用于沉积腔室的基板支撑件设计制造技术

本公开内容大体涉及一种基板支撑件，所述基板支撑件包括主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料。所述主体还包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括中心接头结构，所述中心接头结构形成在所述主体的底表面中，与所述网状物电连通。

Design of substrate support for deposition chamber

【技术实现步骤摘要】
用于沉积腔室的基板支撑件设计
本公开内容大体涉及用于在沉积腔室中支撑基板的基板支撑件(诸如基座或静电吸附装置)的设备和方法。
技术介绍
集成电路已发展成复杂器件，其可以在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器、电阻器及类似部件)。芯片设计的发展需要更快的电路以及更大的电路密度，而对更大的电路密度的需求需要减小集成电路部件的尺寸。例如，超大规模集成(ULSI)电路器件可以包括形成在半导体基板(诸如硅(Si)基板)上的超过一百万个电子器件(例如，晶体管)，这些电子器件协作以执行器件内的各种功能。静电吸盘或ESC通常用于将基板保持在沉积或蚀刻腔室内的基板支撑件上以形成这些器件。在基板上提供均匀的膜沉积的基板的温度均匀性受基板支撑件的温度的影响。通常，ESC耦接到接地电位。然而，来自接地的电磁能量可能不利地影响温度监测装置操作。另外，腔室清洁工艺通常使用对ESC硬件有腐蚀性的气体，这会缩短ESC的使用寿命。需要的是一种可减轻上述一个或多个问题的方法和设备。
技术实现思路
本公开内容大体涉及一种基板支撑件，所述基板支撑件包括主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料。所述主体还包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括中心接头(tap)结构，所述中心接头结构形成在所述主体的底表面中，与所述网状物电连通。在另一个实施方式中，提供了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料；第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中；导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中；第二箔，所述第二箔在所述网状物与所述主体的底表面之间嵌入在所述主体中；以及中心接头结构，所述中心接头结构形成在所述底表面中，与所述网状物电连通。在另一个实施方式中，提供了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：复合主体，所述复合主体具有基板接收表面，所述复合主体由介电材料组成，包括：第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中；导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中；中心接头结构，所述中心接头结构形成在所述主体的底表面中，与所述网状物电连通；支撑臂，所述支撑臂从所述主体的中心延伸，以悬臂方式支撑所述主体；接地电缆和温度传感器，所述接地电缆和所述温度传感器耦接到所述主体并以平行关系容纳在所述支撑臂内；以及介电构件，所述介电构件将所述接地电缆和所述温度传感器分开。附图说明为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上面简要地概述的本公开内容的更特定的描述，实施方式中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可以允许其它同等有效实施方式。图1A是根据一个实施方式的沉积腔室的示意性截面图。图1B是沿图1A的线1B-1B的沉积腔室的俯视平面图。图2A是示出基板支撑件的一个实施方式的等距视图。图2B是图2A的基板支撑件的分解图。图3A是示出基板支撑件的另一个实施方式的等距视图。图3B是图3A的基板支撑件的分解图。图4A是基板支撑件的另一个实施方式的等距截面图。图4B是图4A中所示的主体的一部分的放大横截面。图5A是基板支撑件的另一个实施方式的等距截面图。图5B示出了图5A中所示的主体的一部分的放大横截面。图6A是主体和支撑臂的接口部分的分解局部截面图。图6B是间隔构件和电缆导件的放大等距视图。图6C是间隔构件和电缆导件的放大等距视图。图6D示出了将接地电缆与温度传感器电缆电隔离的另一个实施方式。图6E是图6D的介电构件中的一个的侧视图。图7A是基板支撑件的等距底视图，示出了支撑臂的接口部分。图7B是支撑臂的接口部分的放大视图。图7C是从图7B中所示的视图旋转180度的介电盖的等距视图。图8A是支撑臂的一个实施方式的等距视图。图8B是沿图8A的线8B-8B的支撑臂的截面图。图9A是基板支撑件的另一个实施方式的等距视图。图9B是图9A的基板支撑件的另一个等距视图，示出了定心特征。图9C是沿图9B的线9C-9C的定心特征中的一个的截面图。图10A是图9A的基板支撑件的等距底视图。图10B是图10A的基板支撑件的主体的底表面的放大视图。为了便于理解，尽可能地使用相同的附图标记来表示各图共有的相同元件。预期的是，一个实施方式的元件和特征可以有利地并入其它实施方式中，而无需进一步叙述。具体实施方式图1A是沉积腔室100的示意性截面图。图1B是沿图1A的线1B-1B的沉积腔室100的俯视平面图。沉积腔室100包括容纳基板支撑件110的主体105。喷头或穿孔面板115定位在基板支撑件110上方。基板支撑件110还可支撑静电吸盘、真空吸盘或其它吸附装置以在处理期间将基板固定在其上。穿孔面板115分配来自气源120的气体，气体在由基板支撑件110支撑的基板(未示出)上形成膜。基板支撑件110以及定位在其上的基板由设置在基板支撑件110下方的灯头125加热。灯头125包括多个灯130。灯头125适于将基板支撑件110加热到约400摄氏度与约480摄氏度之间的温度。灯头125与腔室容积由光学透明板135分隔。基板支撑件110至少部分地被环箍结构140包围，环箍结构140用于促成基板传送到及离开基板支撑件110。基板支撑件110耦接到适于在Z方向上相对于环箍结构140提升和降低基板支撑件110的马达145。例如，为了从基板支撑件110移除基板，降低基板支撑件110同时基板由环箍结构140悬置。此后，机器人叶片进入传送端口150(图1B所示)并从环箍结构140移除基板。穿孔面板115耦接到电源155，诸如射频电源。穿孔面板115是导电金属材料，诸如铝，并且电源155使穿孔面板115通电以在穿孔面板115与接地的基板支撑件110之间产生等离子体。使穿孔面板115通电以形成等离子体通常在清洁工艺期间使用，其中清洁气体(诸如氯、氟或其它清洁气体)被分解成自由基物种以清洁沉积腔室100。经由围绕沉积腔室100的内部的泵送通道160将过量气体从沉积腔室100移除。终点检测装置165耦接到沉积腔室100。终点检测装置165是通过窗170观察沉积腔室100的内部的光学装置。参考图1B，基板支撑件110是悬臂式的，并且耦接到支撑臂175。支撑臂175还包含电引线，诸如接地电缆以及温度传感器引线，两者将在下面被更详细地解释。图2A是示出基板支撑件200的一个实施方式的等距视图。图2B是图2A的基板支撑件200的分解图。基板支撑件200可以用作图1A和1B的沉积腔室100中的基板支撑件110。图3A是示出基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板支撑件，包括：/n主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料；/n第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中；/n导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中；以及/n中心接头结构，所述中心接头结构形成在所述主体的底表面中，与所述网状物电连通。/n

