【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在二氧化硅上选择性沉积电介质的方法
本公开内容的实施方式一般地涉及使用自组装单层在介电表面上选择性沉积膜以阻挡其他表面的方法。本公开内容的其他实施方式涉及用于经由H封端的硅表面的氢化硅烷化来选择性沉积自组装单层的方法。
技术介绍
在追求包含纳米级特征的快速缩放的器件小型化方面，半导体行业面临许多挑战。此类挑战包括经常使用多个光刻和蚀刻步骤的复杂器件的制造。此外，半导体行业希望使用低成本另选方案替代高成本EUV来图案化复杂架构。为了维持器件小型化节奏并降低芯片制造成本，选择性沉积已经展示出了前景。它有可能通过简化整合方案来消除高成本的光刻步骤。材料的选择性沉积可以通过多种方式来完成。例如，一些工艺可以基于表面的表面化学物质而对该表面有固有的选择性。这些工艺非常少见，并且通常需要具有不同的表面能的表面，诸如金属和电介质。在表面类似的情况下(SiO2对比Si-H项或SiN)，需要通过采用选择性地与一个表面反应而不与另一个表面反应的表面处理来选择性阻挡表面，从而在之后ALD或CVD工艺期间有效地阻挡任何表面反应。...
【技术保护点】
1.一种选择性沉积的方法，包括：/n提供具有第一材料和第二材料的基板，所述第一材料具有第一表面，所述第二材料具有第二表面，所述第一材料基本上由氢封端的硅组成，所述第二材料包括电介质；/n将所述基板暴露于至少一种自由基引发剂以活化所述第一表面；/n将所述基板暴露于包括至少一个阻挡分子的阻挡化合物以相对于所述第二表面在经活化的第一表面上选择性沉积阻挡层，所述阻挡分子包括头基和尾基，所述头基包括至少一个烯烃或炔烃部分；及/n相对于所述第一表面在所述第二表面上选择性形成介电层，/n其中所述阻挡层含有多个硅-碳键并抑制所述介电层在所述第一表面上沉积。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170919 US 62/560,4411.一种选择性沉积的方法，包括：
提供具有第一材料和第二材料的基板，所述第一材料具有第一表面，所述第二材料具有第二表面，所述第一材料基本上由氢封端的硅组成，所述第二材料包括电介质；
将所述基板暴露于至少一种自由基引发剂以活化所述第一表面；
将所述基板暴露于包括至少一个阻挡分子的阻挡化合物以相对于所述第二表面在经活化的第一表面上选择性沉积阻挡层，所述阻挡分子包括头基和尾基，所述头基包括至少一个烯烃或炔烃部分；及
相对于所述第一表面在所述第二表面上选择性形成介电层，
其中所述阻挡层含有多个硅-碳键并抑制所述介电层在所述第一表面上沉积。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述基板暴露于预处理以在所述第一表面上形成氢封端的硅层。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二材料包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)或低k电介质。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述自由基引发剂选自光化学引发剂、热引发剂、基于等离子体的引发剂或化学引发剂。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述化学引发剂包括过氧化物、偶氮化合物、金属催化剂或有机催化剂。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述过氧化物选自过氧化氢、过氧化枯烯或叔丁基过氧化物。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述偶氮化合物选自偶氮二异丁腈(AIBN)或4,4'-偶氮吡啶。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述金属催化剂包括选自稀土金属、Pt、Pd、Ru或Co的金属。
9.如权利要求5所述的方法，其中所述有机催化剂包括有机酯或有机酸。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述尾基为直链烃、支链烃或芳族部分。
技术研发人员：巴斯卡尔·乔蒂·布雅，马克·沙丽，大卫·汤普森，拉克马尔·C·卡拉塔拉格，拉纳·霍华德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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