E吸盘与铝基构造的结合结构制造技术

本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中，可以将多孔插塞设置在流孔内以保护结合层。在另一方面中，将密封件设置在流孔内以密封结合层，使其与流孔中的气体隔离。

【技术实现步骤摘要】
E吸盘与铝基构造的结合结构
本公开的实施方式总体涉及用于静电吸盘的结合层。
技术介绍
静电吸盘用于各种制造和处理操作。在半导体制造中，静电吸盘通常用于在处理腔室中支撑基板。半导体制造使包含静电吸盘的基板支撑件暴露于处理腔室环境并暴露于环境温度与基板处理温度之间的温度范围。为了将基板温度维持在期望的设定点，由陶瓷形成的静电吸盘被耦接到温度控制基部。陶瓷吸盘部分与温度控制基部之间的导电结合材料连接这两个主体。基板支撑件(包括在静电吸盘与冷却基部之间的界面处在延伸穿过其中的任何背侧气体通路处暴露的结合材料)被暴露于制造工艺的工艺气体和工艺反应副产物。这些气体和副产物中的一些在它们与结合材料接触时可使结合材料劣化。在结合材料的制造和形成期间，还可能造成结合材料的不一致。粘附强度和材料性质的这些变化可能造成结合材料与静电吸盘和温度控制基部分层或局部地改变穿过结合材料的传热，从而造成横跨静电吸盘吸持表面的温度变化。另外，静电吸盘和温度控制基部可以具有不同的热膨胀系数。当基板支撑件的温度增加时(诸如在工艺操作期间)，或当介电主体和温度控制基部具有不同温度时，结合材料中的应力因静电吸盘和温度控制基部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结合层结构，包括：第一主体，具有从其中穿过的流孔；第二主体，具有从其中穿过的流孔；和结合层，设置在所述第一主体与所述第二主体之间，所述结合层包括：第一结合层，具有延伸穿过所述第一结合层的第一开口；和第二结合层，具有延伸穿过所述第二结合层的第二开口，其中所述第二开口具有大于所述第一开口的直径的直径。

【技术特征摘要】
2017.10.03 US 15/724,0451.一种结合层结构，包括：第一主体，具有从其中穿过的流孔；第二主体，具有从其中穿过的流孔；和结合层，设置在所述第一主体与所述第二主体之间，所述结合层包括：第一结合层，具有延伸穿过所述第一结合层的第一开口；和第二结合层，具有延伸穿过所述第二结合层的第二开口，其中所述第二开口具有大于所述第一开口的直径的直径。2.如权利要求1所述的结合层结构，其中所述第一层和所述第二层包括结合材料片。3.如权利要求1所述的结合层结构，其中所述结合层包括有机材料，所述有机材料包括硅树脂、丙烯酸或全氟聚合物。4.如权利要求1所述的结合层结构，其进一步包括多孔插塞，所述多孔插塞设置成与所述结合层相邻。5.如权利要求1所述的结合层结构，其中穿过所述第一主体的流孔的、穿过所述第二主体的流孔的、穿过所述第一结合层的开口的和穿过所述第二结合层的开口的中心沿着从其中延伸穿过的轴线对准。6.一种结合层结构，包括：第一主体，具有从其中穿过的第一孔；第二主体，具有从其中穿过的第二孔；结合层，设置在所述第一主体与所述第二主体之间；和开口，穿过所述结合材料层形成，其中所述开口具有比穿过所述第一主体的孔的宽度和穿过所述第二主体的孔的宽度两者小的直径。7.如权利要求6所述的结合层结构，其中所述结合层...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·D·帕克荷，R·A·林德利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US