减少聚合物沉积的设备制造技术

本公开的实现方式提供了一种衬底支撑组件。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。

Equipment to reduce polymer deposition

【技术实现步骤摘要】
减少聚合物沉积的设备
本公开的示例整体涉及用于处理衬底(诸如半导体衬底)的设备。更具体地，公开了一种用于静电吸盘的工艺配件。
技术介绍
在诸如半导体衬底和显示面板之类的衬底的处理中，衬底放在工艺腔室中的衬底支撑件上，同时在工艺腔室中维持合适的工艺条件以在衬底的表面上沉积、蚀刻、形成层或以其他方式处理衬底的表面。在蚀刻工艺期间，驱动蚀刻工艺的等离子体可能不均匀地分布在衬底表面上。不均匀性在衬底表面的边缘处特别地明显。这样的不均匀性产生不良处理结果。因此，一些工艺腔室使用边缘环(边缘环也可以被称为工艺配件环)，以便提高等离子体均匀性并改进工艺良率。然而，已经观察到的是，蚀刻工艺可能造成聚合物材料聚积在衬底表面的边缘处。聚合物材料可能卡在衬底的边缘与工艺配件环之间的间隙中并扩散到衬底支撑件的静电吸盘中。当抬起衬底和/或断开等离子体时，聚合物材料可能沉积回到衬底表面上，从而不利地影响衬底处理。因此，本领域中需要的是能够解决以上所讨论的问题的设备。
技术实现思路
在一个实现方式中，提供了衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底支撑组件，其特征在于，包括：/n静电吸盘，所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及/n工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：/n内环；以及/n外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，并且所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，使得所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。/n

【技术特征摘要】
20181207 US 62/776,9251.一种衬底支撑组件，其特征在于，包括：
静电吸盘，所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及
工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：
内环；以及
外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，并且所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，使得所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。


2.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述内环由硅制成。


3.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述外环由石英制成。


4.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述内环的所述上表面具有围绕所述内环的圆周对称地设置的多个突起。


5.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，还包括：
泵送环，所述泵送环设置在所述外环上方。


6.如权利要求5所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述泵送环具有多个突起，所述多个突起设置在所述泵送环的底表面处。


7.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述第一凹陷的顶表面和所述第二凹陷的顶表面处于相同高度。


8.一种用于处理衬底的衬底支撑组件，其特征在于，所述衬底支撑组件包括：
衬底支撑件；
静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述衬底支撑件上，其中所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及
工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：
内环；
外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，其中所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，并且所述外环的上表面高于所述内环的上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·恩古耶，X·常，S·劳夫，J·A·肯尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US