【技术实现步骤摘要】
用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法本申请是申请号为201710522311.8、申请日为2017年6月30日、专利技术名称为“用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术总体上涉及半导体处理领域，更具体地涉及用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法。
技术介绍
集成电路的制造包括许多不同的处理步骤。经常使用的操作之一是将电介质膜沉积到在半导体晶片之上或之中图案化的特征之间的间隙中。沉积这种材料的目的之一是在间隙中形成无空隙的无缝填充物。虽然已经使用诸如高密度等离子体(HDP)、亚大气压化学气相沉积(SACVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)之类的沉积方法进行间隙填充，但是这些方法不能实现期望的填充能力和保形性。可流动的化学气相沉积和旋涂电介质(SOD)方法可以实现期望的填充，但倾向于沉积高度多孔的膜。此外，整合这些方法特别复杂并且成本高昂，因为它们需要许多额外的处理步骤。原子层沉积(ALD)工艺也用于间隙填充，以提高保形性，但是这些工艺遭受处理时间长、吞吐量低的问题，...
【技术保护点】
1.一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：/n处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；/n一个或多个射频(RF)发生器；以及/n一个或多个滤波器，其能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中，所述集成装置被配置为在以下模式之间切换：(1)用于执行沉积工艺的沉积模式，其中在所述沉积模式下所述一个或多个滤波器选择性地阻止来自所述喷头的低频信号，并选择性地将高频信号传递给所述喷头，和(2)用于执行蚀刻工艺的蚀刻模式，其中在所述蚀刻模式下所述一个或多个滤波器将高频信号和低频信号传递到所述基座并将所述喷头接地。/n
【技术特征摘要】
20160630 US 15/199,6081.一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：
处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；
一个或多个射频(RF)发生器；以及
一个或多个滤波器，其能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中，所述集成装置被配置为在以下模式之间切换：(1)用于执行沉积工艺的沉积模式，其中在所述沉积模式下所述一个或多个滤波器选择性地阻止来自所述喷头的低频信号，并选择性地将高频信号传递给所述喷头，和(2)用于执行蚀刻工艺的蚀刻模式，其中在所述蚀刻模式下所述一个或多个滤波器将高频信号和低频信号传递到所述基座并将所述喷头接地。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理室是电容耦合等离子体(CCP)反应器，并且其中所述喷头包括上电极，所述基座包括下电极。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
一个或多个开关，所述一个或多个开关能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器。
4.根据权利要求3所述的装置，其中在所述沉积模式下的所述一个或多个开关将所述一个或多个射频发生器耦合至所述喷头。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，在所述蚀刻模式下的所述一个或多个开关将所述一个或多个射频发生器耦合至所述基座并将所述喷头接地。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个射频发生器包括高频射频发生器和低频射频发生器。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述一个或多个开关包括：
第一站继电器开关，其被配置为在沉积模式下将所述低频射频发生器和所述高频射频发生器电连接到所述喷头；以及
第二站继电器开关，其被配置为在所述蚀刻模式下将所述低频射频发生器和所述高频射频发生器电连接到所述基座。
8.一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：
处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；
一个或多个射频发生器；以及
系统控制器，其可操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中所述系统控制器被配置有用于执行以下操作的指令：
在沉积模式下将所述一个或多个射频发生器耦合到至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿希尔·辛格哈尔，帕特里克·A·范克利蒙布特，马丁·E·弗里伯恩，巴特·J·范施拉芬迪克，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。