一种环件连接部的翻新方法技术

本发明专利技术提供了一种环件连接部的翻新方法，所述翻新方法包括如下步骤：(1)环件机加工过程中去除异常连接部，得到焊接面；(2)测量步骤(1)所得焊接面的直径，然后根据所测数据选择连接部；(3)将步骤(2)所选连接部焊接至焊接面，完成对环件连接部的翻新。本发明专利技术通过严格控制加工公差，并选择合适的连接部，完成了对环件连接部的翻新，从而实现了连接部存在缺陷的环件的再利用，提高了环件的使用寿命，提高了企业的经济效益。

A renovation method of the connecting part of the ring

【技术实现步骤摘要】
一种环件连接部的翻新方法
本专利技术涉及半导体制造
，涉及一种环件的翻新方法，尤其涉及一种环件连接部的翻新方法。
技术介绍
物理气相沉积是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一，其目的是把金属或金属的化合物以薄膜的形式沉积在硅片或其它基板上，并随后通过光刻与腐蚀等工艺的配合，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。物理气相沉积是通过溅射机台来完成的，环件就是用于上述工艺中一种非常重要的关键耗材，其在半导体工艺中的主要作用为：约束溅射粒子的运动轨迹，起到聚焦的作用；吸附溅射过程中产生的大的颗粒物，起到净化的作用。所述环件通过凸起的连接部(knob)与溅射设备连接。由于在溅射过程中，环件结构上会留有溅射产生的颗粒物，尤其是停留在所述连接部上。这些颗粒物在环件结构上聚集到一定程度后会发生剥落现象，剥落的沉积物不仅会影响溅射环境，还容易掉落在溅射表面上，导致产品发生缺陷甚至报废。对此，CN104746021A公开了一种环件结构及其制造方法，包括固定于所述环件上的若干圆柱状的连接部，所述连接部的侧壁上设有滚花形状的网纹。通过对所述连接部滚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种环件连接部的翻新方法，其特征在于，所述翻新方法包括如下步骤：/n(1)环件机加工过程中去除异常连接部，得到焊接面；/n(2)测量步骤(1)所得焊接面的直径，然后根据所测数据选择连接部；/n(3)将步骤(2)所选连接部焊接至焊接面，完成对环件连接部的翻新。/n

【技术特征摘要】
1.一种环件连接部的翻新方法，其特征在于，所述翻新方法包括如下步骤：
(1)环件机加工过程中去除异常连接部，得到焊接面；
(2)测量步骤(1)所得焊接面的直径，然后根据所测数据选择连接部；
(3)将步骤(2)所选连接部焊接至焊接面，完成对环件连接部的翻新。


2.根据权利要求1所述的翻新方法，其特征在于，步骤(1)所述去除异常连接部的方法为铣削。


3.根据权利要求2所述的翻新方法，其特征在于，步骤(1)所得焊接面的直径为24-26mm，深度为1.2-1.3mm。


4.根据权利要求3所述的翻新方法，其特征在于，步骤(1)所述去除异常连接部时焊接面直径的加工公差为0-2.6mm，深度的加工公差为-0.1mm至0.1mm。


5.根据权利要求4所述的翻新方法，其特征在于，步骤(2)所述选择连接部的直径公差不超过0.51mm。


6.根据权利要求1所述的翻新方法，其特征在于，所述环件的材料包括钽、钛或铜中...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，李小萍，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33