本公开的实现方式提供了一种衬底支撑组件。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。
Equipment to reduce polymer deposition
【技术实现步骤摘要】
减少聚合物沉积的设备
本公开的示例整体涉及用于处理衬底(诸如半导体衬底)的设备。更具体地，公开了一种用于静电吸盘的工艺配件。
技术介绍
在诸如半导体衬底和显示面板之类的衬底的处理中，衬底放在工艺腔室中的衬底支撑件上，同时在工艺腔室中维持合适的工艺条件以在衬底的表面上沉积、蚀刻、形成层或以其他方式处理衬底的表面。在蚀刻工艺期间，驱动蚀刻工艺的等离子体可能不均匀地分布在衬底表面上。不均匀性在衬底表面的边缘处特别地明显。这样的不均匀性产生不良处理结果。因此，一些工艺腔室使用边缘环(边缘环也可以被称为工艺配件环)，以便提高等离子体均匀性并改进工艺良率。然而，已经观察到的是，蚀刻工艺可能造成聚合物材料聚积在衬底表面的边缘处。聚合物材料可能卡在衬底的边缘与工艺配件环之间的间隙中并扩散到衬底支撑件的静电吸盘中。当抬起衬底和/或断开等离子体时，聚合物材料可能沉积回到衬底表面上，从而不利地影响衬底处理。因此，本领域中需要的是能够解决以上所讨论的问题的设备。
技术实现思路
在一个实现方式中，提供了衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在外环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。在另一个实现方式中，提供了一种用于处理衬底的衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括衬底支撑件和设置在所述衬底支撑件上的静电吸盘。所述静电吸盘包括形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在外环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述外环的上表面高于所述内环的上表面。多个泵送通道穿过所述外环形成。所述泵送通道朝着远离所述内环的方向向下地成角度。在又一个实现方式中，一种衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环，所述内环包括上表面。外环设置在所述内环的径向外侧。所述外环包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面与所述内环的上表面共面。所述第二上表面在远离所述内环的方向上以一角度倾斜。附图说明为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以参考本公开的各方面得到以上简要地概述的本公开的更特定的描述，其中一些实现方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型的方面，并且因此不应视为对本公开的范围的限制，因为本公开可允许其他等效方面。图1是根据本公开的一个示例的工艺腔室的示意性截面图。图2是根据本文描述的一个示例的工艺腔室的衬底支撑组件的放大示意图。图3示出了内环的简化透视图，其示出了突起。图4A示出了根据一个实现方式的工艺配件的剖视图。图4B示出了泵送环的透视图，其示出了突起。图5示出了根据一个实现方式的工艺配件的剖视图。图6A示出了根据一个实现方式的工艺配件的剖视图。图6B示出了工艺配件的一部分的透视图，其示出了泵送通道。图7是从衬底支撑件的表面去除污染物的示例性方法的流程图。为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。另外，一个示例中的要素可以有利地适于在本文描述的其他示例中使用。具体实施方式本公开的实现方式提供了一种用于衬底支撑组件的工艺配件，所述衬底支撑组件包括设置在衬底支撑件的顶表面上的静电吸盘。所述工艺配件环绕静电吸盘并包括相对于衬底支撑件同心地定位的内环和外环。内环和外环的上表面可以是共面的或处于不同高度，并且外环可以包括泵送通道，以帮助从工艺配件和静电吸盘的边缘排出不想要的聚合物材料，从而提高衬底质量和工艺良率。图1是根据本公开的一个示例的工艺腔室100的示意性截面图。所示的工艺腔室100适于蚀刻、化学气相沉积(CVD)或其他基于等离子体的工艺。工艺腔室100包括腔室主体101和设置在腔室主体101上的盖103。腔室主体101和盖103一起限定内部容积。腔室主体101典型地耦接到电接地107。衬底支撑组件111设置在内部容积内，以在处理期间将衬底109支撑在衬底支撑组件111上。工艺腔室100还包括电感耦合等离子体设备102和控制器155，所述电感耦合等离子体设备102用于在工艺腔室100内产生等离子体，所述控制器155适于控制工艺腔室100的操作。衬底支撑组件111包括一个或多个电极153，所述一个或多个电极153通过匹配网络120耦接到偏置源119以便于在处理期间偏置衬底109。偏置源119可以是在例如约13.56MHz的频率下高达约1000W(但不限于约1000W)的RF能量的源，但是可以根据需要针对特定应用提供其他频率和功率。偏置源119可以能够产生连续或脉冲的功率中的任一个或两者。在一些示例中，偏置源119可以是DC或脉冲DC源。在一些示例中，偏置源119可以能够提供多个频率。一个或多个电极153可以耦接到吸紧电源160以便于在处理期间吸紧衬底109。