本发明涉及一种用于检测铝铬合金中氧氮含量的检测方法，所述检测方法包括：（1）将待测铝铬合金分割成尺寸为毫米级的试样；（2）将所述试样依次进行酸洗处理和水洗处理，得到处理后试样；所述酸洗处理的酸液包括盐酸和水；（3）对所述处理后试样使用有...

本发明提供了一种拼接型ITO靶的绑定方法，所述绑定方法包括在背板的绑定面构建焊料槽，使用限位部在焊料槽中构建2个以上子靶材焊接区域，在各子靶材焊接区域放置子靶材，并沿垂直于子靶材表面的方向施加第一压力；调整子靶材与背板的中心度，沿垂直于...

本发明提供了一种铬铝合金用于辉光放电质谱检测的制样方法，所述制样方法包括以下步骤：（1）依次使用第一酸溶液和第二酸溶液对酸容器进行酸洗，将酸洗后的酸容器干燥后待用；（2）将铬铝合金和第三酸溶液置于步骤（1）得到的酸容器中进行超声酸洗后，...

本发明涉及一种镍铁合金靶材及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：（1）混合镍粉和铁粉，得到混合粉；（2）对步骤（1）所述混合粉依次进行压实处理和真空热压烧结处理，得到所述镍铁合金靶材；其中，所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一...

本发明提供了一种氧化铝静电吸盘及其制备方法。所述制备方法包括：（1）提供第一氧化铝生坯和第二氧化铝生坯；（2）在所述第一氧化铝生坯的一面上形成电极层，然后将所述第二氧化铝生坯覆盖在电极层的表面，压制后得到含电极层的氧化铝生瓷；（3）在湿...

本发明涉及一种电解抛光设备及其控制方法，具体涉及电解抛光领域，解决现有的电解抛光设备存在电解解析效果差，制样效率低，电解抛光液容易较差污染的缺陷，所述电解抛光设备包括：控制端、电解抛光端和分离端；所述电解抛光端包括：抛光平台和i个电解抛...

本发明涉及一种晶粒尺寸≤120μm铝硅铜靶材的制备方法，具体涉及铝硅铜靶材技术领域，所述制备方法包括：将铝硅铜合金材料依次进行第一热锻、第一热处理、第二热锻、第二热处理、第一压延、第二压延和第三热处理，得到晶粒尺寸≤120μm铝硅铜靶材...

本发明涉及真空镀膜设备技术领域，公开了一种靶材快换装置及更换方法，该靶材快换装置包括子夹具、母夹具、插接件和固定组件，母夹具开设有插槽，插接件插接于插槽内，顶推块和撑杆滑动设置于母夹具，夹爪转动设置于母夹具，顶推块设置有斜面，撑杆的一端...

本发明提供了一种一步热等静压制备二硅化钼靶材的方法，所述方法包括如下步骤：（1）湿法混合钼粉与硅粉，得到混合粉料；（2）将干燥后的混合粉料装入包套，包套焊接抽真空后进行热等静压，得到二硅化钼靶材。本发明提供的方法采用湿法混合的方式将钼粉...

本发明涉及一种钼合金旋转靶材的制备方法，包括（1）按钼合金旋转靶材中各元素的质量分数分别称取原料，混合均匀，得到钼合金粉末；（2）将所述钼合金粉末放入模具中，进行热压烧结处理，得到钼合金管坯；（3）对所述钼合金管坯的两端进行机加工处理；...

本发明涉及一种靶材冷却背板的冷却介质过流面的处理方法，具体涉及靶材领域，所述处理方法包括：对冷却介质过流面依次进行粗化处理和化学处理；所述化学处理中所用处理剂包括：苯丙三氮唑、果酸和水。本发明提供的处理方法，通过借助粗化处理和化学处理的...

本发明提供了一种钨硅合金靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括：混合硅粉与钨粉，加压烧结后得到钨硅合金靶材；所述硅粉包括粒径为2~3μm的第一硅粉与粒径为5~6μm的第二硅粉；所述钨粉包括粒径为5~6μm的第一钨粉与粒径为0.8~1....

本发明属于表面处理技术领域，涉及一种铝合金表面氟化膜的退镀方法，包括以下步骤：（1）对铝合金进行清洗处理，去除表面油污；（2）将清洗后的铝合金浸入碱液中进行退镀处理，去除表面氟化膜；（3）将退镀后的铝合金进行后处理，完成铝合金表面氟化膜...

本发明提供了一种钽靶材的外圆加工方法。所述外圆加工方法包括：采用VCGT160404刀具对钽靶材进行外圆切削；其中，所述外圆切削的加工路径为横向切削；在所述外圆切削的过程中，沿着VCGT160404刀具的前进方向，每前进预设距离后更换一...

本发明涉及一种超薄铝加热盘及其制备方法，所述超薄铝加热盘自上而下依次包括铝套筒、铝上盘体、中间层、电加热元件和铝下盘体；所述铝上盘体和铝下盘体分别设置有第一凹槽，叠合形成的中空部分容纳中间层和电热元件；所述中间层与铝上盘体对应位置开设有...

本发明提供了一种镍钒合金靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将镍钒铸锭依次进行热挤压、中间退火、静压墩粗、热轧和热处理，最终得到镍钒合金靶材。本发明提供的镍钒合金靶材的制备方法通过热挤压工艺完成开坯，操作工艺简单，效率高，然后通...

本发明涉及一种靶材组件的背板，具体涉及靶材领域，所述靶材组件的背板包括：环形渐深过流区；所述环形渐深过流区的环宽为背板宽度的85‑90%；所述环形渐深过流区的深度h=L/tanα，L为对应位置所在深度直线至中心轴线的距离，α=30‑45...

本发明提供了一种高纯钴靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）对钴锭进行至少两次金属热加工处理，得到钴靶坯；所述金属热加工处理包括依次进行的加热处理、锻造处理、退火处理以及冷却处理；（2）对步骤（1）所得钴靶坯依次进行轧制处理...

本发明涉及一种镍材的电子束焊接方法，具体涉及焊接领域，所述焊接方法包括：对镍材装配形成的焊缝在真空下依次进行第一电子束焊接、第二电子束焊接和第三电子束焊接；所述第二电子束焊接的热输入＞第三电子束焊接的热输入＞第一电子束焊接的热输入。本发...

本技术提供了一种薄壁工件加工磨床用定位装置，包括夹具底座与若干个夹持组件；所述夹持组件包括顶压板、限位杆与定位基板，所述限位杆的一端固定连接所述定位基板，另一端活动连接所述顶压板；若干个所述夹持组件的定位基板沿所述夹具底座的外周周向间隔...