【技术实现步骤摘要】
平坦化的极紫外光刻坯料及其制造与光刻系统本申请是申请日为2014年3月12日、申请号为201480011357.8、名称为“平坦化的极紫外光刻坯料及其制造与光刻系统”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求享有于2013年3月12日提交的美国临时专利申请第61/778,335号的权益,通过引用将该申请的主题并入本文中。本申请包括与同时于2013年12月23日提交的美国专利申请第14/139,371号相关的主题,通过引用将该申请的主题并入本文中。本申请包括与同时于2013年12月23日提交的美国专利申请第14/139,415号相关的主题,通过引用将该申请的主题并入本文中。本申请包括与同时于2013年12月23日提交的美国专利申请第14/139,457号相关的主题,通过引用将该申请的主题并入本文中。本申请包括与同时于2013年12月23日提交的美国专利申请第14/139,507号相关的主题,通过引用将该申请的主题并入本文中。
本专利技术大体关于极紫外光刻坯料及用于该极紫外光刻坯料的制造与光刻系统。
技术介绍
极紫外光刻(EUV,也被称为软X-射线投影光刻(softx-rayprojectionlithography))是用以替代用于制造0.13微米及更小的最小特征尺寸的半导体器件的深紫外(deepultraviolet)光刻的竞争者。然而,通常在5纳米至40纳米波长范围内的极紫外光在实质上所有材料中被强烈吸收。由于这个原因,极紫外系统借助反射而非光的透射来工作。通过使用涂有非反射吸收剂掩模图案的掩模坯料或反射元件、及一系列镜、或透镜元件,图案 ...
【技术保护点】
1.一种整合的极紫外坯料生产系统,所述生产系统包括:真空腔室,所述真空腔室用于将基板放置在真空中;第一沉积系统,所述第一沉积系统用于沉积平坦化层于所述基板上,所述平坦化层具有平坦化的顶表面,通过沉积硅、氧化硅及具有相容的热膨胀系数的相关膜来形成所述平坦化层,并且所述平坦化层包括可流动化学气相沉积膜;以及第二沉积系统,所述第二沉积系统用于沉积多层堆叠物于所述平坦化层上,而不需将所述基板从所述真空移出。
【技术特征摘要】
2013.03.12 US 61/778,335;2013.12.23 US 14/139,3071.一种整合的极紫外坯料生产系统,所述生产系统包括:真空腔室,所述真空腔室用于将基板放置在真空中;第一沉积系统,所述第一沉积系统用于沉积平坦化层于所述基板上,所述平坦化层具有平坦化的顶表面,通过沉积硅、氧化硅及具有相容的热膨胀系数的相关膜来形成所述平坦化层,并且所述平坦化层包括可流动化学气相沉积膜;以及第二沉积系统,所述第二沉积系统用于沉积多层堆叠物于所述平坦化层上,而不需将所述基板从所述真空移出。2.如权利要求1所述的系统,其中所述第一沉积系统用于沉积包括所述可流动化学气相沉积膜的所述平坦化层,以形成所述平坦化层的所述平坦化的顶表面,所述顶表面比在所述平坦化层下的表面具有更大的平坦度。3.如权利要求1所述的系统,其中所述第一沉积系统用于沉积所述平坦化层,以填充在所述平坦化层的顶表面下的表面上的凹坑瑕疵,以提供所述平坦化层的光滑顶表面。4.如权利要求1所述的系统,其中所述第一沉积系统用于沉积所述平坦化层,以包封在所述平坦化层下的表面上的颗粒,以提供所述平坦化层的光滑顶表面。5.如权利要求1所述的系统,其中所述第一沉积系统用于沉积所述平坦化层,以填充在所述平坦化层下的表面中的凹坑,以提供所述平坦化层的光滑顶表面,所述凹坑具有从1:6至30:1的深宽比。6.如权利要求1所述的系统,其中沉积所述平坦化层的步骤在所述平坦化层下的表面上包封颗粒或使凸块变平整,以提供所述平坦化层的光滑顶表面,所述颗粒的高度从10nm至30nm。7.如权利要求1所述的系统,其中所述第一沉积系统用于沉积所述平坦化层,所述平坦化层被平坦化成具有0.5nmRMS以下的表面光滑度。8.如权利要求1所述的系统,其中所述第二沉积系统用于沉积所述多层堆叠物于所述平坦化层之上,以形成极紫外掩模坯料。9.如权利要求1所述的系统,其中所述第二沉积系统用于沉积所述多层堆叠物于所述平坦化层上,以形成极紫外线镜。10.一种极紫外光刻系统,所述光刻系统包括:极紫外光源,所述极紫外光源诸如是等离子体源;极紫外线镜,所述极紫外线镜用于引导来自所述极紫外光源的光;中间掩模台,所述中间掩模台用于放置极紫外掩模坯料,所述极紫外掩模坯料用于接收来自所述极紫外线镜的极紫外光,所述极紫外掩模坯料包括平坦化层,通过沉积硅、氧化硅及具有相容的热膨胀系数的相关膜来形成所述平坦化层,所述平坦化层包括可流动化学气相沉积膜;以及晶片台,所述晶片台用于放置晶片。11.如权利要求10所述的系统,其中所述可流动化学气相沉积膜比在所述平坦化层下的表面具有更大的平坦度。12.如权利要求10所述的系统,其中所述极紫外掩模坯料具有所述平坦化层,所述平坦化层用以填充在所述平坦化层的顶表面下的表面上的凹坑瑕疵,以提供所述平坦化层的光滑顶表面。13.如权利要求10所述的系统,其中所述极紫外掩模坯料具有所述平坦化层,所述平坦化层...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡拉·比斯利,拉尔夫·霍夫曼,马耶德·A·福阿德,蒂莫西·米凯尔松,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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