静电基板支撑件几何形状的抛光制造技术

本文中提供待使用于等离子体辅助半导体制造腔室或等离子体增强半导体制造腔室中的抛光静电卡紧(ESC)基板支撑件的图案化表面的方法。具体地，本文中描述的实施例提供抛光方法，所述抛光方法将升高特征的边缘圆化并去毛边并且从图案化基板支撑件的非基板接触表面移除介电材料，以减少和其相关联的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电基板支撑件几何形状的抛光
技术介绍

本文中描述的实施例总的来说涉及使用于半导体器件制造工艺中的制品的制造，具体而言，涉及制造用于在处理腔室中使用的静电卡盘(ESC)基板支撑件的方法。相关技术的描述静电卡盘(ESC)基板支撑件常用于半导体制造中，以通过静电卡紧(ESC)力将基板固定地保持在处理腔室的处理容积内的处理位置中。卡紧力为提供至卡紧电极(所述卡紧电极嵌入基板支撑件的介电材料中)的电压与基板(所述基板设置于介电材料的表面上)之间的势的函数。通常，使用基板支撑件以通过基板支撑件的介电材料与设置于其上的基板之间的热传递来维持基板处于所期望的温度，或处于所期望的温度范围内。例如，一些基板支撑件包括嵌入在基板支撑件的介电材料中的加热元件，使用所述加热元件以加热基板支撑件，并且由此在处理之前加热基板至所期望的温度和/或在处理期间维持基板处于所期望的温度。针对其他半导体制造工艺，期望在处理基板期间冷却基板，并且基板支撑件热耦合至冷却基底，所述冷却基底典型地包括一个或多个冷却通道，所述一个或多个冷却通道具有流经所述一个或多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光基板支撑件的方法，包括：/n旋转抛光工作台，所述抛光工作台具有安装于所述抛光工作台上的抛光垫；/n将抛光流体应用至所述抛光垫；/n以抛光下压力来促使所述基板支撑件的图案化表面抵靠所述抛光垫，其中所述基板支撑件的所述图案化表面包括从一个或多个凹陷表面延伸的多个突起，并且其中所述图案化表面的基板接触表面积小于待设置于所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面积的约20％；以及/n抛光所述基板支撑件的所述图案化表面，包括：/n在面对基板的表面处从多个突起移除第一厚度的材料；及/n从所述多个突起的一个或多个侧面移除第二厚度的材料，其中所述第二厚度约等于或大于所述第一厚度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171017 US 62/573,491;20180201 US 15/886,5741.一种抛光基板支撑件的方法，包括：
旋转抛光工作台，所述抛光工作台具有安装于所述抛光工作台上的抛光垫；
将抛光流体应用至所述抛光垫；
以抛光下压力来促使所述基板支撑件的图案化表面抵靠所述抛光垫，其中所述基板支撑件的所述图案化表面包括从一个或多个凹陷表面延伸的多个突起，并且其中所述图案化表面的基板接触表面积小于待设置于所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面积的约20％；以及
抛光所述基板支撑件的所述图案化表面，包括：
在面对基板的表面处从多个突起移除第一厚度的材料；及
从所述多个突起的一个或多个侧面移除第二厚度的材料，其中所述第二厚度约等于或大于所述第一厚度。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述多个突起中的每一者具有介于约3μm与约50μm之间的高度。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫包括具有大于约300μm的绒毛长度的氨基甲酸乙酯浸渍毛毡材料。


4.如权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫具有大于约50％的孔洞容积。


5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板支撑件的所述图案化表面由介电材料形成，所述介电材料选自由以下项组成的群组：氧化铝(Al2O3)、氧化氮(AlN)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、氧化钇(Y2O3)、以及上述项的组合。


6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板支撑件的所述图案化表面进一步包括同心地设置于所述基板支撑件上的一个或多个外密封带，并且所述一个或多个外密封带中的至少一者接近所述图案化表面的外周边。


7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个突起具有介于约500μm与约5μm之间的平均直径。


8.如权利要求7所述的方法，其中所述图案化表面的基板接触表面积小于待设置于所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面积的约10％。


9.如权利要求7所述的方法，其中所述图案化表面进一步包括多个内密封带，每一个内密封带同轴地绕开口设置，所述开口形成在所述基板支撑件的所述介电材料中。


10.一种抛光基板支撑件的图案化表面的方法，包括：
旋转抛光工作台，所述抛光工作台具有安装于所述抛光工作台上的抛光垫；
将抛光流体应用至所述抛光垫，所述抛光流体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：小温德尔·G·博伊德，J·Z·何，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US