此处提供用于处理腔室的处理配件和用于处理基板的方法的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件，包括：非导电上部屏蔽件，具有配置成环绕溅射靶材的上部分和从上部分向下延伸的下部分；和导电下部屏蔽件，由非导电上部屏蔽件径向向外设置，且具有圆柱...

本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述...

形成触点线的方法包括清洁在沟槽中的钴膜的表面及在此钴的表面上形成保护层，此保护层包括硅化物或锗化物中的一或多种。也公开了具有触点线的半导体装置。

描述对准载体、特别是掩模载体的方法。根据实施方式，所述方法包括：在运输方向(T)上运输载体(110)；将对准组件(150)的第一对准元件(152)插入所述载体的第二对准元件中，或将所述载体的第二对准元件插入对准组件(150)的第一对准元...

提供了一种具有原位粒子检测器的FI和一种用于在所述FI中的粒子检测的方法。在一个方面中，所述FI包括：风扇、基板支撑件、粒子检测器、和排气出口。风扇、基板支撑件和粒子检测器经布置以使得：在操作中，所述风扇将空气引导朝向所述排气出口并将所...

本案提供的实施方式提供用于检测、认证、及追踪处理部件的方法及装置，处理部件包括用在电子器件制造(诸如半导体芯片制造)的基板处理系统上的可消耗部件或非可消耗部件。本案中的半导体处理系统及/或半导体处理系统的处理部件包括远程通信器件(诸如无...

在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm

本公开的实施例整体涉及一种挡板阀。所述挡板阀可以与处理腔室(诸如，半导体基板处理腔室)一起使用。在一个实施例中，一种挡板阀包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体的第一端处的第一开口和在所述壳体的第二端处的第二开口；第一挡板，所述第一挡板可枢...

本公开内容涉及沉积聚合物层的方法，包括：提供基板至热丝化学气相沉积(HWCVD)腔室中的基板支撑件，基板具有传感器结构设置于基板上；提供包括起始剂气体与单体气体与载气的处理气体至HWCVD腔室；加热设置于HWCVD腔室中的多个细丝至足以...

一种方法包括非接触地悬浮基板布置(210)。基板布置(210)包括基板(10)。方法包括非接触地悬浮掩模布置(220)。掩模布置(220)包括用于掩蔽基板(10)的掩蔽装置(20)。方法包括使基板布置(210)和掩模布置(220)相对于...

本文公开具有硬掩模的基板载体设备。在一些实施方式中，基板载体设备包括：载体主体，具有支撑基板的支撑表面；和掩模组件，设置在所述支撑表面上方。所述掩模组件包括：环形框架，设置在所述支撑表面顶上；和硬掩模，在所述支撑表面上方耦接到所述环形框...

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微...

一种具有多层等离子体侵蚀保护的制品。该制品包括主体，所述主体包括表面和所述主体中的多个高深宽比特征，所述多个高深宽比特征具有约1:1至约300:1的深宽比。该制品还包括在所述表面上和所述多个高深宽比特征的壁上的保形的第一抗等离子体层，所...

公开了一种用于半导体处理腔室的加热器，所述加热器包括：陶瓷主体；和电阻加热元件，所述电阻加热元件嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈的形式设置，所述加热器线圈具有内中心区段和外中心区段，所述内中心区段具有多个第一尖峰并且所述...

描述了一种用于蒸发源材料的沉积源组件、一种包括沉积源组件的装置及一种以沉积源组件蒸发源材料的方法。此沉积源组件包括：主体，包括源材料储存器及分配管组件，分配管组件用于以第一方向及与第一方向相反的第二方向引导气态源材料。

本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离...

一种用于涂覆在用于等离子体蚀刻的半导体制造腔室中使用的部件的方法包括以下步骤：提供用于半导体制造腔室中的部件；将所述部件加载到沉积腔室中；将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层；以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。

一种用于涂覆在用于等离子体蚀刻的半导体制造腔室中使用的部件的方法包括以下步骤：提供用于半导体制造腔室中的部件；将所述部件加载到沉积腔室中；将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层；以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。

一种用于以冷却板冷却气体分配组件的设备和方法。冷却板具有主体，该主体具有顶表面、外周、中心、内部区域和外部区域。穿过顶表面形成的多个通道。多个通道具有第一外部通道和第一内部通道，该第一外部通道具有一个或更多个第一外部通道区段，该第一外部...

本公开内容一般涉及光场显示器和用光场阵列显示图像的方法。在一个示例中，本公开内容涉及用于光场显示器的像素布置。每个像素包括多个LED，诸如微LED，所述多个LED与每个像素的相应微透镜相邻地定位。