提供了一种用于使存在于半导体制造工艺的流出物中的N2O气体减量的方法。该方法包括将氢气和/或氨气注入等离子体源(100)中、以及激发含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气并且使含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气反应以形成减量材料。通过使...

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间...

处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。

本文描述了一种处理基板(10)的方法。所述方法包括使用夹持装置(120)将基板(10)吸引到基板载体(100)的支撑表面(102)；将掩模(20)布置在基板(10)的前面；从支撑表面(102)部分地释放基板(10)；以及在基板(10)上...

干燥半导体基板的方法可包括施加干燥剂至半导体基板，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂的液相从半导...

本公开内容描述了用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置包括至少一个材料沉积源，所述至少一个材料沉积源具有：坩埚(110)，所述坩埚(110)被配置成蒸发材料；分配组件(120)，所述分配组件(12...

一种制造制品的方法，包括：提供体；以及以陶瓷涂层涂覆所述体的至少一个表面，所述陶瓷涂层包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在从约0摩尔％到约55摩尔％的范围内的ZrO2、以及在从约0摩尔％到约10摩尔％的范围内的A...

本实用新型公开了用于基板处理部件的金属陶瓷钎焊接头，所述钎焊接头包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体中有凹槽；共形层，设置在所述凹槽上；杆，有一部分设置在所述凹槽内；第一层，包括设置在所述凹槽内的网状物；第二层，包括接近所述第一层设置的钎焊材料...

公开了基板支撑组件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积...

提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来...

根据本公开的一个方面，描述一种用于处理基板(10)的方法和设备，所述基板例如显示元件。所述基板具有电绝缘背侧(12)和与所述电绝缘背侧相对的前侧(14)。所述方法包括：用导电层(20)涂布所述电绝缘背侧(12)，以提供导电背侧(22)；...

存储第一电阻率值和将具有所述第一电阻率值的导电层的厚度与来自原位监测系统的信号相关的相关函数。接收基板上的导电层的第二电阻率值。在抛光期间，从监测所述基板的原位电磁感应监测系统接收取决于所述导电层的厚度的信号值序列。基于所述信号值序列和...

用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。

在此描述一种阻挡层系统(100)，适用于使用在光电装置中。所述阻挡层系统包含：柔性基板(101)；第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)，其中第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)构造成具有对于水/氧渗透的阻挡性质。此外，所述阻...

在基板的抛光期间，从第一原位监测系统接收第一信号，并从第二原位监测系统接收第二信号。基于第一信号来确定其中导电层被清除且基板的下层介电层的顶表面被暴露的清除时刻。确定经确定的清除时刻的第二信号的初始值。将偏移和初始值相加以生成阈值，且在...

实施方式包括用于在沉积腔室中的基板上形成氮化硅膜的方法。在实施方式中，将基板顺序地暴露于一序列的处理气体，包括：卤化硅前驱物，所述卤化硅前驱物吸附到所述基板的表面上以形成吸附的卤化硅层；第一反应气体，所述第一反应气体包括N2以及Ar和H...

在一个实施方式中，提供了腔室，所述腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和所述盖限定内部容积；框架，所述框架在所述内部容积内，所述框架被设定尺寸以接收在第一取向上的多个衬底；以及旋转驱动组件，所述旋转驱动组件耦接到所述框架以用于旋转所述框...

本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所...

提供了一种溅射沉积设备。所述溅射沉积设备包括：多个阴极组件，所述多个阴极组件被配置为用于在溅射沉积工艺中溅射靶材材料，其中所述多个阴极组件中的每个包括可旋转的靶材和布置在所述可旋转的靶材中的磁体组件，其中所述多个阴极组件包括最外阴极组件...

描述一种适用于在触控屏幕面板中使用的硬涂层系统(100)。硬涂层系统(100)包括柔性基板(101)及设置于柔性基板(101)上的层堆叠物(110)。层堆叠物(110)包括粘附促进层(111)及无机硬涂顶层(113)，粘附促进层设置于柔...