【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板边缘均匀化的方法和设备
本原理的实施方式一般涉及半导体处理。
技术介绍
一些基板处理腔室利用处理配件，该处理配件包括围绕处理腔室的内部空间的接地屏蔽件。处理配件还可包括围绕基板支撑件的沉积环和置于沉积环上的盖环。盖环设置在接地屏蔽件和沉积环之间，以帮助将处理空间与腔室的其余部分密封。处理腔室可具有溅射靶，该溅射靶由RF和/或DC功率供电以将靶材料沉积在晶片上。在溅射处理中，靶材溅射引起处理配件上的沉积累积，这继而影响晶片上的沉积均匀性。因此，本专利技术人提供了改进的方法和设备，以用于在盖环老化时控制基板上的边缘沉积均匀性。
技术实现思路
通过相对于基板的边缘保持阴影效应，方法、设备、和系统提供了对半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的控制。在一些实施方式中，一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法，包括以下步骤：在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料，该基板支撑件相对于设置在靠近基板支撑件的盖环保持在第一位置，该第一位置提供盖环对第一基板的阴影角，和在基板支撑件相对于盖环...
【技术保护点】
1.一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法，包括以下步骤：/n在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料，所述基板支撑件相对于设置在靠近所述基板支撑件的盖环保持在第一位置，所述第一位置提供所述盖环对所述第一基板的阴影角；和/n在所述基板支撑件相对于所述盖环而于第二位置的随后的第二基板上沉积所述第一材料，所述第二位置不同于所述第一位置，所述第二位置保持所述盖环对于所述第二基板的所述阴影角，而补偿在所述盖环的顶表面上的沉积。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 US 62/607,989;20181211 US 16/215,7691.一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法，包括以下步骤：
在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料，所述基板支撑件相对于设置在靠近所述基板支撑件的盖环保持在第一位置，所述第一位置提供所述盖环对所述第一基板的阴影角；和
在所述基板支撑件相对于所述盖环而于第二位置的随后的第二基板上沉积所述第一材料，所述第二位置不同于所述第一位置，所述第二位置保持所述盖环对于所述第二基板的所述阴影角，而补偿在所述盖环的顶表面上的沉积。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
垂直地升高所述基板支撑件以补偿所述盖环的所述顶表面上的沉积。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
确定所述盖环的所述顶表面上的沉积的厚度；和
响应于所述盖环的所述顶表面上的沉积的所述厚度而移动所述基板支撑件。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：
通过秤重所述盖环来确定所述盖环的所述顶表面上的沉积的所述厚度。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
以千瓦小时为单位确定所述半导体处理腔室中所使用的溅射靶材的使用；和
响应于所述溅射靶材的使用的千瓦小时而移动所述基板支撑件。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
在处理基板之后移动所述基板支撑件以补偿在所述盖环的所述顶表面上的沉积。
7.一种用于控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的设备，包括：
基板支撑件，具有顶表面，所述基板支撑件用于在基板存在时保持所述基板；所述基板支撑件是可移动的；
盖环...
【专利技术属性】
技术研发人员：清·X·源，亚历山大·詹森，程亚娜，兰德尔·施米丁，曹勇，唐先民，威廉·约翰森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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