本公开内容的实施方式涉及用于在基板中形成结构的改良方法。在一个实现方式中，所述方法包括下列步骤：在基板中形成凹部；在基板的暴露表面和凹部的暴露表面上形成阻挡层；在阻挡层上形成中间层；在中间层上形成金属填充层并过度填充(overfill)...

本文所述的实现方式提供包括密封带的基板支撑组件。密封带保护设置在静电吸盘(ESC)与基板支撑组件的冷却板之间的接合层。在一个示例中，基板支撑组件包括静电吸盘和冷却板。接合层将静电吸盘的底表面固定于冷却板的顶表面。接合层具有粘合层和密封带...

一种控制基板的处理的方法包括以下步骤：基于来自原位监测系统的信号，分别地产生指示在基板上的参考区域的物理性质的表征值的第一序列和指示在基板上的控制区域的物理性质的表征值的第二序列。分别地从表征值的第一序列和表征值的第二序列中确定参考区域...

各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。...

本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处...

根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于溅射沉积源的磁体布置(100)。所述磁体布置包括第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料...

描述一种用于真空密封的锁定阀(100)。锁定阀(100)包括：具有阀开口(111)的基座结构(110)、用于打开和关闭阀开口(111)的机构(120)、以及连接机构(120)与基座结构(110)的两个或更多个连接元件(130)。两个或更...

描述用于将在群集工具的相邻的处理腔室之间的电磁干扰最小化的方法和设备。基于主处理腔室的电磁工艺窗口、第一相邻的处理腔室和可选择的第二相邻的处理腔室的电磁窗口来控制主配方的开始时间。控制主处理腔室的开始时间以避免主腔室的电磁窗口与相邻的腔...

本公开涉及一种用于清洁真空腔室的系统。所述系统包括真空腔室和压缩机。真空腔室包括入口和出口。压缩机包括连接到出口的入口侧和连接到入口的出口侧。

描述了一种用于在真空沉积腔室中在基板上沉积材料的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括：第一沉积源，所述第一沉积源具有一个或多个第一开口；第二沉积源，所述第二沉积源具有一个或多个第二开口；和挡板布置，所述挡板布置具有至少第一挡板，所述第一挡...

描述一种用于在处理腔室中进行沉积期间掩蔽基板的掩模布置(100)。所述掩模布置(100)包括：掩模框架(110)，用于保持掩模(115)；和掩模载体(120)，用于保持所述掩模框架(110)，其中所述掩模框架(110)由顺应性支撑件(1...

一种方法包括使掩模组件(200)非接触地悬浮。所述掩模组件包括载体(210)和由所述载体支持的掩蔽装置(20)。所述方法包括在使掩模组件非接触地悬浮时控制载体的形状。

本公开内容涉及基板传送装置和基板处理装置。本文提供用于处理基板的方法和装置。在一个实施方式中，装置包括耦接至传送腔室的装载锁定腔室。传送腔室耦接至热处理腔室，并且基板在装载锁定腔室、传送腔室和热处理腔室中的各个之间传送。在其他实施方式中...

一种用于沿着基板运输方向真空处理一个或多个基板的真空处理系统，所述真空处理系统包括第一基板搬运腔室；分隔件，所述分隔件将所述第一基板搬运腔室划分成包括第一轨道的第一子腔室和包括第二轨道的第二子腔室，所述第二子腔室相对于所述基板运输方向布...

本公开内容涉及一种等离子体处理腔室，以及一种用于等离子体处理腔室的环。本实用新型一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体...

描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形...

描述了一种用于制造偏振器设备的方法。所述方法包括：形成图案化抗蚀剂结构，所述图案化抗蚀剂结构具有线，所述线带有一个顶表面和两个或更多个侧表面；在所述图案化抗蚀剂结构上沉积导电材料，其中所述导电材料提供在所述顶表面和所述两个或更多个侧表面...

描述一种搬运掩模器件的方法。根据实施方式，所述方法包括：将所述掩模器件装载在用于保持掩模器件的保持布置上；将所述保持布置从第一状态移动到第二状态，所述第二状态为非水平状态；使所述保持布置与掩模载体对准；以及将所述掩模器件从所述保持布置传...

描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。

一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表面不共面；以及将第一层的材料沉...