与高选择性氧化物移除及高温污染物移除整合的外延系统技术方案

在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载锁定腔室耦接至第二转移腔室。过渡站连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子体腔室。

Epitaxial system integrated with high selective oxide removal and high temperature pollutant removal

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】与高选择性氧化物移除及高温污染物移除整合的外延系统
本公开的实施方案通常关于用于清洁基板的表面的设备及方法。
技术介绍
在硅及其他半导体基板中且在硅及其他半导体基板上形成集成电路。在使用单晶硅的情况中，通过从熔融的硅浴中生长晶锭，然后将固化的晶锭锯成多个基板来制造基板。然后，可以在单晶硅基板上形成外延硅层，以形成可以被掺杂或未掺杂的无缺陷的硅层。半导体装置(例如，晶体管)可以从外延硅层中制成。所形成的外延硅层的电性质通常优于单晶硅基板的性质。当暴露于典型的基板制造设施环境条件时，单晶硅与外延硅层的表面容易受到污染。举例而言，由于基板的操作及/或对于在基板处理设施中的周围环境的暴露，在沉积外延层之前可以在单晶硅表面上形成原生的氧化物层。此外，存在于周围环境中的外来的污染物(例如，碳与氧物质)可以沉积在单晶表面上。在单晶硅表面上的原生的氧化物层或污染物的存在对于随后在单晶表面上形成的外延层的质量有负面的影响。因此，期望预先清洁基板，以为了在外延层于基板上生长之前移除表面氧化及其他的污染物。然而，经常在一或多个独立的真空处理腔室中进行预先清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理系统，包含：/n转移腔室，耦接到至少一个气相外延腔室；/n氧化物移除腔室，./n耦接至所述转移腔室，所述氧化物移除腔室包含：/n盖组件，具有混合腔室与气体分配器；/n第一气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；/n第二气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；/n第三气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；以及/n基板支撑件，具有：/n基板支撑表面；/n冷却通道；以及/n升降构件，设置于所述基板支撑表面的凹部中，并通过所述基板支撑件耦接到升降致动器；/n等离子体污染物移除腔室，耦接至所述转移腔室，所述等离子体污染...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170830 US 62/552,145;20180807 US 16/057,2131.一种处理系统，包含：
转移腔室，耦接到至少一个气相外延腔室；
氧化物移除腔室，.
耦接至所述转移腔室，所述氧化物移除腔室包含：
盖组件，具有混合腔室与气体分配器；
第一气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；
第二气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；
第三气体入口，穿过所述盖组件的一部分形成，并与所述混合腔室流体连通；以及
基板支撑件，具有：
基板支撑表面；
冷却通道；以及
升降构件，设置于所述基板支撑表面的凹部中，并通过所述基板支撑件耦接到升降致动器；
等离子体污染物移除腔室，耦接至所述转移腔室，所述等离子体污染物移除腔室包含：
远程等离子体源；以及
基板支撑件，可操作以将设置在所述基板支撑件上的基板加热至25℃与650℃之间的温度。


2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述氧化物移除腔室包含等离子体产生源。


3.如权利要求2所述的处理系统，其中所述等离子体产生源包含所述远程等离子体源，所述远程等离子体源经配置以通过使用RF源或微波源在所述远程等离子体源中形成等离子体。


4.如权利要求2所述的处理系统，其中所述远程等离子体源耦接至所述腔室的盖。


5.如权利要求1所述的处理系统，其中所述膜形成腔室为外延腔室。


6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳拉·哈夫雷查克，劳建邦，埃罗尔·C·桑切斯，舒伯特·S·楚，图沙尔·曼德雷卡尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US