应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6595项专利

  • 实施方式包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶片制造处理的操作的装置与方法。在实施方式中,用于颗粒检测的颗粒监测装置包括安装在晶片基板上的数个电容式微传感器,以在所有压力状况下检测颗粒,例如在真空条件下。在实施方式中,一或更多个...
  • 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法,所述方法包括以下步骤:使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤:在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等...
  • 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法,在一个实现中,在种晶层上形成所述金属层,并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积...
  • 本发明描述了一种使用非直视性(non‑line‑of‑sight;NLOS)沉积工艺在腔室部件的表面上沉积耐等离子体陶瓷涂层的方法,所述非直视性沉积工艺为诸如原子层沉积(atomic layer deposition;ALD)和化学气相...
  • 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件,所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极,电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述...
  • 本文描述的实施方式涉及用于进行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和设备。本文描述的设备的实施方式包括界定处理容积的腔室主体。电极可被设置为与处理容积相邻,并且经由多个流体导管而将处理流体提供到处理容积以促进浸没场引导的曝光后烘烤工艺。亦提...
  • 描述一种用于使用层堆叠涂覆柔性基板(10)的沉积设备(100)。所述沉积设备包含:第一卷筒腔室(110),容纳用于提供柔性基板的存储卷筒;沉积腔室(120),布置在第一卷筒腔室的下游,并且包含用于引导柔性基板经过多个沉积单元(121)的...
  • 金属配位络合物,包含配位至至少一个氮杂‑烯丙基配体的金属原子,所述配体具有由下式表示的结构:
  • 本发明描述包括间隔开的上臂的机器人。机器人包括可环绕肩部轴线旋转的第一上臂与第二上臂,其中第二上臂与第一上臂间隔开。其他机器人部件(第一前臂与第二前臂、第一腕部构件与第二腕部构件、及第一终端受动器与第二终端受动器)交错位于第一上臂与第二...
  • 描述了校正机器人(例如双叶式机器人)中的叶片的位置未对准的方法。在一个或多个实施方式中,所述方法包括:机器人,包括:可移动臂和附接至所述可移动臂中的一者的终端受动器;标志,设置在所述可移动臂中的一者上或所述终端受动器上;腔室,适于受所述...
  • 一种用于化学机械抛光的装置,包括:可旋转平台,具有用以支撑抛光垫的表面;载体头,用以将基板保持与所述抛光垫接触;以及抛光液分布系统。所述抛光液分布系统包括:分配器,被定位为向所述抛光垫的抛光面的一部分递送抛光液,以及第一屏障,定位在所述...
  • 提供一种闭合装置(100,200),特别是用于闭合真空腔室的开口。闭合装置包括:凸缘(110),设于真空腔室并包括开口(112);阻挡装置(120,220),经构造以闭合开口(112);第一磁性装置(130),经构造以在凸缘(110)与...
  • 提供用于封装设置于基板上的OLED结构的方法,所述方法使用柔软/聚合物掩模技术。与传统的硬掩模的图案化技术相比,所述柔软/聚合物掩模技术可有效地提供简单且低成本的OLED封装方法。所述柔软/聚合物掩模技术可使用单一聚合物掩模来低成本地完...
  • 于此提供升降销组件的实施方式。在一些实施方式中,升降销组件包含:伸长底座,由第一材料所形成,并具有形成在底座的远端中的第一特征结构,以与尖端接合并可移除地支撑尖端;及尖端,由不同于第一材料的第二材料所形成,并在尖端的第一侧及尖端的相对第...
  • 用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括:使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的...
  • 本文描述了用于处理基板的方法及设备。真空多腔室沉积工具可包括具有加热机构及变频微波源两者的脱气腔室。本文所述的方法使用变频微波辐射以在不损害各部件的情况下提高脱气工艺的质量及速度。
  • 本文提供基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中,基板支撑件包含:第一板,用以支撑基板,第一板的背侧上具有多个净化气体通道;第二板,设置于第一板下方并支撑第一板;及边缘环,环绕第一板并设置于第二板上方,其中多个净化气体通道从第一板的中央部...
  • 本公开内容提供一种用于在真空沉积工艺中在基板上进行材料沉积的设备。所述设备包括:靶材支撑件;两个或更多个靶材分段,所述两个或更多个靶材分段由所述靶材支撑件支撑,其中在所述两个或更多个靶材分段的相邻靶材分段之间设有第一间隙;和两个或更多个...
  • 描述一种用于使用层堆叠涂覆柔性基板(10)的沉积设备(100)。所述沉积设备包含:第一卷筒腔室(110),容纳用于提供柔性基板的存储卷筒;沉积腔室(120),布置在第一卷筒腔室的下游,并且包含用于引导柔性基板经过多个沉积单元(121)的...
  • 本文提供用于使用在基板处理系统中的靶材组件。在一些实施例中,用于使用在基板处理系统中的一种靶材组件可包括:源材料,所述源材料将沉积于基板上;第一背板,所述第一背板被配置成用来将所述源材料支撑在所述第一背板的正面上,使得所述源材料的前表面...