真空处理系统以及操作真空处理系统的方法技术方案

描述一种用于输送带有基板的载体的真空处理系统。所述系统包括：第一真空处理腔室，所述第一真空处理腔室用于处理所述载体上的所述基板；真空缓冲腔室，所述真空缓冲腔室为所述基板提供处理时间延迟；第二真空处理腔室，所述第二真空处理腔室用于在所述基板上掩蔽沉积材料层；以及一个或多个传送腔室，所述一个或多个传送腔室用于从所述第一真空处理腔室输送所述载体至所述真空缓冲腔室，以及用于从所述真空缓冲腔室输送所述载体至所述第二真空处理腔室。

Vacuum treatment system and its operation

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空处理系统以及操作真空处理系统的方法
本公开内容的多个实施方式涉及特别是用于在多个基板上沉积两种、三种或更多种不同的材料的多种真空处理系统及多种操作真空处理系统的方法。多个实施方式特别涉及多种真空处理系统以及多种操作真空处理系统的方法，其中由多个基板载体所支承的多个基板在真空处理系统中沿着基板运输路径被运输例如至各种沉积模块中以及离开各种沉积模块。再者，多个实施方式特别涉及多种真空处理系统以及操作多种真空处理系统的多种方法，其中多个基板由多个基板载体支撑在基本上垂直的取向上。
技术介绍
因为许多原因，使用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用来制造这类装置的许多材料相对便宜，所以有机光电装置比起无机装置来具有成本优势的潜力。有机材料的固有特性(诸如柔性)可有利于诸如用于在柔性或非柔性基板上的沉积的应用。有机光电装置的示例包括有机发光装置(organiclightemittingdevices，OLEDs)、有机显示器、有机光电晶体管、有机光伏电池以及有机光电探测器。比起传统材料，有机材料的OLED装置可具有性能优势。例如，有机发光层发光的波长可容易地利用适当的掺杂剂调整。OLED装置使用薄有机膜，当跨装置供应电压时，该薄有机膜发光。针对使用于诸如平板显示器、照明(illumination)以及背光的应用来说，OLED装置成为越来越令人感兴趣的技术。一般在低于大气压的压力(sub-atmosphericpressure)下在真空处理系统中将材料沉积在基板上。在沉积期间，掩模装置可布置在基板的前方，其中掩模装置可具有至少一个开口或多个开口，所述至少一个开口或多个开口限定开口图案，该开口图案对应于例如通过蒸发将在基板上沉积的材料图案。基板一般在沉积期间布置在掩模装置的后方，且相对于掩模装置对准。具有准确对应于显示器的像素分辨率的掩模具有挑战性，特别是对于大面积基板以及基本上垂直的基板取向来说。一般来说，例如为了制造彩色显示器，五个或更多个或甚至十个或更多个材料层可相继地沉积在基板上。一般来说，在层堆叠中沉积一个或多个有机材料层以及一个或多个金属材料层。特别是，例如对于相继的沉积层来说，金属层的精准度可能导致基板温度增加，这给准确的掩模对准增加了进一步的难度。增加产量以及因此减少真空处理系统的作业时间(tacttime)的需求增加了进一步的挑战性。因此，提供改良的真空处理系统以及操作改良的真空处理系统的方法用于在多个基板上沉积多个材料是有利的。
技术实现思路
有鉴于上述，提供一种用于处理基板的真空处理系统、一种用于在基板上沉积多层的真空处理系统以及一种操作真空处理系统的方法。根据一个实施方式，提供一种用于输送带有基板的载体的真空处理系统。该系统包括：第一真空处理腔室，用于处理载体上的基板；真空缓冲腔室，为基板提供处理时间延迟；第二真空处理腔室，用于在基板上掩蔽沉积材料层；以及一个或多个传送腔室，用于从第一真空处理腔室输送载体至真空缓冲腔室以及用于从真空缓冲腔室输送载体至第二真空处理腔室。根据另一实施方式，提供一种用于在大面积基板上制造有机发光二极管(OLED)显示器的真空处理系统。该系统包括：金属沉积腔室，具有蒸发器，该蒸发器用于在大面积基板上的层堆叠上的待沉积的金属材料；真空缓冲腔室，设置在真空处理系统中的金属沉积腔室的下游，真空缓冲腔室构造成储存支撑多个大面积基板的两个或多个载体；其他沉积腔室，位于真空缓冲腔室的下游且具有其他蒸发器以在大面积基板上沉积材料，该其他沉积腔室包括掩模支撑件，掩模支撑件用于遮蔽这些大面积基板以在对应于显示像素的多个区域上沉积材料的阴影掩模(shadowmask)；以及传送腔室，包括冷却元件，冷却元件邻近载体位置布置，以减少载体的温度。根据另一实施方式，提供一种操作真空处理系统的方法。该方法包括：在第一作业时段期间，在基板上沉积材料层；在第一作业时段后续的一个或多个第二作业时段期间，在真空缓冲腔室中停放支撑基板的载体；以及在该一个或多个第二作业时段后续的第三作业时段的至少一部分期间，冷却在与冷却元件相邻的传送腔室中的载体。本公开内容的其他方面、优点以及特征从说明书以及附图中明朗。附图说明为了能详细理解本公开内容的上述特征，可参照多个实施方式对简要概述于上的本公开内容进行更具体的说明。附图涉及本公开内容的多个实施方式且描述如下。多个典型实施方式示出在附图中并且在下文的描述中详细说明。图1A示出在金属沉积后的表示玻璃基板的温度的曲线；图1B示出表示载体例如静电吸座(electrostaticchuck)随时间变化的温度的曲线；图2示出根据本公开内容的实施方式的真空处理系统的一部分，其中示出缓冲腔室以及传送腔室，缓冲腔室提供例如用于已处理的基板的先进先出(first-in-first-out)缓冲；图3示出根据本公开内容的实施方式的表示用于真空处理系统的基板的温度以及载体的温度的曲线；图4示出根据本公开内容的实施方式的传送腔室中的冷却元件的实施方式；图5示出根据本公开内容的实施方式的冷却元件；图6A示出根据本公开内容的实施方式的真空处理系统的示意图，该真空处理系统具有两个或多个真空群集腔室以及连接于一个或多个真空群集腔室的多个处理腔室；图6B示出图3A的真空处理系统的示意图，以及示出根据本公开内容的实施方式的真空处理系统中的示例性的基板运输或者基板流动；图7A示出根据本公开内容的实施方式的其他真空处理系统的示意图，该其他真空处理系统具有两个或多个真空群集腔室以及连接于一个或多个真空群集腔室的多个处理腔室；7B图示出图4A的真空处理系统的示意图，以及示出根据本公开内容的实施方式的真空处理系统中的示例性的基板运输或者基板流动；图8示出根据本公开内容的实施方式的蒸发源组件的顶视图；以及图9示出操作真空处理系统的方法的实施方式的流程图。具体实施方式现将详细参照各种实施方式，各种实施方式的一个或多个示例示出于附图中。各示例以说明的方式提供而不意味为限制。再者，所示出或描述而作为一个实施方式的部分的特征能用于任何其他实施方式上或与任何其他实施方式结合使用，以产生进一步的实施方式。本公开内容意欲包括这类修改和变化。在下方的附图说明中，相同的参考数字表示相同或类似的部件。一般来说，仅描述关于个别实施方式的不同之处。除非另有说明，一个实施方式中的部分或方面的描述也适用于另一实施方式中的对应部分或方面。OLED装置诸如OLED平板显示器可包括多层。例如，可设置五层或更多层、或者甚至10层或更多层的组合。一般来说，多个有机层以及多个金属层沉积在背面上，其中背面可包括薄膜晶体管(TFT)结构。特别是，在封装之前，有机层可能对气体环境(例如大气)敏感。因此，在真空处理系统中制造完整的层堆叠是有利的，该层堆叠包括有机层以及金属层两者。在本公开内容中，参照特别是用于移动装置的OLED平板显示器的制造。然而，同样可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空处理系统，用于输送带有待处理的基板的载体，所述真空处理系统包括：/n第一真空处理腔室，用于处理所述载体上的所述基板；/n真空缓冲腔室，为所述基板提供处理时间延迟；/n第二真空处理腔室，用于在所述基板上掩蔽沉积材料层；以及/n一个或多个传送腔室，用于从所述第一真空腔室输送所述载体至所述真空缓冲腔室以及用于从所述真空缓冲腔室输送所述载体至所述第二真空腔室。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空处理系统，用于输送带有待处理的基板的载体，所述真空处理系统包括：
第一真空处理腔室，用于处理所述载体上的所述基板；
真空缓冲腔室，为所述基板提供处理时间延迟；
第二真空处理腔室，用于在所述基板上掩蔽沉积材料层；以及
一个或多个传送腔室，用于从所述第一真空腔室输送所述载体至所述真空缓冲腔室以及用于从所述真空缓冲腔室输送所述载体至所述第二真空腔室。


