用于自对准图案化的方法技术

处理方法包括在基板表面上和在表面特征中沉积膜，通过化学平面化从所述基板表面移除所述膜，而留下在所述特征中的所述膜。使柱从所述膜生长，使得所述柱垂直于基板表面生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于自对准图案化的方法
本公开内容大体涉及沉积和蚀刻薄膜的方法。特别地，本公开内容涉及用于形成自对准图案化的工艺。
技术介绍
半导体产业正快速开发具有越来越小的晶体管尺寸的芯片，以获得每单位面积更多的功能。随着装置的尺寸持续缩小，装置之间的间隙/空间也持续缩小，从而增加将装置彼此物理隔离的难度。使用现有方法来实施以高品质电介质材料填充在装置之间通常为不规则形状的高深宽比沟槽/空间/间隙越来越具有挑战性，所述现有方法包含间隙填充、硬模和间隔件应用。在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺使得可能制成集成电路。在基板上产生图案化材料需要用于移除暴露的材料的受控方法。出于各种目的使用化学蚀刻，所述目的包含将光刻胶中的图案转移到下层中，减薄层或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。经常期望具有比另一种材料更快速地蚀刻一种材料的蚀刻工艺，而有助于例如图案转移工艺。认为这样的蚀刻过程对第一种材料有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，已开发了选择性移除广泛的材料中的一种或多种材料的蚀刻工艺。通常使用干式蚀刻工艺从半导体基板选择性地移除材料。干式蚀刻工艺能够以最小的物理干扰从微型结构温和地移除材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有从所述基板表面延伸进入所述基板的至少一个特征，所述特征具有底部和侧壁；在所述基板表面上沉积第一膜，使得所述第一膜覆盖所述基板表面并且填充所述特征；通过依序地氧化所述第一膜的顶部以在所述第一膜的顶部上形成氧化的第一膜并且蚀刻所述氧化的第一膜以移除所述氧化的第一膜，使所述基板表面化学平面化，重复依序的氧化和蚀刻以从所述基板表面移除所述第一膜而留下所述特征中的所述第一膜；和使所述第一膜膨胀以使第一柱在所述特征中生长，所述第一柱从所述特征垂直于所述基板表面延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.08 US 62/419,2351.一种处理方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有从所述基板表面延伸进入所述基板的至少一个特征，所述特征具有底部和侧壁；在所述基板表面上沉积第一膜，使得所述第一膜覆盖所述基板表面并且填充所述特征；通过依序地氧化所述第一膜的顶部以在所述第一膜的顶部上形成氧化的第一膜并且蚀刻所述氧化的第一膜以移除所述氧化的第一膜，使所述基板表面化学平面化，重复依序的氧化和蚀刻以从所述基板表面移除所述第一膜而留下所述特征中的所述第一膜；和使所述第一膜膨胀以使第一柱在所述特征中生长，所述第一柱从所述特征垂直于所述基板表面延伸。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜包括金属。3.如权利要求2所述的方法，其中所述金属包括钨。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中沉积所述第一膜和使所述基板表面化学平面化的步骤在相同的处理腔室中发生。5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中使所述第一膜膨胀以使所述第一柱生长的步骤包括氧化所述第一膜或氮化所述第一膜的步骤中的一个或多个。6.如权利要求5所述的方法，其中通过暴露于O2、O3、H2O、H2O2、H2O4或N2O中的一种或多种来使所述第一柱生长。7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中移除所述第一膜以暴露所述基板表面的步骤大体上不包括机械平面化。8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中蚀刻所述氧化的第一膜的步骤包括以下步骤：将所述第一膜暴露于金属卤化物化合物。9.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：段子青，陈一宏，阿卜希吉特·巴苏·马尔利克，斯里尼瓦·甘迪科塔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US