描述增强选择性沉积的数种方法。一些实施方式中，在沉积介电质之前，将阻挡层沉积于金属表面上。一些实施方式中，金属表面经过官能化而增强或降低其反应性。

兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。

提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复...

本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第...

增材制造系统包括平台、在所述平台的顶表面上分配复数个进料层的分配器、用于产生第一光束和第二光束的光源、多边形镜扫描仪、相邻于所述多边形镜扫描仪定位的检流计镜扫描仪和控制器。控制器耦合至光源、多边形镜扫描仪和检流计镜扫描仪，并且所述控制器...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述...

用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和...

描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

提供了一种处理衬底上的材料层的方法。所述方法包括：通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到电容耦合等离子体腔室的喷头；点燃所述电容耦合等离子体腔室内的等离子体；相对于所述RF功率的基本频率的相位测量所述RF功率的一个或多个谐波信号的一个或...

描述一种检查样本(10)的方法，所述样本具有多层结构(15)，所述多层结构具有布置于第二层(12)的上方的第一层(11)。所述方法包括：将所述样本布置于真空腔室中；将主电子束(20)导引到所述样本(10)上，使得所述主电子束的第一主电子...

增材制造设备包含：平台；分配器，所述分配器在所述平台上输送进料的复数个连续层；光源，所述光源产生一个或多个光束；第一检流计镜扫描仪，定位所述第一检流计镜扫描仪以将第一光束引导至所述复数个连续层的最顶层上；第二检流计镜扫描仪，定位所述第二...

本文所述的实施方式一般涉及基板支撑组件和处理腔室。在一个实施方式中，一种基板支撑组件包括：基部；以及ESC，所述ESC具有设置在所述基部之上的多个二极管。所述二极管提供快速开关速度，从而实现快速吸紧和松脱操作。

本实用新型涉及用于处理基板的面板和气体分配装置。公开一种用于在处理腔室内分配气体的装置。所述装置具有主体，所述主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在所述分配部分内，以将所述主体加热到高温。桥接件延伸在所述耦接部分与...

本公开内容总的来说涉及用于基板处理腔室中的气体分配的装置。所述气体分配装置包括第一区隔板、第二区隔板和面板。所述面板可移动地放置在部分地限定处理容积的腔室衬垫上。灯组件设置在所述气体分配组件上方并且可调整地加热所述面板。

提供了用于基板处理腔室的工艺配件和处理腔室。所述工艺配件包括边缘环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述第二...

提供了用于基板处理腔室的工艺配件及处理腔室。所述工艺配件包括边缘环、滑环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所...

本公开内容涉及用于测量到铁磁元件的距离的距离传感器、用于磁性悬浮铁磁元件的磁性悬浮系统、和用于补偿距离传感器中的杂散磁场的方法。根据第一方面，提出测量到铁磁元件的距离的距离传感器。根据第二方面，提出磁性悬浮铁磁元件的磁性悬浮系统，包括至...

本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，...

提供了用于处理基板的工艺配件和处理腔室。所述工艺配件包括边缘环、可调整调节环、以及致动机构。所述边缘环具有第一环部件，所述第一环部件与相对于所述第一环部件可移动的第二环部件相接，在所述第一环部件和所述第二环部件之间形成间隙。所述第二环部...