提供了用于确定基板表面轮廓的系统、装置和方法。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：从沿着所述基板的第一侧的多个位置跨所述基板的所述表面投射具有垂直分量/轮廓的信号；在位于所述基板的所述表面对面的多个对应位置中的每一个位置处捕捉所述经投...

藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之...

本公开内容提供一种用于载体(220)在沉积系统中的非接触运输的设备。所述设备包括用于在运输方向(1)中移动载体(220)的驱动结构(210)，和在所述驱动结构(210)处的位置检测装置(215)。

本公开内容提供了一种用于在沉积系统中无接触运输载具(220)的设备。载具(220)包括：引导结构(210)，所述引导结构具有一个或更多个有源磁体单元(112)，所述有源磁体单元被配置为面对载具(220)的磁体结构(222)；和一个或更多...

本公开内容提供了一种用于在基板(10)上进行层沉积的设备(100)。所述设备(100)包括：真空腔室(101)；至少一个溅射源(110)，所述至少一个溅射源(110)在所述真空腔室(101)中，其中所述至少一个溅射源(110)包括可旋转...

公开了蚀刻钨的方法，所述方法包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化物(诸如过氧化氢)和强酸或强碱中的一种来蚀刻钨层以从基板顶上移除钨层的第一部分，用于在基板的顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。所述方法...

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微...

本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框...

本发明提供一种基板处理装置，该装置包括：工艺腔室(10)，用于提供与外界隔离的工艺环境；至少一个距离测量部，用于以非接触方式测量安装在工艺腔室(10)中的基板(S)与掩模(350)之间的距离；及紧密接触驱动部，用于在距离测量部测量基板(...

本文提供混合基板载具的实施例。在一些实施例中，基板载具包括：承载环，具有与承载环的中心开口相邻的内部壁架；和承载板，具有比中心开口更大的直径，并且被配置成搁置在内部壁架上，其中承载板包括设置于支撑表面下方的电极，以将基板静电夹持至承载板...

本公开内容提供一种用于在真空腔室(302)中的运输的载体(100)。所述载体(100)包括主体(110)和连接到所述主体(110)的一个或多个运动传感器(120)。

在一些实施方式中，在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括以下步骤：(a)在物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材的表面...

实施方式提供了用于改进的装载端口的系统、装置及方法，改进的装载端口包括背板组件，所述背板组件支撑对接拖盘及基板载具开启器，其中所述背板组件包括：背板；校平块，能耦接至设备前端模块(EFEM)；锥形孔调整组件，耦接在校平块与背板之间；以及...

实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法。在一个实施方式中，即时蚀刻速率传感器包括共振系统和导电壳体。共振系统可包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在共振体的第二...

在此提供用于分析和检测来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的方法和设备。在某些实施方式中，确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数、颗粒尺寸及ζ电位的方法包括：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽内的清洁溶液填充样本槽，基板处理腔...

本发明提供一种包括设置于物理气相沉积腔室中的双极准直器的设备和使用所述设备的方法。在一个实施方式中，设备包括腔室主体和设置在腔室主体上的腔室盖从而界定处理区于内、设置于处理区中的准直器及耦接至准直器的电源。

本文公开的是基板处理设备，所述基板处理设备包括：处理腔室(10)，用于提供与外部隔离的处理环境；至少一个距离测量单元(500)，用于非接触地测量安装在所述处理腔室(10)中的基板(S)与掩模(350)之间的距离；以及按压机构，用于在所述...

描述了包含在自对准工艺中用第二柱状体材料选择性替换第一柱状体材料的处理方法。所述第一柱状体材料可以垂直于基板表面生长并用第二柱状体材料替换，以留下与第一柱状体材料大体相似的形状和对准。

描述包含下列步骤的方法：沉积膜材料，以在基板表面中的沟槽中形成初始膜。处理所述膜，以使所述膜膨胀，使所述膜生长超过基板表面。

描述通过在沉积过程中流动材料进入间隙来降低形成在图案化基板上的介电膜的湿蚀刻速率的方法。以此方式沉积的膜可能最初呈现提高的湿蚀刻速率。通过暴露图案化基板至气相水蒸汽的高压力来处理介电膜。处理可降低介电膜的湿蚀刻速率，特别是介电膜的间隙填...