系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系...

本发明涉及一种基板处理装置，该基板处理装置用于在处理腔室(10)中垂直地传送其上放置有基板(S)的载体(100)的同时执行基板处理，并且所提供的基板处理装置包括：线性移动导向单元(300)，该线性移动导向单元(300)安装在处理腔室(1...

本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过...

本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包...

本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈...

公开了一种用于处理腔室的腔室部件。腔室部件包括：由金属或陶瓷中的至少一种构成的制品；以及在所述制品的至少一个表面上的钇基氧氟化物层，所述钇基氧氟化物层具有10nm至300μm的厚度，并且其中所述钇基氧氟化物层具有选自由以下构成的组的成分...

根据实施方式，提供用于涂布基板的设备。设备包括真空工艺腔室。真空工艺腔室包括气体入口组件和溅射组件。气体入口组件包括连接至一个或多个工艺气体源的至少一个连接器。溅射组件包括溅射源。溅射组件在真空工艺腔室中是可移动的。设备进一步包括控制器...

根据实施方式，提供在真空处理腔室中涂布基板的设备。设备包含真空处理腔室。所述真空处理腔室包含溅射组件。所述溅射组件包含溅射源。所述溅射组件可以相对于所述真空处理腔室的平移运动的方式移动。设备包含功率源用于向所述溅射源施加功率。设备进一步...

本公开内容的实施方式总体涉及基板的化学机械抛光(CMP)。在一个实施方式中，本文公开了用于CMP设备的承载头。承载头包括主体、支撑环和传感器组件。支撑环耦接至主体。传感器组件至少部分地定位于主体中。传感器组件包括发射器、天线和振动传感器...

一种用于在真空涂布工艺中处理若干掩模的方法。每个掩模被配置为在涂布工艺中使用预定涂布应用时间。方法包括：提供若干匣盒，每个匣盒具有若干掩模狭槽；和根据每个掩模的涂布应用时间，将所述若干掩模分类成至少两个群集群组。方法进一步包括：将所述至...

描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。

本文描述包含工厂接口环境控制的电子器件处理系统。一个电子器件处理系统具有工厂接口，所述工厂接口具有工厂接口腔室、与所述工厂接口耦接的装载锁定装置、与所述工厂接口耦接的一个或更多个基板载具及与所述工厂接口耦接的环境控制系统，且所述环境控制...

可以用臭氧气体或用去离子水和臭氧气体处理基板上的聚合物层，以提高在化学机械抛光(CMP)工艺中所述聚合物层的去除速率。所述臭氧气体可以直接地扩散到所述聚合物层中或穿过所述聚合物层的表面上的去离子水薄层扩散到所述聚合物层中。还可以在所述工...

提供了一种用于溅射沉积的沉积源和溅射装置，其中沉积源包括：至少一个可旋转阴极(30)；RF功率布置(20)；以及功率输送组件(40、140)，将所述RF功率布置与所述可旋转阴极连接，其中所述功率输送组件包括第一电源连接器(42、142、...

本文描述一种静电吸盘及其使用方法。在一个示例中，提供了一种静电吸盘，所述静电吸盘包括多个可独立替换的静电吸盘组件，所述多个可独立替换的静电吸盘组件安装在横跨吸盘主体的阵列中。所述静电吸盘组件限定适于支撑大面积基板的基板支撑表面。所述多个...

本发明涉及用于制造静电卡盘的方法，该静电卡盘包括：金属材料的基部构件(330)；以及介电层(200)，该介电层(200)形成于基部构件(330)的上表面上，所述介电层(200)包括电极层(340)，DC功率被施加至该电极层(340)的内...

提供一种磁悬浮系统。所述磁悬浮系统包括：基部结构(110)；载体(120)，可相对于所述基部结构(110)移动；和至少一个主动磁性轴承(112)，经构造以将所述载体(120)非接触地保持在所述基部结构(110)处。所述载体(120)包括...

本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，...

实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的...

描述了具有可独立控制的加热器元件阵列的基板载具。在一个示例中，一种设备包括：基板载具，所述基板载具用于承载基板以供处理；多个电阻式加热元件，所述多个电阻式加热元件位于载具中，用于通过加热载具来加热基板；电源，所述电源用于供应电力至加热元...