The invention relates to a high temperature electrostatic suction cup, and discloses a substrate support member. The substrate support has a dielectric main body, and the dielectric main body is formed with a plurality of features. The wall frame surrounds the plurality of features around the periphery of the plurality of features. The features are increased in number from the center area of the substrate support toward the wall frame. The deployment layer is optionally arranged on the dielectric body.
【技术实现步骤摘要】
高温静电吸盘
本公开内容的实施方式总的来说涉及用于半导体处理的基板支撑件。
技术介绍
诸如半导体器件之类的器件几何尺寸继续缩小并且复杂性增加。随着这种器件几何形状发展,对于用于执行制造工艺的方法和部件的要求也在提高。这种部件的一个示例是用于半导体处理中的静电吸盘。如今的半导体器件由在更高的处理温度下形成的越来越多的层以及增加的层厚度制成。增加的层和处理温度通常造成基板弯曲(即,基板跨其直径挠曲)。在一些情况下,基板可以具有多达1毫米(mm)或更多的挠曲。常规的静电吸盘不能充分地卡紧基板的增加的挠曲,这是因为例如因高的卡紧电压而不能提供足够强的卡紧力或电弧。另外,新的处理技术要求在静电吸盘的寿命期间施加更一致的卡紧力。因此,需要改进的静电吸盘装置。
技术实现思路
本公开内容总的来说涉及用于半导体处理的基板支撑件。在一个实施方式中,一种基板支撑件具有耦接到介电主体的温度控制基部。介电主体上具有基板卡紧表面,基板卡紧表面部分地由形成在介电主体的周边上的壁架限定。电极设置在介电主体内。多个特征形成在壁架的径向内侧。特征的数量从基板卡紧表面的中心到壁架径向地增加。在另一个实施方式中,一种基板支撑件具有介电主体。介电主体上具有基板卡紧表面,基板卡紧表面部分地由形成在介电主体的周边上的壁架限定。电极设置在介电主体内。多个特征形成在壁架的径向内侧。特征的数量从基板卡紧表面的中心到壁架径向地增加。调配层形成在介电主体上,调配层耐受因暴露于处理化学物质下而造成的降解。在又一个实施方式中,一种基 ...
【技术保护点】
1.一种基板支撑件,包括:/n温度控制基部;/n介电主体,在所述介电主体上具有基板卡紧表面,所述基板卡紧表面部分地由壁架限定,所述壁架围绕所述介电主体的周边形成;/n电极,所述电极设置在所述介电主体内;和/n多个特征,所述多个特征形成在所述壁架的径向内侧,其中特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加。/n
【技术特征摘要】
20180516 US 62/672,317;20190411 US 16/381,9861.一种基板支撑件,包括:
温度控制基部;
介电主体,在所述介电主体上具有基板卡紧表面,所述基板卡紧表面部分地由壁架限定,所述壁架围绕所述介电主体的周边形成;
电极,所述电极设置在所述介电主体内;和
多个特征,所述多个特征形成在所述壁架的径向内侧,其中特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加。
2.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述多个特征中的每个特征具有在约1mm与约2mm之间的直径。
3.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述多个特征中的每个特征具有在约10微米至约50微米之间的高度。
4.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述多个特征包括约1000个特征。
5.如权利要求1所述的基板支撑件,进一步包括温度控制装置,所述温度控制装置设置在所述介电主体中。
6.如权利要求1所述的基板支撑件,其中所述介电主体具有在约15毫安与约115毫安之间的泄漏电流。
7.一种基板支撑件,包括:
介电主体,在所述介电主体上具有基板卡紧表面,所述基板卡紧表面部分地由壁架限定,所述壁架围绕所述介电主体的周边形成;
电极,所述电极设置在所述介电主体内;
多个特征,所述多个特征形成在所述壁架的径向内侧,其中特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加;和
调配层,所述调配层形成在所述介电主体上,所述调配层耐受因暴露于处理化学物质下而造成的降解。
8.如权利要求7所述的基板支撑件,其中所述多个特征中的每个特征具有在约1mm与约2mm之间的直径。
9.如权利要求7所述的基板支撑件,其中所述多个特征中的每个特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·A·哈贾,J·马,H·J·于,F·吴,J·李,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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