2.如权利要求1所述的真空处理系统，其中所述真空缓冲腔室为接收的多个载体提供先进先出(first-in-first-out)堆叠。


3.如权利要求1至2任一项所述的真空处理系统，其中所述真空缓冲腔室构造成缓冲四个或更多个基板载体。


4.如权利要求1至3任一项所述的真空处理系统，其中所述一个或多个传送腔室包括：
第一真空群集腔室，从所述真空处理系统中的第一运输方向引导载体至所述真空处理系统中的第二运输方向。


5.如权利要求4所述的真空处理系统，进一步包括：
至少第二真空群集腔室，从所述真空处理系统中的第一运输方向引导载体至所述真空处理系统中的第二运输方向。


6.如权利要求5所述的真空处理系统，其中所述一个或多个传送腔室进一步包括：
第一传送腔室，位于所述第一真空群集腔室以及所述真空缓冲腔室之间；以及
第二传送腔室，位于所述第一真空群集腔室以及所述至少第二真空群集腔室之间。


7.如权利要求6所述的真空处理系统，其中所述第一传送腔室以及所述第二传送腔室的至少一个包括：
冷却组件，邻近载体位置布置，以减少所述载体的温度。


8.如权利要求7所述的真空处理系统，其中所述冷却组件包括具有区域的一个或多个冷却表面，所述区域带有用于冷却流体的多个导管。


9.如权利要求1至8任一项所述的真空处理系统，其中所述第二真空腔室具有掩模对准组件以用于对准阴影掩模(shadowmask)于所述基板。


10.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·班格特，沃尔夫冈·布什贝克，托马斯·伯杰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US