具有嵌入式加热器的面板制造技术

公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。

Panel with embedded heater

【技术实现步骤摘要】
具有嵌入式加热器的面板
本公开的实施方式涉及一种用于基板处理腔室的面板，并且更具体地涉及一种用于与被加热的面板一起使用的热扼流器。
技术介绍
在集成电路的制造中，使用诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的沉积工艺来在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻的层更改工艺来暴露沉积层的一部分以进行进一步沉积。通常，这些沉积或蚀刻工艺以重复的方式使用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各种层。随着技术进步，新化学物质和工艺被利用来制造日益复杂的电路和半导体器件。通常，这些新工艺涉及较高处理温度。因此，用于执行所述工艺的处理部件经常被暴露于较高温度，诸如高于350华氏度。因此，需要改善的基板工艺腔室部件以供在升高温度下使用。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种处理腔室具有主体，所述主体具有侧壁和底部。盖耦接到所述主体以在其中限定处理容积。面板耦接到所述盖。所述面板具有主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面。多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间。挠曲件形成在所述主体中，环绕所述多个孔隙，部分地包围所述多个孔隙。切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成。所述切口和所述挠曲件具有公共半径。在另一个实施方式中，一种用于处理腔室的面板具有主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面。多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间。挠曲件形成在所述主体中，环绕所述多个孔隙。所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙。切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，在其中限定径向内表面和径向外表面。所述切口和所述挠曲件具有公共半径。在又一个实施方式中，一种用于处理腔室的面板具有主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面。多个孔隙穿过所述主体的中心部分形成在所述第一表面与所述第二表面之间。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口形成在所述主体的所述第一表面和所述第二表面之间。径向内表面和径向外表面限定在所述切口内。所述切口和所述挠曲件位于公共半径上。一个或多个孔口在所述主体的所述外表面与所述切口的所述径向外表面之间延伸。管道从所述切口的所述径向内表面延伸穿过所述一个或多个孔口中的每个。帽盖设置在所述一个或多个孔口中的每个中并环绕每个管道的一部分。附图说明因此，为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以通过参考实施方式获得上面简要地概述的本公开的更具体的描述，实施方式中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可以允许其它同等有效的实施方式。图1示出了根据本公开的一个实施方式的处理腔室的示意性剖视图。图2示出了根据本公开的另一个实施方式的面板的俯视图。图3示出了图2的面板的一部分的剖视图。图4示出了图2的面板的一部分的剖视图。图5示出了图2的面板的一部分的透视图。为了便于理解，在可能情况下，使用相同的附图标记来表示各图共有的相同要素。预期的是，一个实施方式的要素和特征可以有利地并入其它实施方式，而无需进一步叙述。具体实施方式本公开涉及用于处理腔室的面板。面板具有主体，主体具有穿过其中形成的多个孔隙。挠曲件形成在主体中，部分地包围多个孔隙。切口在与挠曲件的公共半径上穿过主体形成。一个或多个孔口从切口的径向内表面延伸到主体的外表面。加热器设置在挠曲件与多个孔隙之间。挠曲件和切口是限制来自加热器的热传递从其经过的热扼流器。多个密封件设置在挠曲件的径向外侧并保持在比主体的中心部分的温度低的温度下。图1示出了根据一个实施方式的处理腔室100的部分横截面的示意性布置。处理腔室100包括主体102，主体102具有侧壁104和底部106。盖108耦接到主体102以在其中限定处理容积110。在一个实施方式中，主体102由金属(诸如铝或不锈钢)形成。然而，可以使用适于与处理腔室100中执行的工艺一起使用的任何材料。面板136耦接到盖108。多个孔隙150穿过面板136形成并通过形成在盖108中的开口146与处理容积110流体连通。盖板132耦接到面板136以在其之间限定气室148。气体通过形成在盖板132中的入口端口160从气体面板140流入气室148中。电源154与设置在面板136中的加热器(未示出)连通，以升高加热器的温度。气体从气室148流过被加热的面板136中的孔隙150并进入处理容积110。基板支撑件115设置在处理容积110内，用于在其上支撑基板W。基板支撑件115包括耦接到轴116的支撑主体114。轴116耦接到支撑主体114并通过底部106中的开口118延伸到腔室主体102外。轴116耦接到致动器120以在基板装载位置与处理位置之间竖直地致动轴116和与其耦接的支撑主体114。波纹管190耦接到底部106和致动器120，环绕轴116，以密封在其中的处理容积110。真空系统(未示出)通过开口130流体地耦接到处理容积110，以便从处理容积110排出流出物。为了便于处理腔室100中的基板W的处理，基板W设置在支撑主体114上，与轴116相对。电极126任选地设置在支撑主体114内并通过轴116电耦接到电源128。电极126由电源128选择性地偏置以产生电磁场来将基板W静电吸紧到支撑主体114。在某些实施方式中，电极126是能够提高支撑主体114和基板W(当支撑在支撑主体114上时)的温度的加热电极。图2示出了可用作图1的面板136的面板200的俯视图。面板200具有圆形主体202，但是也可以使用其它形状，诸如方形或卵形。主体202由金属(诸如铝或不锈钢)形成。在一个实施方式中，主体202由两个部分202a和202b(图3和4)形成，这两个部分彼此耦接(诸如通过钎焊、粘结或焊接等方法)。多个孔隙204穿过主体202形成在主体202的中心部分250中。挠曲件206形成在主体202中并部分地包围多个孔隙204。密封件210设置在处于主体202的上表面304(图3和4)上、在挠曲件206的径向外侧和周围。第二密封件212(图3和4)类似地设置在主体202的下表面306(图3和4)上。在一个实施方式中，密封件210、212设置在相应的密封沟槽220、222(图3)中。在这种配置中，密封件210、212是由诸如聚四氟乙烯(PTFE)、橡胶或硅树脂的弹性材料形成的O形环。也可以预期其它密封设计，诸如片状垫圈或粘结剂。图3示出了面板200的一部分的剖视图，其示出了挠曲件206。挠曲件206由一系列交错通道300a、300b、300c形成，交错通道300a、300b、300c部分地穿过主体202形成。通道300a、300b和300c中的每个在其一端与主体202的相应的相对表面之间形成细桥。例如，通道300a和300b从主体部分202a的上表面304延伸穿过主体部分2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包括：/n主体，所述主体具有侧壁和底部；/n盖，所述盖耦接到所述主体，以在其中限定处理容积；以及/n面板，所述面板耦接到所述盖，所述面板包括：/n主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；/n多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；/n挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及/n切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口和所述挠曲件具有公共半径。/n

