半导体器件孔结构的刻蚀方法和刻蚀设备技术

本发明专利技术实施例提出一种半导体器件孔结构的刻蚀方法和一种刻蚀设备，提供完成了前层工序的半导体器件；产生等离子体；利用单射频电源系统控制等离子体密度，并利用所述单射频电源系统在刻蚀所述半导体器件中不同介质时降低等离子体的轰击力度，并利用聚焦环反射等离子体，令等离子体打入所述半导体器件区域，在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构；其中，所述聚焦环内周边缘和半导体器件外周边缘之间的间距小于或等于1mm时，设置所述聚焦环的高度为5.1mm～27.9mm；所述间距大于1mm时，设置所述聚焦环的高度为1.1mm～6.2mm。

Etching method and equipment for hole structure of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体器件孔结构的刻蚀方法和刻蚀设备
本专利技术涉及刻蚀设备
，特别是涉及一种半导体器件的孔结构的刻蚀方法和一种刻蚀设备。
技术介绍
制备半导体器件过程中一般会刻蚀孔结构，目前有一种刻蚀设备，例如AMATMXPPoly刻蚀设备，其配置了单(一个)射频电源系统(简称RF系统)，用于控制等离子体密度及其轰击力度，该刻蚀设备在刻蚀半导体器件的不同介质时会采用该单射频电源系统降低等离子体的轰击力度的方式来保证刻蚀半导体器件的不同介质时有较好的刻蚀选择比，但是为了保证较高的刻蚀选择比而降低轰击力度势必要降低该单射频电源系统的功率，等离子体密度便也会随之降低，这就会影响半导体器件各区域的刻蚀均匀性。目前这种配置单射频电源系统的刻蚀设备，是采用聚焦环(focusring)来改善刻蚀均匀性。然而，虽然聚焦环可以改善刻蚀均匀性，但也会使较多的等离子体经聚焦环反射后轰击孔结构的侧壁，这就会降低侧壁保护物的保护效果，从而降低侧壁区域介质的反应活化能，会加快侧壁被轰击区域的蚀刻速率，从而导致最终刻蚀出的孔结构形貌异常。尤其当刻蚀到反应活化能本来就本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件孔结构的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供完成了前层工序的半导体器件；/n产生等离子体；/n利用单射频电源系统控制等离子体密度，并利用所述单射频电源系统在刻蚀所述半导体器件中不同介质时降低等离子体的轰击力度，并利用聚焦环反射等离子体，令等离子体打入所述半导体器件区域，在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构；/n其中，所述聚焦环内周边缘和半导体器件外周边缘之间的间距小于或等于1mm时，设置所述聚焦环的高度为5.1mm～27.9mm；所述间距大于1mm时，设置所述聚焦环的高度为1.1mm～6.2mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件孔结构的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
提供完成了前层工序的半导体器件；
产生等离子体；
利用单射频电源系统控制等离子体密度，并利用所述单射频电源系统在刻蚀所述半导体器件中不同介质时降低等离子体的轰击力度，并利用聚焦环反射等离子体，令等离子体打入所述半导体器件区域，在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构；
其中，所述聚焦环内周边缘和半导体器件外周边缘之间的间距小于或等于1mm时，设置所述聚焦环的高度为5.1mm～27.9mm；所述间距大于1mm时，设置所述聚焦环的高度为1.1mm～6.2mm。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述聚焦环内周边缘和半导体器件外周边缘之间的间距小于或等于1mm，所述聚焦环的高度为(19.1-0.25)mm～(19.1+0.25)mm。


3.根据权利要求1或2述的方法，其特征在于，
所述在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构的步骤是利用包括氯气和溴化氢的等离子体、采用干法刻蚀、利用各向异性刻蚀机制，在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述半导体器件中形成有第一介质层和第二介质层，所述第一介质层形成于所述第二介质层上，所述第一介质层的化学反应活化能高于第二介质层的化学反应活化能；
所述在所述半导体器件的不同介质中刻蚀出孔结构的步骤是先刻蚀所述第一介质层，然后以所述第一介质层为阻挡层刻蚀所述第二介质层，得到所述半导体器件的孔结构。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为DMOS器件，所述DMOS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，曹春生，华强，任东华，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32