，灯具设计包括外部的保险丝，同时减少现有技术灯具的费用与部件数量。另外，本文所述的灯具的实施例提...

一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系...

本公开内容一般地涉及用于在半导体器件上形成外延层的群集工具和方法。在一个实施方式中，群集工具包括传送腔室、耦接到传送腔室的预清洁腔室、耦接到传送腔室的等离子体清洁腔室、耦接到传送腔室的沉积腔室、耦接到传送腔室的蚀刻腔室及耦接到传送腔室的...

本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所...

本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在...