在空间ALD处理腔室中用以增加沉积均匀性的装置制造方法及图纸

描述了包含具有带多个凹陷的顶表面和底表面的基座的基座组件。加热器位于基座下方以加热基座。屏蔽件位于基座的底表面和加热器之间。屏蔽件增加跨基座的沉积均匀性。

Device for increasing uniformity of deposition in a space ALD processing chamber

A base assembly comprising a base with a top surface and a bottom surface with multiple depressions is described. The heater is located below the base to heat the base. The shield is located between the base surface of the base and the heater. The shield increases the uniformity of deposition across the base.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在空间ALD处理腔室中用以增加沉积均匀性的装置
本公开总体上涉及用于沉积薄膜的设备。具体而言，本公开涉及在空间原子层沉积批处理腔室中沉积薄膜的设备。现有技术晶片温度均匀性在原子层沉积(ALD)工艺中是重要的。空间ALD批处理反应器中的沉积均匀性可能是挑战性的，其中晶片位于移动到红外加热系统上方的基座上。传统上，为了提高温度均匀性，使用多区域加热。然而，用于改善温度均匀性的系统是复杂的，且成本与加热区域的数量成比例。此外，对于具有旋转基座的空间ALD系统而言，在切线方向上实现良好的温度分布是非常困难的，且因此，前边缘和后边缘温度非常难以与晶片表面的其余部分均匀化，导致不均匀沉积。因此，在本领域中存在有对用于增加批处理腔室中的沉积均匀性的设备和方法的需求。
技术实现思路
本公开的一个或多个实施例涉及基座组件，包含：具有顶表面和底表面的基座。顶表面中形成有多个凹陷。该凹陷经尺寸设定为在处理期间支撑基板。加热器位于基座下方，以加热基座。屏蔽件位于基座的底表面和加热器之间。屏蔽件增加跨基座的沉积均匀性。本公开的另外的实施例涉及基座组件，包含：具有顶表面和底表面的基座。顶表面中形成有多个凹陷。该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座组件，包含：基座，具有顶表面和底表面，所述顶表面具有多个凹陷形成于所述顶表面中，所述凹陷经尺寸设定为在处理期间支撑基板；加热器，位于所述基座下方，以加热所述基座；以及屏蔽件，位于所述基座的所述底表面和所述加热器之间，所述屏蔽件增加跨所述基座的沉积均匀性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.02 US 62/357,9931.一种基座组件，包含：基座，具有顶表面和底表面，所述顶表面具有多个凹陷形成于所述顶表面中，所述凹陷经尺寸设定为在处理期间支撑基板；加热器，位于所述基座下方，以加热所述基座；以及屏蔽件，位于所述基座的所述底表面和所述加热器之间，所述屏蔽件增加跨所述基座的沉积均匀性。2.如权利要求1所述的基座组件，其中所述屏蔽件包含多个屏蔽区段，每个区段定位在所述凹陷之间的区域中。3.如权利要求2所述的基座组件，其中所述屏蔽区段的每一个是从所述基座的中心径向延伸的楔形形状。4.如权利要求2所述的基座组件，其中所述屏蔽区段的每一个经轮廓设定为具有与所述凹陷的形状相似的形状。5.如权利要求4所述的基座组件，其中所述屏蔽区段比相邻凹陷的后边缘更多地覆盖凹陷的前边缘。6.如权利要求2所述的基座组件，其中所述屏蔽区段的每一个与凹陷对准，并从凹陷的内边缘内侧的区域朝所述凹陷的中心延伸。7.如权利要求1所述的基座组件，其中所述屏蔽件是环形的且具有内边缘和外边缘，所述内边缘比所述外边缘更靠近所述基座的中心。8.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·约德伏斯基，A·S·波利亚克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US