【技术特征摘要】
20181024 IN 2018410401381.一种基板支撑件，包括：
主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料；
第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中；
导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中；以及
中心接头结构，所述中心接头结构形成在所述主体的底表面中，与所述网状物电连通。


2.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包括：
第二箔，所述第二箔在所述网状物与所述底表面之间嵌入在所述主体中。


3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述主体以悬臂方式耦接到支撑臂。


4.如权利要求3所述的基板支撑件，其中所述支撑臂包含耦接到所述中心接头结构和中空轴的接地电缆。


5.如权利要求4所述的基板支撑件，其中所述支撑臂包含耦接在所述主体与所述中空轴之间的温度传感器。


6.如权利要求5所述的基板支撑件，其中所述支撑臂包括间隔构件，所述间隔构件定位在所述温度传感器与所述接地电缆之间。


7.如权利要求6所述的基板支撑件，其中所述间隔构件包括细长构件，所述细长构件包括介电材料。


8.如权利要求6所述的基板支撑件，其中所述间隔构件包括多个介电构件。


9.如权利要求3所述的基板支撑件，进一步包括电缆导件，所述电缆导件定位在所述支撑臂与所述主体之间。


10.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述主体包括多个定心特征。


11.一种基板支撑件，包括：
主体，所述主体具有基板接收表面，所述主体包括介电材料；
第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中；
导电网状物，所述导电网状物在所述第一箔下方嵌入在所述主体中；
第二箔，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：考希克·饶，戈文达·瑞泽，阿努巴霍夫·斯利瓦斯塔瓦，桑托斯·库马尔·皮拉帕，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US