选择性蚀刻速率监控器制造技术

实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法。在一个实施方式中，即时蚀刻速率传感器包括共振系统和导电壳体。共振系统可包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在共振体的第二表面之上；和牺牲层，所述牺牲层形成在第一电极之上。在一个实施方式中，第一电极的至少一部分未被牺牲层覆盖。在一个实施方式中，导电壳体可固定共振系统。另外，导电壳体接触第一电极，且导电壳体的内部边缘的至少一部分可与牺牲层隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择性蚀刻速率监控器
实施方式涉及用于半导体制造的蚀刻处理的领域，且具体地涉及用于在仅有自由基的蚀刻处理中提供即时蚀刻速率监控的系统和方法。
技术介绍
在半导体蚀刻处理中，即时监控蚀刻速率通常是困难的。由此，通常只能藉由计算在膜的起始厚度与膜的终点厚度之间的差异并将该差异除以总处理时间来确定蚀刻速率。然而，可理解的是，即时监控蚀刻速率提供了可用于调整蚀刻处理的附加信息，使得它们精确并具有更高程度的可重复性等优点。已经开发了一些提供即时蚀刻速率监控的解决方案。例如，光发射光谱学(OES)和吸收光谱学是已经在传统的等离子体蚀刻腔室中使用的解决方案。在OES中，来自等离子体的光发射的强度可能与蚀刻速率相关。在吸收光谱学中，需要穿过处理容积的视线路径。然而，在大容积的制造配备中，穿过处理容积的视线通常是不可用的。
技术实现思路
实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法。在一个实施方式中，即时蚀刻速率传感器包括共振系统(resonantsystem)和导电壳体。共振系统可包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在共振体的第二表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种即时蚀刻速率传感器，包括：共振系统，包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在所述共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在所述共振体的第二表面之上；和牺牲层，所述牺牲层形成在所述第一电极之上，其中所述第一电极的至少一部分未被所述牺牲层覆盖；和导电壳体，所述导电壳体用于固定所述共振系统，其中所述导电壳体接触所述第一电极，且其中所述导电壳体的内部边缘的至少一部分与所述牺牲层隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.14 US 15/351,4371.一种即时蚀刻速率传感器，包括：共振系统，包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在所述共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在所述共振体的第二表面之上；和牺牲层，所述牺牲层形成在所述第一电极之上，其中所述第一电极的至少一部分未被所述牺牲层覆盖；和导电壳体，所述导电壳体用于固定所述共振系统，其中所述导电壳体接触所述第一电极，且其中所述导电壳体的内部边缘的至少一部分与所述牺牲层隔开。2.如权利要求1所述的即时蚀刻速率传感器，其中所述牺牲层是在一个或多个仅有自由基的蚀刻处理中相对于所述第一电极选择性蚀刻的材料。3.如权利要求2所述的即时蚀刻速率传感器，其中所述牺牲层是介电材料、半导体材料、或导电材料。4.如权利要求1所述的即时蚀刻速率传感器，其中所述牺牲层不接触所述导电壳体。5.如权利要求1所述的即时蚀刻速率传感器，进一步包括多个牺牲层，其中所述多个牺牲层的每一个牺牲层相对于彼此和所述第一电极具有蚀刻选择性。6.如权利要求1所述的即时蚀刻速率传感器，其中所述共振体是石英、蓝宝石、硅、锗、或锆钛酸铅。7.如权利要求1所述的即时蚀刻速率传感器，进一步包括：频率电桥，所述频率电桥电耦接在所述第一电极与所述第二电极之间。8.一种仅有自由基的蚀刻处理工具，包括：远程等离子体腔室；主处理腔室，所述主处理腔室耦接至所述远程等离子体腔室，其中所述主处理腔室包括：上部；下部，其中所述上部藉由离子过滤器与所述下部分隔开；和泵衬里，所述泵衬里在所述下部中围绕基座而形成；和即时蚀刻速率传感器，所述即时蚀刻速率传感器位于所述主处理腔室的所述下部中，其中所述即时蚀刻速率传感器包括：共振系统，包括：共振体；第一电极，所述第一电极形成在所述共振体的第一表面之上；第二电极，所述第二电极形成在所述共振体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·艾伦·克劳斯，蒂莫西·L·富兰克林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US