一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相...

本文描述的实施方式通常关于一种处理腔室，其具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧...

本文公开了一种在等离子体处理系统中使用的处理配件环。处理配件环包括环状主体及一或多个中空内部腔体。环状主体由耐等离子体材料形成。环状主体具有大于200mm的外部直径。环状主体包括顶表面及底表面。顶表面配置成面向处理腔室的等离子体处理区域...

质量流验证系统与设备可依据扼流原理而验证质量流控制器(MFC)的质量流速率。这些系统与设备可以包括并联耦接的多个不同尺寸的流量限制器。可以经由依据MFC的设定点而选择通过流量限制器中的一个的流动路径以验证各种流动速率。可以经由在扼流条件...

本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系...

描述一种用于向处理腔室供应气体的设备和方法。设备包括入口管线和出口管线，它们各自有两个阀，与安瓿流体连通。旁通管线连接最靠近安瓿的入口阀和出口阀。设备和使用方法允许从处理腔室的输送管线中去除前驱物残余物。

描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。

根据本公开的一个方面，提供一种用于处理柔性基板(10)的处理系统(100)。所述处理系统包括：真空腔室(11)；传送系统，配置以沿基板传送路径(P)导引柔性基板(10)通过真空腔室(11)，其中传送系统包括第一基板支撑件(22)及相隔第...

本文描述用于控制处理腔室内的基板的处理的方法、设备和系统。在一些实施方式中，控制处理腔室内的基板处理的方法包括以下步骤：确定处理腔室中的可移动磁控管相对于基板的表面上的参考位置的位置和基于所确定的磁控管的位置来调节影响基板处理的至少一个...

在一个实施方案中，提供一种溅射喷淋头组件。所述溅射喷淋头组件包含面板，所述面板包含溅射表面以及与所述溅射表面相对的第二表面，所述溅射表面包含靶材料，其中多个气体通道从所述溅射表面延伸到所述第二表面。溅射喷淋头组件进一步包含定位成与所述面...

提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置...

描述一种用层堆叠结构涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。所述沉积设备包含：第一卷筒腔室(110)，配置用于容纳存储卷筒，所述存储卷筒用于提供柔性基板；第一沉积腔室(120)，布置在第一卷筒腔室下游并且包含第一涂布滚筒(122)，所...

本公开内容提供了一种用于在真空沉积工艺中保持基板(10)或掩模的设备(100)。所述设备(100)包括：一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，可连接到第一电源组件(230)；和一个或多个第三电极，布置在所述一个或多个第一电极与所述一个...

一种保持环，包括大致环形主体，所述大致环形主体具有内部表面和底部表面，所述内部表面用于束缚基板，所述底部表面具有多个通道和多个岛状部，多个通道从外部表面延伸至内部表面，并且多个岛状部由通道分开且提供接触面积以接触抛光垫，其中接触面积是底...

本文描述用于形成具有改进的抗迁移性质的铜种晶层的方法。在一个实施方式中，一种方法包括：在特征中形成第一铜层；在特征中的第一铜层上形成钌层，和在特征中的钌层上形成第二铜层。钌层实质上将在其下方的铜层锁定在特征中的适当位置中，从而防止其大量...

描述了包含具有带多个凹陷的顶表面和底表面的基座的基座组件。加热器位于基座下方以加热基座。屏蔽件位于基座的底表面和加热器之间。屏蔽件增加跨基座的沉积均匀性。

一种增材制造以形成部件的方法包括连续沉积多个层，从而形成部件。沉积多个层中的至少一个层包括：将第一微粒状前驱物的层沉积于压板上方；将第二微粒状前驱物沉积于压板的由控制器指定的部分上而位于第一微粒状前驱物的层上方；和将能量引导到沉积在压板...

提供一种经配置以用于密封真空处理系统(200)中的开口的门(100)。门(100)包括：可移动的构件(110)；和柔性的闭合件(120)，配置为可从打开位置移动到关闭位置，其中柔性的闭合件(120)经配置以在关闭位置中提供真空密封。

本文描述的实施方式大体涉及低熔融温度金属或合金金属的沉积和处理。更具体而言，本文所述的实施方式涉及用于针对印刷电子器件和电化学元件的低熔融温度金属或合金金属沉积和处理的方法和系统。在另一实施方式中，提供一种方法。所述方法包括：将熔融金属...

用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；和固化所述可流动膜以使膜凝固。可使用更高价的硅烷和等离子体形成所述可流动膜。可使用UV固化或其它固化来凝固所述可流动膜。