用于介电膜的选择性沉积的方法及设备技术

处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉积膜。亦描述了使用处理平台和处理多个晶片的方法。

Method and Equipment for Selective Deposition of Dielectric Films

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于介电膜的选择性沉积的方法及设备
本公开内容一般地涉及用于沉积薄膜的设备和方法。特别地，本公开内容涉及用于选择性地沉积膜的整合原子层沉积工具和方法。
技术介绍
通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于沉积和移除材料层的受控方法。现代半导体制造工艺越来越重视在工艺步骤之间没有空气中断的膜的整合。此种要求对于配备制造商而言提出了允许将各种处理腔室整合到单个工具中的挑战。已经变得风行的用于沉积薄膜的一种工艺是原子层沉积(ALD)。原子层沉积是一种方法，其中基板暴露于前驱物，该前驱物化学吸附到基板表面，随后暴露于与化学吸附的前驱物反应的反应物。ALD处理是自限性的，且可提供膜厚度的分子等级控制。然而，由于需要在暴露于前驱物和反应物之间净化反应腔室，所以ALD处理可能是耗时的。因为用于半导体的图案化应用的需求，选择性沉积工艺正在变得更为频繁地采用。传统上，微电子工业中的图案化已经使用各种光刻和蚀刻工艺实现。然而，由于光刻正在以指数方式变得复杂且昂贵，因此使用选择性沉积来沉积特征变得更具吸引力。随着装置尺寸继续减小到小于10nm的范畴，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理平台，包括：中央传送站，具有机器人在所述中央传送站中，所述中央传送站具有多个侧面；预清洁腔室，连接到所述中央传送站的第一侧面，所述预清洁腔室经构造以执行湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺中的一种或多种；及批量处理腔室，连接到所述中央传送站的第二侧面，所述批量处理腔室具有多个由气帘隔开的处理区域，所述批量处理腔室包括基座组件，所述基座组件经构造以围绕中心轴线支撑并旋转多个基板，使得所述基板移动通过所述多个处理区域，其中至少所述中央传送站具有在惰性气体中包含大于或等于约0.1重量％的水蒸气的环境。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.24 US 62/449,6681.一种处理平台，包括：中央传送站，具有机器人在所述中央传送站中，所述中央传送站具有多个侧面；预清洁腔室，连接到所述中央传送站的第一侧面，所述预清洁腔室经构造以执行湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺中的一种或多种；及批量处理腔室，连接到所述中央传送站的第二侧面，所述批量处理腔室具有多个由气帘隔开的处理区域，所述批量处理腔室包括基座组件，所述基座组件经构造以围绕中心轴线支撑并旋转多个基板，使得所述基板移动通过所述多个处理区域，其中至少所述中央传送站具有在惰性气体中包含大于或等于约0.1重量％的水蒸气的环境。2.如权利要求1所述的处理平台，进一步包括：等离子体腔室，连接到所述中央传送站的第三侧面，所述等离子体腔室经构造以产生去耦等离子体。3.如权利要求1所述的处理平台，其中所述多个处理区域包括硅前驱物和反应物，所述反应物包括供氧反应物、供氮反应物、或供碳反应物中的一或多种，且所述多个处理区域进一步包括钝化区域，所述钝化区域包括钝化剂。4.如权利要求1所述的处理平台，其中所述预清洁腔室，所述批量处理腔室，或钝化腔室中的一或多个经构造以输送包括烷基硅烷的钝化剂。5.如权利要求4所述的处理平台，其中所述烷基硅烷具有通式SiR4，其中每个R独立地为C1-C6烷基、取代或未取代的胺、取代或未取代的环胺、所述烷基硅烷基本上不包含Si-H键。6.如权利要求5所述的处理平台，其中所述烷基硅烷包括具有范围在4至10个原子的环的至少一个取代或未取代的环胺。7.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，米哈拉·鲍尔西努，夏立群，杨冬青，朱拉拉，马尔科姆·J·贝文，特蕾莎·克莱默·瓜里尼，闫文波，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US