The invention includes: a base member (330), which is made of metal material, and a dielectric layer (200), which is formed on the upper surface of the base member (330) and has an electrode layer (340), which is formed in the dielectric layer (200) and applied DC power to the lower surface of the electrode layer (340), which is used to support the edge of the substrate (S). The dam portion (310) of the surface is formed on the upper surface of the dielectric layer (200), thereby reducing the porosity of the dielectric layer and increasing its life, and enabling the adhesion of the substrate to be improved by increasing the dielectric constant.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电卡盘及其制造方法
本公开涉及基板处理装置,并且更具体地涉及基板处理装置中的用于使用静电力来固定基板的静电卡盘以及制造所述静电卡盘的方法。
技术介绍
静电卡盘被用作在被配置为在其中执行基板处理(诸如刻蚀、CVD、溅射、离子注入、灰化或气相沉积)的工艺腔室中吸引和保持要被处理的基板(诸如半导体基板、LCD基板或OLED基板)的装置。如图1中所示,在专利文献1和专利文献2中所公开的传统静电卡盘的结构中,在其中保持有电极102的介电层103经由有机粘合剂101(诸如硅树脂)被接合和整合至金属盘100。作为将电极102嵌入介电层103的方法,一种方法被采用,其中电极(钨)被印刷在陶瓷生片(greensheet)的表面上,该陶瓷生片将通过烧制转变为介电层,并且烧制(热压)是在进一步将单独的陶瓷生片堆叠在该陶瓷生片上之后执行的。与此同时,在用于处理大面积基板的基板处理装置中使用静电卡盘的情况中,由于因面积的增大所引起的成本和技术问题,所以作为制造静电卡盘的另一种方法,可以使用如专利文献6中所公开的等离子体喷涂法来形成介电层103和电极102。然而,当通过等离子体喷涂法来形成介电层103和电极102时,存在由于空隙等的形成造成的耐电压特性差、寿命短、以及吸引力降低的问题。另外,在掩模与基板紧密接触的状态下执行基板处理的情况中,基板处理的精确度受掩模与基板之间的紧密接触状态的影响。特别地,当如在气相沉积方法中基板与载体的底表面紧密接触时,由于掩模的下垂,基板与掩模的粘附程度降低,这使得难以精确地处理基板。专利文献1:日本技术公开No.Hei4-133443专利文献2:日 ...
【技术保护点】
1.一种制造静电卡盘的方法,所述静电卡盘包括:基部构件(330),所述基部构件(330)由金属制成;以及介电层(200),所述介电层(200)形成于所述基部构件(330)的顶表面上,并且所述介电层(200)具有电极层(340),所述电极层(340)形成在所述介电层(200)中,DC功率被施加至所述电极层(340),所述方法包括:介电层形成步骤,所述介电层形成步骤为:通过溶胶‑凝胶法由陶瓷材料来形成所述介电层(200)的至少一部分;以及突起形成步骤,所述突起形成步骤为:通过所述等离子体喷涂法在所述介电层(200)的顶表面的边缘区域E处形成多个突起(310、240),所述边缘区域E对应于基板(S)的边缘的底表面,所述介电层(200)在所述介电层形成步骤中形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.08 KR 10-2016-01157801.一种制造静电卡盘的方法,所述静电卡盘包括:基部构件(330),所述基部构件(330)由金属制成;以及介电层(200),所述介电层(200)形成于所述基部构件(330)的顶表面上,并且所述介电层(200)具有电极层(340),所述电极层(340)形成在所述介电层(200)中,DC功率被施加至所述电极层(340),所述方法包括:介电层形成步骤,所述介电层形成步骤为:通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料来形成所述介电层(200)的至少一部分;以及突起形成步骤,所述突起形成步骤为:通过所述等离子体喷涂法在所述介电层(200)的顶表面的边缘区域E处形成多个突起(310、240),所述边缘区域E对应于基板(S)的边缘的底表面,所述介电层(200)在所述介电层形成步骤中形成。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷材料具有Al2O3、Y2O3、ZrO2、MgO、SiC、A1N、Si3N4以及SiO2中的任何一种。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述突起(310、240)包括:至少一个坝部(310),所述至少一个坝部(310)沿所述介电层(200)的顶表面中的所述基板(S)的边缘被设置;以及多个垂直凸起(240),所述多个垂直凸起(240)小于所述坝部(310)的顶表面并且与所述基板(S)的底表面形成平面接触或点接触,所述多个垂直凸起相对于所述坝部(310)而朝向所述介电层(200)的中心位于内侧。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述坝部(310)的高度小于所述多个垂直凸起的高度。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,为了检测取决于气体排放程度的在所述坝部(310)与所述基板(...
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