描述了将膜选择性沉积到相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。所述方法包括将基板暴露于阻挡分子以在所述第一表面上选择性沉积阻挡层。将所述阻挡层暴露于聚合物引发剂以形成网络状阻挡层。在所述第二表面上选择性形成层。所述阻挡层抑制在所述第一...

本文提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室壁，腔室壁限定处理腔室内的内部空间；基板支撑件，基板支撑件设置在内部空间中，基板支撑件具有支撑表面以支撑基板，其中内部空间包含处理空间和非处理空间，处理空间设置在支撑表...

公开了用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备。用于在衬底上产生精细间距图案化的方法和设备。在载体或无载体的衬底上完成所述衬底的翘曲校正。通过将所述衬底的温度升高到第一温度且保持为所述第一温度和将所述无载体的衬底冷却到第二温度来对所述...

本文所公开的方面涉及在有机发光二极管(OLED)的制造中使用的具有组合的公共金属掩模(CMM)和精细金属掩模(FMM)的设备及其制造方法。一方面，提供了一种掩模组件。所述掩模包括：公共金属掩模，所述公共金属掩模具有从中穿过的一个或多个窗...

可执行处理方法以暴露半导体基板上的接触区域。所述方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷。所述方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一电介质材料上方形成衬垫。所述方法可包括在衬垫上方形成第二电介质...

提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔...

本公开的实施例总体上涉及用于在基板上形成结构的方法及相关处理装备(例如，在基板上形成的一个或更多个层内蚀刻高纵横比结构)。本文所述的方法及相关装备可以通过控制基板的周边附近的等离子体鞘层边界的曲率来改善基板上的结构的形成(例如，通过在整...

本公开的实施方式涉及一种用于在处理腔室中使用来制造半导体器件的改进的静电吸盘。在一个实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有限定在其中的处理容积；以及静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内。所述静电吸盘包括：支撑表面...

本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板具有多个孔；保持器，保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘，所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板，所述径向向外延伸的凸...

本公开内容的实施方式涉及用于退火半导体基板的设备和方法。在一个实施方式中，披露一种批量处理腔室。批量处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包围处理区域；气体面板，所述气体面板配置成提供处理流体至处理区域中；凝结器，所述凝结器流体连接至处理...

本文所描述的实施方式总体上涉及在衬底上的三维(3D)结构的掺杂。在一些实施方式中，可以在所述3D结构上方沉积含保形掺杂物的膜。可掺入在膜中的合适的掺杂物包括卤素原子。之后，可以将所述膜退火以将所述掺杂物扩散到所述3D结构中。

本文公开一种用于使用电感耦合等离子体源来处理基板的设备。电感耦合等离子体源利用功率源、屏蔽构件以及耦合到功率源的线圈。在某些实施例中，线圈与水平螺旋群组以及垂直延伸的螺旋群组布置在一起。根据某些实施例，屏蔽构件利用接地构件来用作法拉第屏...

本公开内容大体涉及一种基板支撑件，所述基板支撑件包括主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料。所述主体还包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌...

提供了用于制造受良好地控制的固态纳米孔及固态纳米孔阵列的方法。一方面，用于制造纳米孔及纳米孔阵列的方法利用物理接缝。在衬底的顶侧中形成一个或多个蚀坑，并且在衬底的背侧中形成与所述一个或多个蚀坑对准的一个或多个沟槽。在所述一个或多个蚀坑与...

一种增材制造设备包含：平台；分配器，所述分配器用以在所述平台上分配进料的连续层；热源，所述热源位于所述平台上方；能量源，所述能量源用以发射能量束，所述能量束撞击最顶层的第二区域；传感器系统，所述传感器系统用以测量进料的最顶层的温度并且测...

本公开内容大体涉及一种基板支撑件，所述基板支撑件包括主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料。所述主体还包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌...

公开了一种用于操作处理腔室的端点检测系统的方法，所述处理腔室具有形成在其中的顶板、位于所述处理腔室内的基板支撑件和搁置在所述基板支撑件上的基板。透明面板位于所述处理腔室的所述顶板中，所述面板相对于所述基板和所述基板支撑件以第一锐角定向。...

描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积...

描述产生自对准结构的方法。所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积...

本文提供一种用于输送气体至半导体处理系统的方法和设备。在一些实施方式中，该设备包含：气体入口管线，该气体入口管线具有入口阀；气体出口管线，该气体出口管线具有出口阀；气体流量控制器，该气体流量控制器经布置以控制通过该入口阀的流量；孔口，该...