本公开的实现大体处理基板的方法，且更具体地，涉及用于预测、量化及修正处理偏移的方法。在一个实现中，所述方法包括在处理腔室内执行实验设计(DOE)，以针对与处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性；使用...

说明了使用加热器元件阵列对基板载具进行温度测量。在一个示例中，一种方法包含：测量静电吸盘中多个加热元件中的每一个的第一结合电流负载；改变所述多个加热元件中的第一加热元件的电力状态；在改变所述第一加热元件的所述电力状态之后，测量所述多个加...

本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所...

本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔...

本公开的实施例涉及使用在等离子体处理腔室中的等离子体屏，此等离子体屏具有改进的流导与均匀性。一个实施例提供一种等离子体屏。等离子体屏包含圆形板，圆形板具有中心开口与外径。形成穿过圆形板的多个切口。多个切口被布置于两个或更多个同心圆中。每...

本文描述具有可充气狭缝阀开口密封件的真空腔室。在一个示例中，一种真空腔室包括腔室主体、第一可充气密封件和第一狭缝阀门。所述腔室主体具有顶部、底部和侧壁。第一狭缝阀开口形成在所述侧壁中。所述第一可充气密封件密封地耦接至所述侧壁并包围所述第...

本文所述的实施方式总体涉及一种基板处理腔室，并且更具体地涉及一种用于监测所述基板处理腔室的清洁处理的设备和方法。处理器从设置在基板处理腔室中的一个或多个传感器接收一个或多个温度读数。所述处理器从所述一个或多个温度读数确定每个温度读数的峰...

一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处...

一种抛光系统包括：工作台，所述工作台具有顶表面；环形抛光垫，所述环形抛光垫被支撑于所述工作台上；承载头，所述承载头用于保持基板与环形抛光垫的接触；支撑结构，其中承载头悬挂于所述支撑结构，所述支撑结构经配置以移动并保持所述承载头横跨所述抛...

本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约7...

一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。

于此披露了用于支撑基板的设备的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的设备包括：支撑表面；和多个基板接触元件，所述多个基板接触元件从所述支撑表面突出，其中所述多个基板接触元件由一材料形成，所述材料具有小于或等于硅的硬度的硬度，具有低附...

本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流...

本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中...

本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述...

提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在...

本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中，处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面，其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分，以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构，每个所述至少...

于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及...

在此提供处理配件屏蔽件和含有处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸。