具有嵌入式加热器的面板制造技术

公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。

Panel with embedded heater

【技术实现步骤摘要】
具有嵌入式加热器的面板
本公开的实施方式涉及一种用于基板处理腔室的面板，并且更具体地涉及一种用于与被加热的面板一起使用的热扼流器。
技术介绍
在集成电路的制造中，使用诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的沉积工艺来在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻的层更改工艺来暴露沉积层的一部分以进行进一步沉积。通常，这些沉积或蚀刻工艺以重复的方式使用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各种层。随着技术进步，新化学物质和工艺被利用来制造日益复杂的电路和半导体器件。通常，这些新工艺涉及较高处理温度。因此，用于执行所述工艺的处理部件经常被暴露于较高温度，诸如高于350华氏度。因此，需要改善的基板工艺腔室部件以供在升高温度下使用。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种处理腔室具有主体，所述主体具有侧壁和底部。盖耦接到所述主体以在其中限定处理容积。面板耦接到所述盖。所述面板具有主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面。多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包括：/n主体，所述主体具有侧壁和底部；/n盖，所述盖耦接到所述主体，以在其中限定处理容积；以及/n面板，所述面板耦接到所述盖，所述面板包括：/n主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；/n多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；/n挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及/n切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口和所述挠曲件具有公共半径。/n

【技术特征摘要】
20180806 US 62/715,0691.一种处理腔室，包括：
主体，所述主体具有侧壁和底部；
盖，所述盖耦接到所述主体，以在其中限定处理容积；以及
面板，所述面板耦接到所述盖，所述面板包括：
主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；
多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；
挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及
切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口和所述挠曲件具有公共半径。


2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述切口和所述挠曲件形成环绕所述多个孔隙的环，所述挠曲件形成所述环的圆周的约95％，并且所述切口形成所述环的所述圆周的约5％。


3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述挠曲件包括多个交错通道，并且其中所述通道各自在所述挠曲件的第一端和第二端处通向所述切口。


4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述挠曲件被配置为吸收所述面板的热膨胀。


5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述面板的所述主体包括耦接在一起以形成所述主体的第一主体部分和第二主体部分。


6.一种面板，包括：
主体，所述主体具有第一表面、第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的外表面；
多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成在所述第一表面与所述第二表面之间；
挠曲件，所述挠曲件环绕所述多个孔隙，所述挠曲件部分地包围所述多个孔隙；以及
切口，所述切口穿过所述主体邻接所述挠曲件形成，所述切口在其中限定径向内表面和径向外表面，并且所述切口和所述挠曲件具有公共半径。


7.如权利要求6所述的面板，其中所述切口和所述挠曲件形成环绕所述多个孔隙的环，所述挠曲件形成所述环的圆周的约95％，并且所述切口形成所述环的所述圆周的约5％。


8.如权利要求6所述的面板，其中所述挠曲件包括多个交错通道，并且其中所述通道各自在所述挠曲件的第一端和第二端处通向所述切口。


9.如权利要求6所述的面板，其中所述挠曲件被配置为吸收所述面板的热膨胀。


10.如权利要求6所述的面板，其中所述面...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·黄，张宇星，K·高希，K·阿拉亚瓦里，A·K·班塞尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US