用于使预热构件自定中心的装置制造方法及图纸

在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。

Device for self centering preheating components

【技术实现步骤摘要】
用于使预热构件自定中心的装置本申请是申请日为2014年10月09日、申请号为201480065524.7、专利技术名称为“用于使预热构件自定中心的装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的具体实施方式一般地涉及等离子体处理腔室内的预热构件。
技术介绍
半导体基板被处理以用于多种应用，包括集成器件和微器件的制造。处理基板的一种方法包括将材料(例如介电材料或导电金属)沉积在基板的上表面上。例如，外延生长为在基板的表面上生长薄的、超纯层(通常为硅层或锗层)的沉积工艺。通过流动与安置在支座上的基板的表面平行的处理气体，以及热分解所述处理气体以将来自所述气体的材料沉积在基板表面上，可将所述材料沉积在横向流动腔室内。现代硅技术中使用的最常见的外延薄膜沉积反应器在设计上相类似。然而，除了基板和处理条件之外，沉积反应器(即处理腔室)的设计对在薄膜沉积中使用精密气流的外延生长中的薄膜品质而言是必不可少的。布置在沉积反应器中的基座支撑组件和预热构件的设计影响外延沉积的均匀性。在碳化硅微粒(siliconcarbideparticulate:本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理腔室的对准组件，所述对准组件包含：/n下衬垫，所述下衬垫具有唇部；/n预热构件，所述预热构件具有底表面；/n对准机构，所述对准机构从所述唇部的顶表面延伸，所述对准机构与所述下衬垫的所述唇部成整体；以及/n拉长的槽，所述拉长的槽在所述预热构件的所述底表面内形成，且经配置以接受所述对准构件。/n

【技术特征摘要】
20131206 US 61/913,2451.一种用于处理腔室的对准组件，所述对准组件包含：
下衬垫，所述下衬垫具有唇部；
预热构件，所述预热构件具有底表面；
对准机构，所述对准机构从所述唇部的顶表面延伸，所述对准机构与所述下衬垫的所述唇部成整体；以及
拉长的槽，所述拉长的槽在所述预热构件的所述底表面内形成，且经配置以接受所述对准构件。


2.如权利要求1所述的对准组件，其中所述对准机构是所述唇部的成整体的一部分。


3.如权利要求1所述的对准组件，其中所述对准机构独立位于且运动于狭缝内，所述狭缝由与在所述预热构件内的所述拉长的槽对准的在所述唇部内的槽形成。


4.如权利要求3所述的对准组件，其中所述对准机构包括球状物。


5.如权利要求1所述的对准组件，其中所述预热构件和所述下衬垫具有相对于所述下衬垫的中线使所述预热构件自定中心的三个对准组件。


6.如权利要求1所述的对准组件，所述对准组件进一步包含：
当所述对准机构被设置在所述槽中时，在所述预热构件与所述下衬垫的所述唇部之间形成的第一缝隙。


7.如权利要求1所述的对准组件，其中所述拉长的槽为带有深V字形的椭圆形状。


8.如权利要求3所述的对准组件，其中所述拉长的槽为带有梯形轨道的椭圆形状。


9.一种处理腔室，所述处理腔室包含：
上圆顶；
下圆顶；
下衬垫，所述下衬垫设置在所述上圆顶和所述下圆顶之间，所述下衬垫中形成有拉长的衬垫槽，其中所述上圆顶、下圆顶和下衬垫界定处理气体区域；
基座支撑组件，所述基座支撑组件设置在所述处理气体区域内；
预热构件，所述预热构件设置在所述基座支撑组件上，所述预热构件中形成有拉长的预热构件槽，其中所述拉长的衬垫槽和所述拉长的预热构件槽与所述基座支撑组件的中线径向对准；以及
多个对准组件，所述多个对准组件设置在所述预热构件与所述下衬垫之间，所述多个对准组件中的至少两个对准组件定位在不同直径处，每个对准组件包含：
对准机构，所述对准机构形成为球状，其中所述对准机构被配置为在所述拉长的衬垫槽和所述拉长的预热构件槽中滚动并且在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔，理查德·O·柯林斯，尼欧·谬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US