【技术实现步骤摘要】
基座
本公开内容的实施方式总体上涉及用于半导体器件制造工艺中使用的加热的基座的方法和设备。
技术介绍
在基板上的电子器件的制造中，诸如半导体基板等的基板经受许多热工艺。热工艺通常在处理腔室中执行，在所述处理腔室中沉积或去除材料，或者以受控方式加热基板。此类工艺包括外延沉积、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、蚀刻、退火等。基板通常由加热的基板支撑件或基座支撑在处理腔室中，所述加热的基板支撑件或基座将热量传递至基板。然而，由于加热机构的设计和布局，基座可能提供不均匀的温度场，这阻止了基板的某些部分以与基板的其他部分相同的速率被加热。这导致被加热的基板的温度不均匀性。因此，需要一种改进的基座，所述改进的基座提供在其上被加热的基板中的更高的温度均匀性。
技术实现思路
本公开内容的实施方式总体上涉及一种用于可用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性的基座的设备和方法。在一个实施方式中，公开了一种基座，所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案...
【技术保护点】
1.一种基座，其特征在于，所述基座包括：/n主体，所述主体具有设置在所述主体中的加热器，其中所述主体包括：/n图案化的表面，所述图案化的表面包括：/n第一区域，所述第一区域具有从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱；以及/n第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述第二区域具有从所述基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面为基本上共面的并且限定基板接收表面，并且其中所述图案化的表面包括一个或多个裸位置。/n
【技术特征摘要】
20190118 US 62/794,3731.一种基座，其特征在于，所述基座包括：
主体，所述主体具有设置在所述主体中的加热器，其中所述主体包括：
图案化的表面，所述图案化的表面包括：
第一区域，所述第一区域具有从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱；以及
第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述第二区域具有从所述基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面为基本上共面的并且限定基板接收表面，并且其中所述图案化的表面包括一个或多个裸位置。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基底表面的平均表面粗糙度大于每个所述柱的所述上表面的平均表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第一多个柱中的每一者以第一高度从所述基底表面延伸，并且所述第二多个柱中的每一者以第二高度从所述基底表面延伸，所述第二高度不同于所述第一高度。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
5.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2倍。
6.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2.5倍。
7.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的3倍。
8.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述基座还包括第三多个柱，所述第三多个柱以与所述第一高度和所述第二高度不同的高度从所述基底表面延伸。
9.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第一区域的表面积小于所述第二区域的表面积。
10.一种基座，其特征在于，所述基座包括：
主体，所述主体具有嵌入在所述主体中的加热器，所述主体包括：
图案化的表面，所述图案化的表面包括：
中...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·S·C·帕里米，Z·黄，J·李，S·拉达克里什南，程睿，D·N·凯德拉亚，J·C·罗查，U·M·科尔卡，K·杰纳基拉曼，S·M·博贝克，P·K·库尔施拉希萨，V·K·普拉巴卡尔，B·S·权，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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