加热的陶瓷面板制造技术

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

Heated ceramic panel

【技术实现步骤摘要】
加热的陶瓷面板
本公开内容的实施方式总体涉及一种用于工艺腔室中的面板。
技术介绍
在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻的层改变工艺来暴露层的一部分用于进一步处理。通常，这些工艺以重复的方式被使用以制造电子器件(诸如半导体器件)的各个层。当组装集成电路时，期望制造无缺陷半导体器件。存在于基板中或其上的层中的污染物或缺陷会导致制造的器件内的制造缺陷。例如，存在于制造腔室或工艺气体输送系统中的污染物可能沉积在基板上，从而导致制造的半导体器件中的缺陷和可靠性问题。因此，期望在执行沉积工艺时形成无缺陷膜。然而，用常规的沉积装置，分层膜可能形成有缺陷和污染物。因此，本领域中需要用于膜沉积的改进的设备。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种面板包括主体。所述主体具有顶表面、第一底表面和第二底表面。第三底表面在所述第一底表面与所述第二底表面之间延伸。外表面在所述顶表面与所述第一底表面之间延伸。凹槽形成在所述主体的所述顶表面中，并且多个孔隙形成在所述凹槽与所述第二底表面之间。所述主体由陶瓷材料形成。在另一个实施方式中，一种处理腔室包括主体。基板支撑件设置在所述主体内。盖组件耦接到所述主体，其中所述盖组件具有盖、耦接到所述盖的阻挡板、以及耦接到所述阻挡板和所述主体的由陶瓷材料形成的面板。所述面板具有主体，其中所述主体具有顶表面、第一底表面、第二底表面和在所述第一底表面与所述第二底表面之间延伸的第三底表面。外表面在所述顶表面与所述第一底表面之间延伸。凹槽形成在所述面板主体的所述顶表面中。多个孔隙形成在所述凹槽与所述第二底表面之间。附图说明为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要概述的本公开内容的更具体的描述可以通过参考实施方式进行，其中一些实施方式示出在附图中。然而，应注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。图1示出了根据本公开内容的一个实施方式的示例性工艺腔室的示意性布置。图2A示出了根据本公开内容的一个实施方式的面板的自顶向下视图。图2B示出了图2A的面板的剖视图。为了促进理解，已尽可能使用相同的附图标记来标示各图共有的相同元件。将预期的是，一个实施方式的元件和特征可有益地并入在其它实施方式中，不再赘述。具体实施方式本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。凹槽形成在所述面板主体的上表面中。多个孔隙穿过所述面板在所述凹槽中形成。加热器可选择地设置在所述凹槽中以加热所述面板。图1示出了根据一个实施方式的示例性工艺腔室100的示意性布置。工艺腔室100包括具有侧壁104和基部106的主体102。盖组件108耦接到主体102以在其中限定工艺容积110。在一个实施方式中，主体102由金属(诸如铝或不锈钢)形成，但是可以利用适于与在其中的处理一起使用的任何材料。基板支撑件112设置在工艺容积110内并在工艺腔室100内的处理期间支撑基板W。基板支撑件112包括耦接到轴116的支撑主体114。轴116耦接到支撑主体114并穿过基部106中的开口118延伸到主体102外。轴116耦接到致动器120，以使轴116和与轴116耦接的支撑主体114在基板装载位置与基板处理位置之间竖直地移动。真空系统130流体地耦接到工艺容积110，以便从工艺容积110排空气体。为了促进工艺腔室100中的基板W的处理，基板W设置在支撑主体114上，与轴116相对。端口122形成在侧壁104中，以促进基板W进入和离开工艺容积110。门124(诸如狭缝阀)被致动以选择性允许基板W通过端口122，以装载到基板支撑件112上或从基板支撑件112上移除。电极126可选择地设置在支撑主体114内并通过轴116电耦接到电源128。电极126被电源128选择性偏置以产生电磁场来将基板W吸紧到支撑主体114和/或促进等离子体产生或控制。在某些实施方式中，加热器190(诸如电阻式加热器)设置在支撑主体114内以加热设置在其上的基板W。盖组件108包括盖132、阻挡板134和面板136。阻挡板134包括由环形延伸部162包围的凹陷圆形分配部分160。阻挡板134设置在盖132与面板136之间并在环形延伸部162处耦接到盖132和面板136中的每一个。盖132耦接到与主体102相对的环形延伸部162。面板136耦接到环形延伸部162。第一容积146限定在阻挡板134与盖132之间。第二容积148进一步限定在阻挡板134与面板136之间。多个孔隙150穿过阻挡板134的分配部分160形成并促进第一容积146与第二容积148之间的流体连通。入口端口144设置在盖132内。入口端口144耦接到气体导管138。气体导管138允许气体从第一气源140(诸如工艺气源)流过入口端口144进入第一容积146。第二气源142(诸如清洁气源)可选择地耦接到气体导管138。第一气源140将工艺气体(诸如蚀刻气体或沉积气体)供应到工艺容积110，以在基板W上蚀刻或沉积层。第二气源142将清洁气体供应到工艺容积110，以便从工艺腔室100的内表面去除颗粒沉积物。为了促进基板处理，RF发生器180可选择地耦接到盖132，以从第一气源140、第二气源142或第一气源140和第二气源142两者激发气体以形成离子化物质。密封件152(诸如O形环)在包围第一容积146的环形延伸部162处设置在阻挡板134与盖132之间，以便将工艺容积110与外部环境隔离，从而允许在其中保持真空。面板136具有分配部分164和设置在分配部分164的径向外侧的耦接部分166。分配部分164设置在工艺容积110与第二容积148之间。耦接部分166在面板136的周边处包围分配部分164。在一个实施方式中，面板136由陶瓷材料(诸如氧化铝或氮化铝)形成。然而，也预期了其它材料，诸如氧化铝、氧化钇和其它合适的陶瓷材料。孔隙154在分配部分164内穿过面板136设置。孔隙154允许工艺容积110与第二容积148之间的流体连通。在操作期间，允许气体从入口端口144流入第一容积146中、流过阻挡板134中的孔隙150并流入第二容积148中。气体从第二容积148流过面板136中的孔隙154进入工艺容积110中。孔隙154的布置和大小允许使气体选择性流入工艺容积110中，以便实现所期望的气体分配。例如，对于某些工艺，可能期望在基板W上实现均匀分配。一个或多个加热器174设置在面板136上。在一个实施方式中，加热器174设置在面板136内。加热器174可以是能够向面板136提供热的任何机构。在一个实施方式中，加热器174包括可嵌入在面板136内并包围面板136的电阻式加热器。在另一个实施方式中，加热器174包括形成在面板136中的通道(未示出)，所述通道使加热的流体从中流过。加热器174将面板136加热到高温，例如300℉、400℉、500℉或更高。在处理期间(诸如在化学气相沉积工艺期间)将面板136的温度升高到诸如300℉、400℉或500℉的温度使基板W上的污染物颗粒沉积显著更少。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的面板，包括：主体，由陶瓷材料形成，所述主体包括：顶表面；第一底表面；第二底表面；第三底表面，在所述第一底表面与所述第二底表面之间延伸；和外表面，在所述顶表面与所述第一底表面之间延伸；凹槽，形成在所述顶表面中；和多个孔隙，形成在所述凹槽与所述第二底表面之间。

