用于硬掩模应用的硼掺杂碳化钨制造技术

本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物来在籽晶层上形成包括钨、硼和碳的过渡层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在过渡层上形成包括钨、硼和碳的块体硬掩模层。

Boron-doped tungsten carbide for hard mask applications

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于硬掩模应用的硼掺杂碳化钨
技术介绍

本公开内容的实施例总体上涉及集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。相关技术的描述可靠地生产亚半微米和更小的特征是下一代半导体元件的超大规模集成电路(VLSI)和极大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的极限的推进，VLSI和ULSI互连技术的缩小尺寸对处理能力提出了额外的要求。基板上的栅极结构的可靠形成是VLSI和ULSI成功的关键，也是持续努力提高单个基板和管芯的电路密度和质量的关键。此外，对更大的集成电路密度的要求也对集成电路部件制造中使用的工艺序列提出了要求。例如，在使用常规光刻技术的工艺序列中，能量敏感抗蚀剂层形成在设置在基板上的材料层的堆叠之上。能量敏感抗蚀剂层暴露于图案的图像以形成光刻胶掩模。之后，使用蚀刻工艺将掩模图案转移到堆叠的的材料层中的一个或多个材料层。蚀刻工艺中使用的化学蚀刻剂经选择为对堆叠的材料层具有比能量敏感抗蚀剂的掩模更大的蚀刻选择性。也就是说，化学蚀刻剂以比蚀刻能量敏感抗蚀剂快得多的速率蚀刻材料堆叠的一层或多层。对在抗蚀剂之上的堆叠的一个或多个材料层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在基板上形成硬掩模层的方法，包括以下步骤：通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层；通过在所述处理腔室中供应过渡层气体混合物来在所述籽晶层上形成过渡层，所述过渡层包括钨、硼和碳；以及通过在所述处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在所述过渡层上形成块体硬掩模层，所述块体硬掩模层包括钨、硼和碳。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.01 US 62/453,2881.一种在基板上形成硬掩模层的方法，包括以下步骤：通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层；通过在所述处理腔室中供应过渡层气体混合物来在所述籽晶层上形成过渡层，所述过渡层包括钨、硼和碳；以及通过在所述处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在所述过渡层上形成块体硬掩模层，所述块体硬掩模层包括钨、硼和碳。2.如权利要求1所述的方法，其中所述过渡层气体混合物至少包括硼基前驱物气体、碳基前驱物气体以及钨基前驱物气体。3.如权利要求2所述的方法，其中所述主要沉积气体混合物包括所述硼基前驱物气体、所述碳基前驱物气体以及所述钨基前驱物气体。4.如权利要求3所述的方法，其中所述籽晶层气体混合物至少包括所述硼基前驱物气体以及所述碳基前驱物气体。5.如权利要求3所述的方法，其中所述硼基前驱物气体为B2H6，所述碳基前驱物气体为C3H6，并且所述钨基前驱物气体为WF6。6.如权利要求2所述的方法，其中通过减少所述碳基前驱物气体的气体流动速率同时维持所述硼基前驱物气体的稳定气体流动速率来将所述过渡层气体混合物供应至所述处理腔室。7.如权利要求6所述的方法，其中通过斜增所述钨基前驱物的气体流动速率来将所述过渡层气体混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·文卡塔苏布磊曼聂，A·B·玛里克，S·辛哈罗伊，T·越泽，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US