衬底支撑组件111包括环绕衬底109的工艺配件(未示出)。以下将更详细地描述工艺配件的各种实现方式。电感耦合等离子体设备102设置在盖103上方并被配置为将RF功率电感耦合到工艺腔室100中，以在工艺腔室100内产生等离子体。电感耦合等离子体设备102包括设置在盖103上方的第一线圈110和第二线圈112。每个线圈110、112的相对位置、直径比和/或每个线圈110、112中的匝数各自可以根据需要进行选择，以控制正在形成的等离子体的轮廓或密度。第一线圈110和第二线圈112中的每个经由RF馈电结构106通过匹配网络114耦接到RF电源108。RF电源108可以能够在从50kHz至13.56MHz的范围内的可调谐的频率下产生高达约4000W(但不限于4000W)，但是可以根据需要针对特定应用利用其他频率和功率。在一些示例中，可以在RF馈电结构106与RF电源108之间提供功率分配器105(诸如分压电容器)，以控制被提供到相应的第一线圈和第二线圈的RF功率的相对量。在一些示例中，功率分配器105可以结合到匹配网络114中。加热器元件113可以设置在盖103顶上，以便于加热工艺腔室100的内部。加热器元件113可以设置在盖103与第一线圈110和第二线圈112之间。在一些示例中，加热器元件113可以包括电阻加热元件，并且可以耦接到电源115(诸如AC电源)，电源115被配置为提供足够的能量以将加热器元件113的温度控制在所期望的范围内。在操作期间，将衬底109(诸如半导体晶片或适于等离子体处理的其他衬底)放置在衬底支撑组件111上，并且通过进入端口117将工艺气体从气体面板116供本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种衬底支撑组件，其特征在于，包括：/n静电吸盘，所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及/n工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：/n内环；以及/n外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，并且所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，使得所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。/n
【技术特征摘要】
20181207 US 62/776,9251.一种衬底支撑组件，其特征在于，包括：
静电吸盘，所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及
工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：
内环；以及
外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，并且所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，使得所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。
2.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述内环由硅制成。
3.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述外环由石英制成。
4.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述内环的所述上表面具有围绕所述内环的圆周对称地设置的多个突起。
5.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，还包括：
泵送环，所述泵送环设置在所述外环上方。
6.如权利要求5所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述泵送环具有多个突起，所述多个突起设置在所述泵送环的底表面处。
7.如权利要求1所述的衬底支撑组件，其特征在于，所述第一凹陷的顶表面和所述第二凹陷的顶表面处于相同高度。
8.一种用于处理衬底的衬底支撑组件，其特征在于，所述衬底支撑组件包括：
衬底支撑件；
静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述衬底支撑件上，其中所述静电吸盘包括第一凹陷，所述第一凹陷形成在所述静电吸盘的上部分中；以及
工艺配件，所述工艺配件环绕所述静电吸盘，其中所述工艺配件包括：
内环；
外环，所述外环设置在所述内环的径向外侧，其中所述外环包括第二凹陷，所述第二凹陷形成在所述外环的上部分中，其中所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑，并且所述外环的上表面高于所述内环的上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·恩古耶，X·常，S·劳夫，J·A·肯尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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