本发明描述一种用以涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。沉积设备包含容纳存储线轴(112)的第一线轴腔室(110)、布置于第一线轴腔室(110)的下游的沉积腔室(120)、以及布置于沉积腔室(120)的下游且容纳卷绕线轴(152)的...

处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

本文所提供的实施方式大体涉及静电卡盘(ESC)。静电卡盘可包括减少数目的应力起始点，诸如穿过静电卡盘的孔，此举可改良静电卡盘的机械完整性。设置在静电卡盘中的电极可经由导电导线连接至电触点及电源，这些导电导线可被耦接成或形成为沿着静电卡盘...

描述了一种配置用于在半导体装置制造期间使用的传送腔室。传送腔室包括至少一个第一侧面，所述至少一个第一侧面具有第一宽度，所述至少一个第一侧面被配置成耦接至一个或更多个基板传送单元(例如，一个或更多个装载锁定腔室或一个或更多个通路单元)，并...

一种制造抛光垫的方法，包括确定待引入所述抛光垫的抛光层的聚合物基质内的期望空隙分布。生成电子控制信号，所述电子控制信号配置为由三维打印机所读取，且所述电子控制信号指定待沉积聚合物基质前驱物的位置，以及指定无材料待沉积的期望空隙分布的位置...

提供一种在具有至少一个次30纳米特征结构的工件上电镀的方法。此方法包括：施加第一电解质化学品至此工件，第一电解质化学品包括金属阳离子溶质物质及抑制剂，金属阳离子溶质物质具有在约50mM至约250mM的范围内的浓度，抑制剂造成大于0.75...

本公开内容提供了根据独立权利要求的一种用于在真空腔室中支撑基板的基板载体、一种掩模夹持设备、一种真空处理系统和一种用于操作电永磁体元件的方法。根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于在真空腔室中支撑基板的基板载体。所述基板载体包括电永磁...

本文提供了准直器和包括所述准直器的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，在基板处理腔室中使用的准直器包括：环；适配器，围绕该环且具有内部环形壁；和多个辐条，从该内部环形壁延伸且在该准直器的中心轴处相交。

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方...

本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积...

本揭示案的实施方式关于用于与腔室内加热器及基板旋转机构一起使用的处理配件。在与本揭示案一致的一些实施方式中，用于与可旋转基板支撑件加热器台座一起使用以用于在处理腔室中支撑基板的处理配件可包含：上方边缘环，所述上方边缘环包含顶部突出部和从...

本文提供用于在处理腔室中进行的处理中减少产生的颗粒的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件屏蔽件包括：主体，该主体具有表面，该表面面向物理气相沉积(PVD)处理腔室的处理空间，其中该主体由氧化铝(Al2O3)构成；和在该主体的该表面上的...

本文公开了基板支撑底座和结合所述基板支撑底座的静电吸盘的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑底座包括：具有上表面和与上表面相对的下表面的主体；一个或多个设置在主体内的吸附电极；自上表面突出以支撑基板的多个基板支撑元件；在主体中心处设置在...

一种双通道喷头，包括：第一多个通道，在所述喷头的背表面中形成且从第一端延伸到第二端；第二多个通道，穿过所述喷头的厚度形成且从第一端延伸到第二端；第一端充气部，在所述第一端处与所述第二多个通道流体连接；以及第二端充气部，在所述第二端处与所...

根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源(100、200)。溅射沉积源包括：电极阵列(110)，具有两对或更多对电极，其中电极阵列的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器...

本公开内容的实施方式涉及整修烧结或等离子体喷涂的静电吸盘的方法。起初，将使用过的静电吸盘主体的一部分移除，以暴露底表面。接着，使用悬浮浆料等离子体喷涂工艺，将新的介电材料层沉积至底表面上。悬浮浆料等离子体喷涂工艺可将纳米尺寸的介电材料的...

描述静电吸附力工具，所述静电吸附力工具可在工件载具上使用以用于微机械和半导体处理。一个范例包含工件配件，用于在被静电吸盘的静电吸附力抓取时保持工件；臂，所述臂耦合至所述工件配件以经由所述工件配件牵引所述工件侧向地跨过所述吸盘；和测力计，...

处理基板的方法包括以下步骤：使基板经受修改所述基板的外层的厚度的处理，在处理期间测量从所述基板反射的光的光谱，缩减测得的光谱的维度以产生多个分量值，使用人工神经网络产生表征值，以及基于所述表征值来确定停止处理所述基板或调整处理参数中的至...

本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的设备。更具体言之，本文描述的实施方式涉及处理平台上使用的场引导式曝光后处理腔室及冷却/显影腔室。在一个实施方式中，多个曝光后处理腔室和冷却/显影腔室对以堆叠布置的方式定位在处理平台上，并利用共享的管...