【技术特征摘要】
20180806 US 62/715,0691.一种处理腔室，包括：
主体，所述主体具有侧壁和底部；
盖，所述盖耦接到所述主体，以在其中限定处理容积；以及
面板，所述面板耦接到所述盖，所述面板包括：
主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；
多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；
挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及
切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口和所述挠曲件具有公共半径。


2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述切口和所述挠曲件形成环绕所述多个孔隙的环，所述挠曲件形成所述环的圆周的约95％，并且所述切口形成所述环的所述圆周的约5％。


3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述挠曲件包括多个交错通道，并且其中所述通道各自在所述挠曲件的第一端和第二端处通向所述切口。


4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述挠曲件被配置为吸收所述面板的热膨胀。


5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述面板的所述主体包括耦接在一起以形成所述主体的第一主体部分和第二主体部分。


6.一种面板，包括：
主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；
多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；
挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及
切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口在其中限定径向内表面和径向外表面，并且所述切口和所述挠曲件具有公共半径。


7.如权利要求6所述的面板，其中所述切口和所述挠曲件形成环绕所述多个孔隙的环，所述挠曲件形成所述环的圆周的约95％，并且所述切口形成所述环的所述圆周的约5％。


8.如权利要求6所述的面板，其中所述挠曲件包括多个交错通道，并且其中所述通道各自在所述挠曲件的第一端和第二端处通向所述切口。


9.如权利要求6所述的面板，其中所述挠曲件被配置为吸收所述面板的热膨胀。


10.如权利要求6所述的面板，其中所述面...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·黄，张宇星，K·高希，K·阿拉亚瓦里，A·K·班塞尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US