According to one aspect of the disclosure, a magnet arrangement (100) for a sputtering deposition source is provided. The magnet arrangement includes a first magnet (110) and a second magnet (120), the first magnet (110) and the second magnet (120) adapted to confine plasma to the plasma confinement region (150), and at least one field influence element (115) comprising magnetizable material, the at least one field influence element (115) adapted to realize that the plasma confinement region faces the at least one field effect. Local displacement of components. According to the second aspect, a magnetron sputtering deposition source (400) with a magnet arrangement and a method for depositing films on a substrate using a magnetron sputtering deposition source including a magnet arrangement are provided.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于溅射沉积源和磁控溅射沉积源的磁体布置
本公开内容涉及一种用于溅射沉积源的磁体布置。本公开内容进一步涉及一种用于在基板上沉积薄膜的磁控溅射沉积源，以及涉及一种使用磁控溅射沉积源在基板上沉积薄膜的方法。更具体地，本公开内容涉及一种磁体布置，所述磁体布置被配置用于磁控溅射，并且具体地配置用于包括可旋转靶的旋转靶组件。
技术介绍
在基板上形成具有高度层均匀性的薄层是许多
中的相关问题。例如，在薄膜晶体管(TFT)领域中，一个或多个沉积层的厚度均匀性和电特性均匀性可能对于可靠地制造显示通道区域是成问题的。一种用于在基板上形成层的方法是溅射，溅射已被开发为不同的制造领域(例如在TFT的制造中)的一种有价值的方法。在溅射期间，通过用等离子体的高能粒子(例如，惰性或反应性气体的激发离子)轰击溅射靶材料，而从所述溅射靶材料喷射出原子。喷射的原子可以沉积在基板上，使得可以在基板上形成溅射材料层。在磁控溅射沉积源中，磁体布置通常布置在溅射靶的靶材料后面。由磁体布置产生的磁场可以适合于将等离子体限制在与溅射靶的溅射表面相邻的等离子体限制区域中。在等离子体限制区域内的溅射气体的电...
【技术保护点】
1.一种用于溅射沉积源的磁体布置(100、200、300)，所述磁体布置包括：第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115)，所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域(150)朝向所述至少一个场影响元件(115)的局部位移。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于溅射沉积源的磁体布置(100、200、300)，所述磁体布置包括：第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115)，所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域(150)朝向所述至少一个场影响元件(115)的局部位移。2.根据权利要求1所述的磁体布置，其中所述可磁化材料是软磁材料，特别地是包括铁和钢中的至少一者的材料。3.根据权利要求1或2所述的磁体布置，其中所述至少一个场影响元件(115)是金属板，特别地是钢板。4.根据权利要求3所述的磁体布置，其中所述金属板的厚度为1mm或更大且5mm或更小，特别地其中所述金属板的厚度为约3mm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁体布置，其中所述至少一个场影响元件(115)附接到所述第一磁体(110)或所述第二磁体(120)。6.根据权利要求5所述的磁体布置，其中所述至少一个场影响元件(115)从所述第一磁体(110)的北极延伸到所述第一磁体(110)的南极，或从所述第二磁体(120)的北极延伸到所述第二磁体(120)的南极。7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁体布置，其中所述至少一个场影响元件(115)被配置为磁分路，所述磁分路连接所述磁体布置的两个具有相反极性的点。8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁体布置，其中提供多个场影响元件(115)，所述多个场影响元件包括第一场影响元件(215)，所述第一场影响元件(215)布置成与所述第一磁体(110)相邻以用于分别实现所述等离子体限制区域(150)朝向所述第一磁体(110)的局部位移；和/或第二场影响元件(225)，所述第二场影响元件(225)用于分别实现所述等离子体限制区域(150)朝向所述第二磁体(120)的局部位移。9.根据权利要求8所述的磁体布置，其中所述第一磁体(110)是在所述磁体布置的长度方向(L)上线性延伸的内磁体，并且其中所述第二磁体(120)是沿着闭合路径，特别是沿着矩形路径围绕所述第一磁体(110...
【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·勒普，马库斯·哈尼卡，朴炫灿，安德烈亚斯·克洛佩尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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