多通道流量比例控制器与处理腔室制造技术

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器，气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多个通道，且第二部分包含第二多个通道。装置进一步包含多个气体线，多个气体线将第一与第二多个流量控制器连接至第一与第二多个通道。多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至第一多个通道的通道以及第二多个通道的通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多通道流量比例控制器与处理腔室背景领域本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室，且更特定而言，涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。现有技术的描述对广泛的各种应用处理半导体基板，包含集成器件与微型器件的生产。一种基板处理方法包含沉积材料(诸如介电性材料或半导体材料)于基板的上表面上。通过使处理气体平行于放置在支撑件上的基板的表面流动，并使处理气体热解离而将来自气体的材料沉积至基板表面上，可在横向流动腔室中沉积材料。然而，沉积在基板表面上的材料的厚度时常不均匀，且合金或掺杂成分时常不均匀，且因此对最终生产器件的效能产生负面的影响。因此需要改良腔室，以沉积厚度均匀且合金或掺杂成分均匀的材料。
技术实现思路
本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室，且更特定而言，涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器，气体注入插入件包含第一部分与第二部分。第一部分包含第一多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包含：第一流量比例控制器，所述第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器；第二流量比例控制器，所述第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器；气体注入插入件，所述气体注入插入件包含第一部分与第二部分，其中所述第一部分包含第一多个通道，且所述第二部分包含第二多个通道；以及多个气体线，所述多个气体线将所述第一与第二多个流量控制器连接至所述第一与第二多个通道，其中所述多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至所述第一多个通道的通道以及所述第二多个通道的通道。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.03 US 62/403,5831.一种装置，包含：第一流量比例控制器，所述第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器；第二流量比例控制器，所述第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器；气体注入插入件，所述气体注入插入件包含第一部分与第二部分，其中所述第一部分包含第一多个通道，且所述第二部分包含第二多个通道；以及多个气体线，所述多个气体线将所述第一与第二多个流量控制器连接至所述第一与第二多个通道，其中所述多个气体线的一或多个气体线的每一个连接至所述第一多个通道的通道以及所述第二多个通道的通道。2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一多个通道包含九个通道，且所述第二多个通道包含九个通道。3.如权利要求2所述的装置，其中所述第一多个流量控制器包含五个流量控制器且所述第二多个流量控制器包含五个流量控制器。4.如权利要求3所述的装置，其中所述多个气体线的所述一或多个气体线包含八个气体线，且所述八个气体线的每一个连接至所述第一与第二多个流量控制器的相异的流量控制器。5.如权利要求1所述的装置，其中所述第一多个通道包含十一个通道，且所述第二多个通道包含十一个通道。6.如权利要求5所述的装置，其中所述第一多个流量控制器包含六个流量控制器且所述第二多个流量控制器包含六个流量控制器。7.如权利要求6所述的装置，其中所述多个气体线的所述一或多个气体线包含十个气体线，且所述十个气体线的每一个连接至所述第一与第二多个流量控制器的相异的流量控制器。8.一种装置，包含：第一流量比例控制器，所述第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器以及第一流量控制器；第二流量比例控制器，所述第二流量比例控制器包含第二多个流量控制器以及第二流量控制器；气体注入插入件，所述气体注入插入件包含第一部分与第二部分，其中所述第一部分包含第一多个通道与第一内侧通道，且所述第二部分包含第二多个通道与第二内侧通道；多个气体线，所述多个气体线将所述第一与第二多个流量控制器连接至所述第一与第二多个通道；第一气体线，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯·鲍尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US