用于等离子体过滤的系统和方法技术方案

系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。

Systems and methods for plasma filtration

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体过滤的系统和方法
本技术涉及半导体系统、方法和设备。更具体来说，本技术涉及用于在处理腔室内过滤等离子体的系统和方法。
技术介绍
集成电路可能由在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺来制成。在基板上产生图案化的材料需要用于移除已暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于各种目的，包括将光刻胶中的图案转印到下层、减薄层、或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。通常期望具有蚀刻一种材料比另一种材料更快的蚀刻工艺，从而促进例如图案转印工艺。将此种蚀刻工艺称为对第一材料具有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，已经开发出具有对各种材料的选择性的蚀刻工艺。蚀刻工艺可基于所述工艺中使用的材料而被称为湿式或干式。与其它电介质和材料相比，湿式HF蚀刻优先移除氧化硅。然而，湿式工艺可能难以穿透一些受限沟槽，并且还可能有时使剩余材料变形。在基板处理区域内形成的局部等离子体中产生的干式蚀刻可以穿透更受限的沟槽，并且呈现精细剩余结构的更少变形。然而，局部等离子体可以经由产生电弧而破坏基板，因为所述电弧放电。因此，存在对可以用于产生高品质器件和结构的改良的系统和方法的需要。这些需要和其它需要由本技术解决。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体处理腔室，包含：喷淋头；基板支撑件；电源，与所述基板支撑件电气耦合并且经构造以向所述基板支撑件提供电力来在所述喷淋头与所述基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体；以及等离子体屏蔽件，与所述基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过所述等离子体屏蔽件的等离子体泄漏，其中所述等离子体屏蔽件与电气接地耦合。

【技术特征摘要】
2017.10.24 US 62/576,3791.一种半导体处理腔室，包含：喷淋头；基板支撑件；电源，与所述基板支撑件电气耦合并且经构造以向所述基板支撑件提供电力来在所述喷淋头与所述基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体；以及等离子体屏蔽件，与所述基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过所述等离子体屏蔽件的等离子体泄漏，其中所述等离子体屏蔽件与电气接地耦合。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件包含从所述基板支撑件向外径向延伸的环形部件。3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件由绕所述等离子体屏蔽件的内部半径的第一厚度表征，并且其中所述等离子体屏蔽件由绕所述等离子体屏蔽件的外部半径的小于所述第一厚度的第二厚度表征。4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定穿过所述等离子体屏蔽件的多个孔。5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔在所述等离子体屏蔽件的由所述第二厚度表征的区域内限定。6.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔的每个孔由包括锥形部的轮廓表征，所述锥形部至少部分地穿过所述等离子体屏蔽件延伸。7.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件限定穿过所述等离子体屏蔽件的至少约500个孔。8.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述多个孔的每个孔由小于或约0.25英寸的直径表征。9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中在所述等离子体屏蔽件的径向边缘与所述半导体处理腔室的侧壁之间维持间隙。10.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述等离子体屏蔽件被维持与所述基板支撑件的静电夹盘部分电气隔离，所述静电夹盘部分与所述电源电气耦合。11.一种半导体处理腔室，包含：腔室侧壁；喷淋头；基板支撑件，其中所述基板支撑件与所述喷淋头和所述腔室侧壁一起限定所述半导体处理腔室的处理区域，其中所述基板支撑件包含导电圆盘，其中所述基板支撑件能从所述处理区域内的第一竖直位置移动到所述处理区域内邻近所述喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·朴，T·Q·特兰，N·卡尔宁，D·卢博米尔斯基，A·德瓦拉孔达，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US