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本发明实施例提出一种半导体器件孔结构的刻蚀方法和一种刻蚀设备，提供完成了前层工序的半导体器件；产生等离子体；利用单射频电源系统控制等离子体密度，并利用所述单射频电源系统在刻蚀所述半导体器件中不同介质时降低等离子体的轰击力度，并利用聚焦环反射...
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