用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘制造技术

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘。所述静电吸盘包括：设施板；以及绝缘体，所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于制造工艺中造成的降解的材料形成。所述环任选地包括延伸部，所述延伸部被配置为环绕所述设施板。

Process chamber and electrostatic suction cup for substrate treatment

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘
本公开内容的实施方式整体涉及用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘。
技术介绍
在集成电路的制造中，使用诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻之类的层更改工艺来暴露沉积层的一部分以进行进一步沉积。通常，这些沉积或蚀刻工艺以重复的方式用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各种层。随着技术进步，正在利用新的化学品和工艺来制造日益复杂的电路和半导体器件。这些化学品和工艺可能损坏在工艺腔室中使用的常规部件。因此，需要可与新的制造工艺一起使用的用于器件制造的腔室处理部件。
技术实现思路
本公开内容整体涉及一种用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘。在一个实施方式中，一种工艺腔室具有主体，所述主体具有侧壁和底部。盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积。静电吸盘设置在所述工艺容积中。所述静电吸盘具有接地板、绝缘体、设施板、冷却基部和支撑主体。所述支撑主体中设置有电极。陶瓷环环绕所述绝缘体设置。在另一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的工艺腔室，包括：/n主体，所述主体具有侧壁和底部；/n盖，所述盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积；以及/n静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述工艺容积中，所述静电吸盘包括：/n接地板；/n绝缘体，所述绝缘体设置在所述接地板上；/n设施板，所述设施板设置在所述绝缘体上；/n冷却基部，所述冷却基部设置在所述设施板上；/n支撑主体，所述支撑主体设置在所述冷却基部上，所述支撑主体中具有电极；以及/n环，所述环环绕所述绝缘体设置，其中所述环由陶瓷材料形成。/n

【技术特征摘要】
20180717 US 16/037,9751.一种用于处理基板的工艺腔室，包括：
主体，所述主体具有侧壁和底部；
盖，所述盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积；以及
静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述工艺容积中，所述静电吸盘包括：
接地板；
绝缘体，所述绝缘体设置在所述接地板上；
设施板，所述设施板设置在所述绝缘体上；
冷却基部，所述冷却基部设置在所述设施板上；
支撑主体，所述支撑主体设置在所述冷却基部上，所述支撑主体中具有电极；以及
环，所述环环绕所述绝缘体设置，其中所述环由陶瓷材料形成。


2.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述环具有内表面，所述内表面限定穿过所述环的开口，其中所述绝缘体设置在所述开口中。


3.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述环包括环形部分和延伸部。


4.如权利要求3所述的工艺腔室，其中所述绝缘体被所述环形部分环绕，并且所述设施板被所述延伸部环绕。


5.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述绝缘体由聚合物材料形成。


6.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述环由氧化铝或氧化钇形成。


7.一种用于处理基板的静电吸盘，包括：
接地板；
绝缘体，所述绝缘体设置在所述接地板上；
设施板，所述设施板设置在所述绝缘体上；
冷却基部，所述冷却基部设置在所述设施板上；
支撑主体，所述支撑主体设置在所述冷却基部上，所述支撑主体中具有电极；以及
环，所述环环绕所述绝缘体设置，其中所述环由陶瓷材料形成。


8.如权利要求7所述的静电吸盘，进一步包括：
第一密封件，所述第一密封件设置在所述环与所述设施板之间；以及
第二密封件，所述第二密封件设置在所述环与所述接地板之间。


9.如权利要求8所述的静电吸盘，其中所述第一密封件、所述第二密封件和所述环隔离设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·西蒙斯，D·洛弗尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US