【技术特征摘要】
2018.01.24 US 62/621,4131.一种用于处理基板的面板，包括：主体，由陶瓷材料形成，所述主体包括：顶表面；第一底表面；第二底表面；第三底表面，在所述第一底表面与所述第二底表面之间延伸；和外表面，在所述顶表面与所述第一底表面之间延伸；凹槽，形成在所述顶表面中；和多个孔隙，形成在所述凹槽与所述第二底表面之间。2.如权利要求1所述的面板，进一步包括：设置在所述凹槽内的加热器。3.如权利要求1所述的面板，其中，所述凹槽的深度约为500微米。4.如权利要求1所述的面板，进一步包括：形成在所述外表面中的多个对准特征，所述多个对准特征围绕所述面板的中心轴线设置。5.如权利要求4所述的面板，其中，所述多个对准特征包括在所述顶表面与所述第一底表面之间的狭槽。6.如权利要求1所述的面板，其中，所述陶瓷材料是氧化铝或氮化铝。7.如权利要求1所述的面板，其中，所述第三底表面在朝向所述顶表面的径向向外方向上在所述第一底表面与所述第二底表面之间线性地延伸。8.一种处理腔室，包括：腔室主体；基板支撑件，设置在所述腔室主体内；和耦接到所述腔室主体的盖组件，所述盖组件包括：盖；阻挡板，耦接到所述盖；和由陶瓷材料形成的面板，所述面板耦接到所述阻挡板和所述腔室主体，所述面板包括：面板主体，所述面板主体包括：顶表面；第一底表面；第二底表面；第三底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇星，K·阿拉亚瓦里，K·高希，S·巴录佳，D·黄，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国,US