用于鉴定半导体清洁溶液中的污染物的方法及设备，包括：使半导体清洁溶液接触半导体制造部件以形成含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液；使该含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一种或多种待测分析...

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例...

处理方法包括在基板表面上和在表面特征中沉积膜，通过化学平面化从所述基板表面移除所述膜，而留下在所述特征中的所述膜。使柱从所述膜生长，使得所述柱垂直于基板表面生长。

描述了一种将错误指派至处理腔室的方法。一些实施例包括：将射频(RF)信号施加至处理腔室，以在所述腔室中激发共振；测量所述腔室中的所施加的RF信号的共振；从所测量的共振提取指纹；将所提取的指纹与指纹库作比较；将相似性指数指派至所提取的指纹...

一种电子装置制造系统，包括具有装载端口的工厂接口。装载端口可包括面板及载体门开启器，该面板在其中具有开口，且该载体门开启器在门关闭的时候密封该开口。载体门开启器可具有沿着门的外部部分的槽。该槽可具有三角形棱镜锥台平截头椎体的横截面形状。...

一种电子装置制造系统包括具有装载端口的工厂接口。装载端口可包括面板，该面板具有背表面。该背表面可具有沿着该面板的外部部分延伸的槽。该槽可包括颈部区域及外扩基部区域。颈部区域可具有延伸到外扩基部区域的矩形横截面。灯泡形密封件或矩形密封件可...

实施方式提供用于改良的装载端口的系统、装置、及方法，包含：一框架，该框架支撑一坞部及一载体开启器；一升降机，该升降机是可操作的以升高及降低该载体开启器；一隔离室，该升降机是可操作的以在该隔离室内移动，该隔离室包含一容积，该容积与一设施前...

用于侧向蚀刻氮化硅的示例性方法可以包括将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内。所述方法可以包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物和所述含氧前驱物的等离子体流出物。所述方法还可以包括将所述等离子...

用于蚀刻含锗材料的示例性系统可以包括半导体处理腔室的远程等离子体区域、腔室部件以及所述半导体处理腔室的处理区域。远程等离子体区域可被配置用于形成含氟前驱物的等离子体。腔室部件的孔可被涂覆有催化材料。催化材料可被配置用于降低等离子体流出物...

一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁场以监测抛光垫正在抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和绕所述芯的一部分卷绕的线圈。芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中...

公开了用于晶片级管芯桥的方法和设备。将晶片级桥管芯用粘合剂层附贴到已经暂时地接合到载体的重分布层(RDL)。在所述RDL上和所述桥管芯上形成电互连件并将其封装在第一模层中。将多个管芯耦接到所述RDL和所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RD...

本公开内容提供了一种用于在真空腔室中成像的设备。所述设备包括真空腔室，所述真空腔室具有光入口端口和一个或多个光学元件，所述一个或多个光学元件位于所述真空腔室中并且被配置用于将光从所述光入口端口引导到待成像的至少一个对象。

于此披露的实施方式涉及具有减小的寄生电容的改良晶体管。在一个实施方式中，晶体管装置包括：三维鳍式结构，所述三维鳍式结构从基板的表面突出，所述三维鳍式结构包括顶表面和两个相对侧壁；第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述三维鳍式结构的所述两个...

本发明包括：基部构件(330)，所述基部构件(330)由金属材料制成；以及介电层(200)，所述介电层(200)形成在所述基部构件(330)的上表面上并且具有电极层(340)，所述电极层(340)形成在所述介电层(200)中，将DC功率...

公开了一种半导体处理系统。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心...

本文所述的实施方式总体涉及一种用于封装OLED结构的方法和设备，尤其是涉及一种用于对TFE结构的所期望的轮廓控制的OLED结构的TFE结构。在一个示例中，一种用于在OLED结构上方形成薄膜封装结构的方法包括：在设置在基板上的OLED结构...

一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高...

描述一种用于检查基板的方法。所述方法包括：在真空腔室中提供基板，所述基板是大面积基板，其中所述基板具有薄膜，所述薄膜具有沉积在所述基板上的晶粒结构；用成像带电粒子束显微镜产生一次带电粒子束，其中所述一次带电粒子束撞击在所述真空腔室中的所...

本公开涉及用于CMP应用的薄的塑料抛光用具。本公开内容提供了一种用于抛光基板的方法和设备，包括抛光用具，所述抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有凸起表面纹理，所述凸起表面纹理形成在所述聚合物片材的表面上。根据本公开内容的一个或多个...

提供一种工艺序列以提供用于在其上沉积磁隧道结的极平滑(0.2nm或更小)底电极表面。在一个实施方式中，此序列包括通过体层沉积接着图案化并蚀刻而形成底电极焊盘。氧化物接着沉积在形成的底电极焊盘上方且被向后抛光以暴露底电极焊盘。接在预清洁操...