用于衬底处理腔室的底座制造技术

本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。

【技术实现步骤摘要】
用于衬底处理腔室的底座
本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。
技术介绍
底座在衬底处理腔室中用于处理用在半导体应用中的衬底。诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)之类的处理方法可用在这种衬底处理腔室中。然而，许多底座设计在衬底处理期间遭受在衬底与衬底处理腔室内的其他部件之间的电弧放电或电容放电。例如，电弧放电可在衬底与邻近衬底放置的边缘环之间发生。电弧放电可引起若干操作问题，诸如在衬底上的膜沉积更少、在衬底的边缘附近的膜沉积损失(从而引起膜沉积的轮廓的不均匀性)、边缘环的破碎或边缘环到衬底的熔融。已经尝试解决这些问题，但是招致诸如产量降低、每衬底的管芯的效率较低、膜沉积不充分或操作成本高的问题。因此，需要用于衬底处理腔室的改进的底座。
技术实现思路
本公开内容的实现方式整体上涉及用于衬底处理腔室的底座。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括台阶状表面，所述台阶状表面从所述支撑表面向上突出。所述台阶状表面围绕所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在衬底处理腔室中设置的底座，包括：/n主体，所述主体包括支撑表面和从所述支撑表面向上突出的台阶状表面，所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面，并且所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的；/n电极，所述电极设置在所述主体中；以及/n一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。/n

【技术特征摘要】
20190115 US 62/792,7461.一种用于在衬底处理腔室中设置的底座，包括：
主体，所述主体包括支撑表面和从所述支撑表面向上突出的台阶状表面，所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面，并且所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的；
电极，所述电极设置在所述主体中；以及
一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。


2.如权利要求1所述的底座，其中所述边缘环是所述主体的第一部分，并且所述底座是所述主体的第二部分。


3.如权利要求2所述的底座，其中具有所述边缘环的所述第一部分具有与具有所述底座的所述第二部分的体电阻率不同的体电阻率。


4.如权利要求3所述的底座，其中具有所述边缘环的所述第一部分的所述体电阻率小于具有所述底座的所述第二部分的所述体电阻率。


5.如权利要求2所述的底座，其中具有所述边缘环的所述第一部分包括第一材料，并且具有所述底座的所述第二部分包括与所述第一材料不同的第二材料。


6.如权利要求2所述的底座，其中所述电极涂覆有涂层，所述涂层具有比所述电极的所述体电阻率高的体电阻率。


7.如权利要求6所述的底座，其中具有所述边缘环的所述第一部分包括从所述支撑表面向上延伸的内表面以及在所述内表面的上端部上的斜面，所述斜面在所述内表面与所述台阶状表面之间延伸。


8.一种用于在衬底处理腔室中设置的底座，包括：
主体，所述主体包括支撑表面；
第一电极，所述第一电极在低于所述支撑表面的第一深度处设置在所述主体中；以及
涂层，所述涂层涂覆在所述第一电极的至少一部分上，所述涂层具有比所述第一电极的体电阻率大的体电阻率。


9.如权利要求8所述的底座，其中所述第一深度在0.5mm至4mm的范围内。


10....

【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·博贝克，V·S·C·帕里米，P·K·库尔施拉希萨，V·K·普拉巴卡尔，K·D·李，S·河，J·李，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US