检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备技术

在此提供用于分析和检测来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的方法和设备。在某些实施方式中，确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数、颗粒尺寸及ζ电位的方法包括：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽内的清洁溶液填充样本槽，基板处理腔室部件清洁槽装有半导体处理腔室部件；(b)将来自激光器的光导向该样本槽，其中该清洁溶液中的纳米颗粒散射来自该激光器的光；及(c)经由位在该样本槽附近的一个或多个检测器来检测散射光以确定该清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位、颗粒尺寸及颗粒数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备
本公开内容的实施方式一般地涉及颗粒检测，且特别是涉及来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的分析和检测。
技术介绍
随着半导体基板处理朝向越来越小的特征尺寸及线宽前进，在半导体基板上更精准地进行遮蔽、蚀刻及沉积材料也越显重要。然而，随着半导体特征的缩小，可能造成装置无法运作的污染物颗粒的尺寸也变得更小且更难去除，例如直径小于50纳米，例如直径为10纳米至30纳米的颗粒(即，纳米颗粒)。因此，要了解会对半导体制造工具及半导体制造腔室部件产生影响的微缺陷及污染物的性质及来源，必须对纳米颗粒进行监控及化学特定特性鉴定(characterization)。典型的半导体制造腔室部件清洁工艺包括使腔室部件浸泡在液体清洁溶液中且分析该清洁溶液的样本以确定颗粒特性，例如，颗粒的数目(颗粒数)及这些颗粒的组成(例如，金属、氧化物、陶瓷、碳氢化合物、聚合物)。在确定颗粒数时，会使用液体颗粒计数(LPC)工具来确定清洁溶液中的颗粒数，该液体颗粒计数(LPC)工具运作的原理是检测由纳米颗粒散射的激光。然而，本案专利技术人观察到在某些情况中，污染物纳米颗粒会凝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数及ζ电位的方法，包括以下步骤：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽的清洁溶液填充样本槽，所述基板处理腔室部件清洁槽装有基板处理腔室部件，其中所述清洁溶液包含从所述基板处理腔室部件去除的材料的纳米颗粒；(b)将来自激光器的光导向所述样本槽，其中在所述清洁溶液内的纳米颗粒散射来自所述激光器的光以形成散射光；及(c)经由位在所述样本槽附近的一或多个检测器检测所述散射光以确定所述清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位及颗粒数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.07 US 62/418,6791.一种确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数及ζ电位的方法，包括以下步骤：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽的清洁溶液填充样本槽，所述基板处理腔室部件清洁槽装有基板处理腔室部件，其中所述清洁溶液包含从所述基板处理腔室部件去除的材料的纳米颗粒；(b)将来自激光器的光导向所述样本槽，其中在所述清洁溶液内的纳米颗粒散射来自所述激光器的光以形成散射光；及(c)经由位在所述样本槽附近的一或多个检测器检测所述散射光以确定所述清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位及颗粒数。2.如权利要求1所述的方法，其中(a)步骤进一步包括以下步骤：使所述清洁溶液经由第一流管从所述基板处理腔室部件清洁槽中流出，所述第一流管具有与所述基板处理腔室部件清洁槽的出口耦接的第一端及与所述样本槽耦接的第二端。3.如权利要求2所述的方法，其中所述样本槽包括管状通道，所述管状通道从所述样本槽的第一端水平或垂直地贯通所述样本槽的底部而至所述样本槽的第二端，所述样本槽的所述第一端耦接至流管的第二端。4.如权利要求3所述的方法，进一步包括在经由一或多个检测器检测散射光之后，经由与所述样本槽104的所述第二端耦接的第二流管排出所述清洁溶液。5.如权利要求1所述的方法，进一步包括使所述清洁溶液与液体颗粒计数器接触。6.如权利要求1所述的方法，进一步包括使所述清洁溶液与一或多个离子选择性电极接触。7.如权利要求6所述的方法，其中所述一或多个离子选择性电极适合用于检测选自由下列离子所...

【专利技术属性】
技术研发人员：普莉娜·古拉迪雅，桑克萨·博伊亚尔，罗伯特·简·维瑟，维杰·班·夏尔马，雷努卡·沙哈内，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US