通过扩散腔室内部的气流而得的较低粒子计数及较佳晶片品质的有效且新颖的设计制造技术

本文描述的实施方式通常关于一种处理腔室，其具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧壁引导。一个或多个进气端口和板可位于处理腔室的一端，且气流通过板或成角度的开口而被引导朝向位于处理腔室的相对端处的排气端口。因此，更多的气体可流入处理腔室而不会从处理腔室的盖子上逐出颗粒。

Effective and novel design of lower particle count and better wafer quality obtained by airflow in diffusion chamber

The embodiments described herein are generally concerned with a processing chamber having one or more intake ports at the bottom of the processing chamber. The gas entering the processing chamber through one or more intake ports is guided along the lower side wall of the processing chamber through a plate above each of the one or more intake ports or through an angular opening of each of the one or more intake ports. One or more intake ports and plates may be located at one end of the processing chamber, and the airflow is directed toward the exhaust port at the opposite end of the processing chamber through a plate or an angled opening. Therefore, more gas can flow into the treatment chamber without ejecting particles from the cover of the treatment chamber.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过扩散腔室内部的气流而得的较低粒子计数及较佳晶片品质的有效且新颖的设计
本文所述的实施方式通常关于用于处理半导体基板的设备和方法。更具体地，本文所述的实施方式关于一种处理腔室，具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。
技术介绍
在集成电路和平板显示器制造的领域中，在一个或多个处理腔室中的基板上依次执行多个沉积和蚀刻工艺，以形成各种设计结构。基板处理系统可配备有多个腔室以用于执行这些工艺，诸如蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、氮化、腔室清洁和调节等。许多工艺可在真空条件下在处理腔室中执行，且当从处理腔室移除基板或在处理腔室的维护期间，处理腔室可被加压到大气压力。此外，可在处理步骤之间执行处理腔室的净化。传统地，用于引入净化气体或用于加压处理腔室(诸如用于氮化的处理腔室)的端口位于处理腔室的盖上。已经发现，设置在处理腔室内的基板上的颗粒污染呈现盖喷嘴的图案，这表示污染源是位于盖中的端口。此外，端口的开口受到限制，因此流入处理腔室的净化或加压气体的流速慢，导致长的净化和加压时间。因此，需要改进的设备来增加净化或加压气体的流速，而不增加基板上的颗粒污染。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包含：底部；下侧壁，设置在所述底部上；上侧壁，设置在所述下侧壁上；盖，设置在所述上侧壁上；处理气体注入端口，设置在所述盖上；一个或多个进气端口，位于所述底部中，用于将净化气体或加压气体引入到所述处理腔室中，其中所述一个或多个进气端口与所述下侧壁相邻；及排气外壳，耦接到所述底部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.03 US 62/345,631;2016.08.26 US 62/379,9871.一种处理腔室，包含：底部；下侧壁，设置在所述底部上；上侧壁，设置在所述下侧壁上；盖，设置在所述上侧壁上；处理气体注入端口，设置在所述盖上；一个或多个进气端口，位于所述底部中，用于将净化气体或加压气体引入到所述处理腔室中，其中所述一个或多个进气端口与所述下侧壁相邻；及排气外壳，耦接到所述底部。2.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含一个或多个气体入口，其中所述一个或多个气体入口的每一气体入口耦接到所述一个或多个进气端口的对应的进气端口，其中每一气体入口具有第一横截面积且每一进气端口具有第二横截面积，其中所述第二横截面积大于所述第一横截面积。3.根据权利要求2所述的处理腔室，其中所述一个或多个气体入口的每一气体入口包括开口，所述开口与所述处理腔室的基础平面形成一定角度，用于引导所述净化气体或加压气体沿着所述下侧壁流动。4.根据权利要求2所述的处理腔室，其中所述一个或多个气体入口的每一气体入口包括符合所述下侧壁的方位的狭缝状开口。5.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含一个或多个板，其中所述一个或多个板的每一个板设置在所述一个或多个进气端口的对应的进气端口的上方。6.根据权利要求5所述的处理腔室，其中所述一个或多个板耦接到设置在所述底部上的螺钉盖。7.根据权利要求5所述的处理腔室，其中所述一个或多个板的每一板通过设置在所述底部上的多个支撑件而被支撑。8.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包含设置在所述一个或多个进气端口的每一进气端口中的保持器。9.一种处理腔室，包含：底部，具有第一区域和第二区域；下侧壁，设置在所述底部上，其中所述下侧壁具有第一区域和第二区域；上侧壁，设置在所述下侧壁的所述第一区域上；盖，设置在所述上侧壁上；...

【专利技术属性】
技术研发人员：维希瓦·库马尔·帕迪，卡尔蒂克·萨哈，埃德里克·唐，普拉沙司·瓦苏戴瓦，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US