An embodiment of a processing chamber containing a processing accessory shield and a processing accessory shield is provided herein. In some embodiments, the single-piece processing fittings shield includes a cylindrical body with upper and lower parts, a heat transfer channel extending through the upper part, and a cover ring section extending radially inward from the lower part.
【技术实现步骤摘要】
单件式处理配件屏蔽件本申请是申请日为2015年12月8日、申请号为201580070339.1、专利技术名称为“单件式处理配件屏蔽件”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式大体关于基板处理配备。
技术介绍
处理配件屏蔽件可被用在例如物理气相沉积(PVD)腔室中，以分离处理容积和非处理容积。在配置以在基板上沉积铝的PVD腔室中，处理配件屏蔽件可例如由不锈钢(SST)所制成。当在处理期间沉积在处理配件屏蔽件上的铝层可被优先地从基底的SST屏蔽材料蚀刻去除时，SST处理配件屏蔽件可被再循环多次。然而，专利技术人已经持续研究，与传统铝沉积处理相比，使用显著增加的处理功率和沉积时间而在基板上沉积相对厚的铝膜。对于较厚的铝沉积处理而言，专利技术人已经观察到处理配件屏蔽件的温度升高到足以非期望的导致在基板上的晶须生长。专利技术人认为当围绕基板的处理配件不具有足够的时间以在后续的处理之间冷却时，晶须形成。沉积处理加热基板显著地多于经加热的基板支撑件。因为基板被静电地夹持至底座，晶片不会因在厚铝膜和基板(例如，硅)之间的热膨胀系数(CTE)的不匹配所导致的热应力而自由...
【技术保护点】
1.一种单件式处理配件屏蔽件，包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部，所述上部包括适配器区段，所述适配器区段径向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以将所述单件式处理配件屏蔽件支撑在腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件被放置在所述腔室中时，腔室盖安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的内侧容积；热传递通道，所述热传递通道延伸通过所述上部的所述适配器区段；和盖环区段，所述盖环区段从所述下部向下且径向向内延伸。
【技术特征摘要】
2014.12.31 US 62/098,907;2015.12.07 US 14/960,8901.一种单件式处理配件屏蔽件，包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部，所述上部包括适配器区段，所述适配器区段径向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以将所述单件式处理配件屏蔽件支撑在腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件被放置在所述腔室中时，腔室盖安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的内侧容积；热传递通道，所述热传递通道延伸通过所述上部的所述适配器区段；和盖环区段，所述盖环区段从所述下部向下且径向向内延伸。2.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述盖环区段包括内周边，所述内周边包括凸出缘。3.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述盖环区段的底表面经配置以与沉积环接口连接。4.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，进一步包括：湍流产生器件，所述湍流产生器件设置在所述热传递通道内。5.如权利要求4所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述湍流产生器件包括：螺旋形的主体，所述螺旋形的主体用以引发在热传递介质的流动中的湍流；和底座，所述底座经配置以与所述热传递通道的壁啮合，以当所述热传递介质流动经过所述湍流产生器件时，防止所述湍流产生器件移动。6.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝形成。7.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件由不锈钢形成。8.一种处理腔室，包括：腔室壁，所述腔室壁界定所述处理腔室内的内部容积；溅射靶材，所述溅射靶材设置在所述内部容积的上区段中；基板支撑件，所述基板支撑件具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：希兰库玛·萨万戴亚，瑞安·汉森，如晓·安，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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